公开(公告)号：CN118423998A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410661749.4

申请日：2024-05-27

申请人： 阿尔赛(苏州)无机材料有限公司

发明人： 吹野洋平

IPC分类号： F27D1/00 ,  F27D1/18 ,  F27D11/10 ,  F27B17/00 ,  C30B31/00

摘要： 一种拼接式扩散炉炉胆及扩散炉,包括呈长筒型的炉胆外壁、设置于所述炉胆外壁内多个加热管沿所述炉胆外壁长度方向拼接成的炉胆本体，所述炉胆本体包括至少一个第一加热管、位于首端与/或尾端且邻接炉门的第二加热管，所述第一加热管包括用于加热管内腔的金属发热丝，所述第二加热管包括用于加热管内腔的至少一组电极棒绕组，所述电极棒绕组为硅碳棒或硅钼棒。设计成拼接式的炉胆结构，并在开口处采用硅碳棒或硅钼棒加热，硅碳棒和硅钼棒是陶瓷发热体，表面负荷可以设计的很高，大约10w/cm2，而且形成的氧化膜更容易抗剥落，因此在炉胆开口处使用硅碳棒或硅钼棒大大延长了使用寿命。

公开(公告)号：CN114347277B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202111445494.0

申请日：2021-11-30

申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所

发明人： 柏伟 ,  董涛 ,  彭志强 ,  折伟林 ,  王成刚

IPC分类号： B28D5/00 ,  B28D5/04 ,  C30B29/40 ,  C30B31/00

摘要： 本发明公开了一种InSb晶片制备方法，包括：将晶锭按照固定基准固定后，垂直于晶锭的轴线进行切割，以切出第一InSb晶片；确定第一InSb晶片的晶向，调整切割角度，在切开的所述晶锭，继续切割出第一目标晶向的端面；保持切割机刀片角度，基于所述固定基准旋转晶锭目标角度，执行切割，以获得第二目标晶向的端面；对第二目标晶向的端面进行标记，基于标记后的端面切割出所需的籽晶；基于切割的籽晶进行晶体生长和切割，以获得目标InSb晶片。本公开的方法解决了晶体生长之后因Te元素在晶片中心区域聚集而引起的电学参数分布不均匀的技术难题，从而提高大尺寸InSb晶片有效区域范围内的电学参数的均匀性以及晶片的有效使用面积。

公开(公告)号：CN117286583A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311187199.9

申请日：2023-09-14

申请人： 湖南汇思光电科技有限公司

发明人： 杨骏捷

IPC分类号： C30B33/02 ,  C30B31/00 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种基于掺杂形核层的锗锡化合物材料生长方法，将硅衬底送入MBE腔中并利用腔内高温去除衬底表面的氧化层，在去除表面氧化层的硅衬底上进行不同温度下的锗外延生长，形成无掺杂锗缓冲层，完成后对其进行循环退火，在退火后的变温无掺杂锗缓冲层上进行高温锗外延生长，形成高温锗缓冲层，在高温锗缓冲层上进行低温多原子掺杂的锗锡外延生长，形成GeSn掺杂形核外延层，在GeSn掺杂形核外延层上进行无掺杂的锗锡有源区材料生长，形成无掺杂锗锡合金外延层。通过在锗锡材料生长时，同时掺杂多种原子，可以增强GeSn薄膜表面平整度，还可增加Sn原子介入Ge晶格，提高所生长的GeSn掺杂形核外延层的晶体质量。

公开(公告)号：CN116240636A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211679810.5

申请日：2022-12-27

申请人： 江苏弘扬石英制品有限公司

发明人： 徐源 ,  徐煜清 ,  徐传龙 ,  冯维娥

IPC分类号： C30B31/00

摘要： 一种高温扩散炉用大口径石英玻璃管，包括双层石英管体，内外层石英管之间形成一个空腔，所述空腔被隔断平均分成左右两份，双层石英管体的一端开口设置，另一端封闭设置并连接有进气管口、排气管口和热电偶管口，进气管口、排气管口和热电偶管口内可分别插置进气管、排气管和热电偶管，所述进气管和排气管分别通向左右空腔，热电偶通向内层石英管内，内层石英管管壁设有水平通气孔，内层石英管内通过通气孔与空腔连通。本发明专利提供一种高温扩散炉用大口径石英玻璃管，一方面使得工艺气体扩散均匀，有助于改善硅片片内和片间的方阻均匀性，另一方面由于内层石英玻璃管内仅有热电偶，减少了其他因素对测温的影响，提高了测温准确性。

公开(公告)号：CN115110153A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210729428.4

申请日：2022-06-24

申请人： 东莞市天域半导体科技有限公司

发明人： 马爽 ,  韩景瑞 ,  李锡光 ,  丁雄傑 ,  邱树杰

IPC分类号： C30B33/02 ,  C30B31/00 ,  C30B29/36

摘要： 本发明公开了一种降低半导体外延片翘曲度的方法，包括S1)沉积介质层：在外延片背面和正面分别沉积第一介质层和第二介质层，第一介质层和第二介质层的刚度大于外延片，第一介质层和第二介质层的热膨胀系数分别是α1、α2，第一介质层和第二介质层的厚度分别是T1、T2，第一介质层和第二介质层满足α1×T1＝α2×T2；S2)高温退火；S3)去除第二介质层并磨抛清洗；S4)掺杂；S5)去除第一介质层并磨抛清洗。本发明预先在外延片的正面和背面均沉积一层刚度大于外延片的介质层，经过高温退火时正背面双介质层的协同热膨胀来降低外延片的翘曲度，然后再去除正面的介质层，保留背面的介质层，背面的介质层能够对外延片进行保护，维持其低翘曲，减少外延片进行热扩散或离子注入等掺杂工序时的翘曲或碎片等问题，以提高器件加工精度和降低碎片等风险。

公开(公告)号：CN113465369A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110617265.6

申请日：2021-06-03

申请人： 泰州市吉强不锈钢制品有限公司

发明人： 吉德书

IPC分类号： F27B9/24 ,  F27B9/30 ,  F27B9/36 ,  F27B9/40 ,  F27D1/18 ,  F27D17/00 ,  H01L21/324 ,  C30B31/00 ,  C30B33/02 ,  C30B29/06

摘要： 本发明公开了一种全电脑化可控硅退火炉，包括底座和炉体；所述的底座的顶端安装有进料密封箱，且进料密封箱的表面螺钉连接有微型电脑；所述的进料密封箱的内壁安装有进料带，且进料密封箱的顶端螺钉连接有支撑架；所述的支撑架的顶端两侧均安装有滚轮，所述的底座的内壁设置有多组吸尘风扇，所述的安装框的内壁两侧均开设有滑槽，本发明，通过设置有进料密封箱、滚轮、连接绳、安装块和电动推杆，这样便于在有物料进行上料时，通过电动推杆伸缩以带动安装块和连接绳进行伸缩，以带动箱门进行开合，进行插板密封法，可以有效的保证炉体内的压力与热量不流失，以达到炉体内的温度与压力符合工艺标准。

公开(公告)号：CN111424312B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202010257434.5

申请日：2020-04-03

申请人： 吉林大学

发明人： 杜晓波 ,  万宁 ,  段明娜 ,  刘红梅 ,  尉国栋 ,  周密 ,  纪媛 ,  付成伟 ,  韩炜

IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B33/04 ,  C30B33/00 ,  C30B31/00 ,  C30B29/36 ,  C30B29/64 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种3C‑碳化硅单晶二维纳米片的制备方法，包括以下步骤：先将经中子辐射的3C晶相的碳化硅纳米线用HF和HCl配置好的混合酸超声酸洗、依次通过去离子水和无水乙醇洗涤，真空干燥；然后再将酸处理过的碳化硅纳米线与氯化铵或掺杂源混合均匀后密封在石英管中；最后再将装有样品的石英管在马弗炉中加热处理，加热完成后样品随炉自然冷却到室温后取出，再将样品先后依次经无水乙醇和去离子水超声清洗，真空干燥后即可；本发明碳化硅具有纳米尺度均匀，晶体质量好，单分散性好，产量大，且制备合成过程简单、制备时间短，不需贵重设备，安全且易操作的特点，有利于实现大尺寸二维碳化硅材料的快速制备，且能实现同步掺杂和均匀掺杂。

公开(公告)号：CN111945229A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010811851.X

申请日：2020-08-13

申请人： 浙江正泰太阳能科技有限公司 ,  海宁正泰新能源科技有限公司

发明人： 马玉超 ,  余浩 ,  张晓攀 ,  单伟 ,  何胜 ,  徐伟智

IPC分类号： C30B33/10 ,  C30B29/06 ,  C23C16/50 ,  C23C16/34 ,  C30B31/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种单晶硅片的单面制绒工艺，包括以下步骤：A)将掩膜胶液涂覆至单晶硅片的背面，得到背面有掩膜涂层的单晶硅片；所述掩膜胶液包括以下重量份数的组分：氧化硅：0.1～1份，助剂：0.5～2份，木质素纤维：0.1～1份，阿拉伯胶：10～100份；B)将所述背面有掩膜涂层的单晶硅片在碱性试剂中制绒后进行酸洗，去除掩膜涂层，得到单面制绒的单晶硅片。本发明以氧化硅和树脂为主要成分，在很低的温度下即可制备得到掩膜涂层，能耗小，起阻挡和掩膜作用的为树脂及氧化硅，阻挡效果更好，氧化硅除起到掩膜左右，对后续掩膜去除也起到助溶效果。

公开(公告)号：CN110230099B

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201910348502.6

申请日：2019-04-28

申请人： 山东省科学院新材料研究所

发明人： 邱程程 ,  王旭平 ,  刘冰 ,  户延延 ,  禹化健 ,  马玲 ,  张琮

IPC分类号： C30B29/30 ,  C30B15/00 ,  C30B31/00

摘要： 本发明涉及一种高介电常数钽铌酸钾晶体及其制备方法,属于功能晶体材料制备技术领域。所述的晶体的化学式为：Na,Fe：KTa1‑xNbxO3，其中晶体组分中Nb含量为0.36≤x≤0.39，本发明通过引入钠、铁元素作为掺杂离子，通过确定掺杂量，选择优选配比，配合专用的制备方法，制备了大尺寸高质量晶体，晶体中无气泡及开裂现象，均匀性好，大大改善了晶体质量。

公开(公告)号：CN106609393A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510683942.9

申请日：2015-10-21

申请人： 周红兵

发明人： 周红兵

IPC分类号： C30B31/00 ,  C30B29/06 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种用于太阳能电池片生产中扩散炉的炉门，其包括用于挡设在所述扩散炉的炉口的炉门本体，与所述炉门本体之间形成容置空间的门板块以及填充在容置空间内的石英保温棉，所述的炉门本体与门板块的材质均为不透明石英玻璃，炉门本体上设有填充口。将本发明放在扩散炉炉口处，可有效挡住炉口的温度和红外线，防止温度过高和红外线直面扩散到作业人员，对作业人员造成伤害，提高安全作业性能。