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公开(公告)号：CN115974163B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202211661967.5
申请日：2022-12-23
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明属于无机功能薄膜材料技术领域，尤其涉及一种锌、钛共掺的铁酸铋薄膜及其制备方法。其化学通式为Bi(1+Z)Fe(1‑X‑Y)ZnYTiXO3，其中，X为Ti元素的摩尔当量，0.13≤X≤0.16，Y为Zn元素的摩尔当量，0.05≤Y≤0.08，元素Bi过量加入，Z为Bi以重量计的过量百分数，所述薄膜共N层，第一层至第三层中Z为5％‑10％，第四层至第N‑3层中Z为15％‑20％，第N‑2层至第N层中Z为11％‑16％；锌源为硝酸锌，铁源为硝酸铁，钛源为异丙醇钛；首次在KTN晶体上采用溶胶‑凝胶法制备了择优度高的铁酸铋薄膜铋源为硝酸铋，铁酸铋薄膜具有高透过率，成本低，操作简单，更有利于其未来工业化应用；制备过程退火温度低，退火时间短，较大的降低了退火过程中的能耗，符合工业生产的环保方针。
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公开(公告)号：CN116163002A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211683707.8
申请日：2022-12-27
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明属于新型金属有机配合物晶体材料的生长制备技术领域，尤其涉及一种大尺寸三硫脲硫酸根合锌晶体的制备方法及装置。晶体生长包括如下步骤：S1、生长液制备；S2、晶体生长；S3、晶体制备完成；生长装置包括：生长瓶，用于盛放三硫脲硫酸根合锌晶体的生长溶液；补料瓶，与所述生长瓶的上、下均连通，用于盛放三硫脲硫酸根合锌晶体的待补充生长溶液，所述待补充生长溶液对所述生长瓶的所述生长溶液进行补充；本发明通使晶体的尺寸达到8厘米级别，显著提高了该晶体的制备尺寸，突破了该晶体目前的尺寸限制，同时缩短了该晶体的生长时间，达到18天即可完成制备，为该晶体的大尺寸样品加工与器件应用提供了保障。
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公开(公告)号：CN115976641A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211684294.5
申请日：2022-12-27
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明属于体型电光调制器件领域，尤其涉及一种钽铌酸钾晶体及应用其的低电压电光位相调制器。其化学式为KTa1‑xNbxO3，其中，0.1≤X≤0.3，为立方相，且所述钽铌酸钾晶体采用Cu2+、Li+两种离子共掺，掺杂后两种元素在所述晶体中的摩尔含量为Cu：0.001～0.01％、Li：1～3％，所述的钽铌酸钾晶体位于中间，还包括位于所述钽铌酸钾晶体上表面的第一电极、以及位于下表面的第二电极，所述上表面还设置有入射孔，所述下表面设置有出射孔；可以在Nb组分较低的情况下得到居里点在室温附近的晶体，减小了高Nb含量钽铌酸钾晶体生长的困难，将钽铌酸钾的电光系数提高了2～3倍，大幅降低最终元器件的驱动电压，拥有更大的入射角容忍度，更能满足自由空间光通讯应用的需求。
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公开(公告)号：CN110230099B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201910348502.6
申请日：2019-04-28
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明涉及一种高介电常数钽铌酸钾晶体及其制备方法,属于功能晶体材料制备技术领域。所述的晶体的化学式为：Na,Fe：KTa1‑xNbxO3，其中晶体组分中Nb含量为0.36≤x≤0.39，本发明通过引入钠、铁元素作为掺杂离子，通过确定掺杂量，选择优选配比，配合专用的制备方法，制备了大尺寸高质量晶体，晶体中无气泡及开裂现象，均匀性好，大大改善了晶体质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110316973A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910348468.2
申请日：2019-04-28
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明属于无机功能薄膜材料技术领域，具体涉及一种镧、钛共掺的铁酸铋薄膜及其制备方法。采用溶胶-凝胶和结合层层退火工艺的制备了镧、钛共掺的铁酸铋薄膜Bi（1+Z）(1–Y)LaYFe1-XTiXO3（BLTO），即个元素的比例分别为Bi:La:Fe:Ti:O=（1+Z）(1–Y):Y:(1-X):X:3，该薄膜共N层8≤N≤12，每层厚度为100nm-130nm；使用该制备方法，可获得稳定、均匀的前驱体溶液，配合该层层退火工艺，制备的薄膜具有较低的漏电流，高剩余极化强度。
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公开(公告)号：CN107650009A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201711158536.6
申请日：2017-11-20
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 一种新型晶片研磨抛光机，包括机座和转盘，所述的机座包括操作面板和操作台；所述的操作台上设置有用于放置转盘的转盘基座；所述的转盘基座轴心设置有轴套；所述的转盘由同轴心设置的小圆盘和大圆盘上下叠加而成，大圆盘底部轴心设置有与轴套旋转连接的转轴，小圆盘轴心处贯穿有用于粗研磨液流通的导流管，且导流管上端口不低于小圆盘顶部平面；所述的小圆盘的底部分布有多条由导流管向小圆盘外沿贯穿的转盘导液槽；所述的转盘上可放置与其相配合的载样盘；所述的载样盘包括内盘和外盘，其中内盘底面与小圆盘顶面接触，外盘底面与大圆盘顶面接触；本发明可同步实现晶片不同研磨抛光程度的抛光，省时省力。
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公开(公告)号：CN119902401A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510093874.4
申请日：2025-01-21
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明涉及光电功能晶体材料技术领域，具体涉及具有梯度组分的铌酸锶钡晶体的光偏转方法及器件。首先采用提拉法生长出沿[001]方向具有组分梯度的SBN晶体，按照晶向切割出长方体光学晶片，在抛光后的(001)面上通过磁控溅射方法制备欧姆接触的双层金属电极，将晶体温度控制在有效居里温度下3‑5℃，沿晶体[100]或[001]方向入射，沿组分梯度的方向给晶体加电场，可在出射端实现光偏转，在800V/mm的电压下最大偏转角可达9.6mrad。与传统的基于线性电光效应的偏转器相比，本发明方法可获得更大偏转角度并显著减小器件尺寸与结构复杂度，适用于高速随机扫描、显示、激光加工及空间光通信等领域。
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公开(公告)号：CN107650009B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201711158536.6
申请日：2017-11-20
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 一种新型晶片研磨抛光机，包括机座和转盘，所述的机座包括操作面板和操作台；所述的操作台上设置有用于放置转盘的转盘基座；所述的转盘基座轴心设置有轴套；所述的转盘由同轴心设置的小圆盘和大圆盘上下叠加而成，大圆盘底部轴心设置有与轴套旋转连接的转轴，小圆盘轴心处贯穿有用于粗研磨液流通的导流管，且导流管上端口不低于小圆盘顶部平面；所述的小圆盘的底部分布有多条由导流管向小圆盘外沿贯穿的转盘导液槽；所述的转盘上可放置与其相配合的载样盘；所述的载样盘包括内盘和外盘，其中内盘底面与小圆盘顶面接触，外盘底面与大圆盘顶面接触；本发明可同步实现晶片不同研磨抛光程度的抛光，省时省力。
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公开(公告)号：CN115974163A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211661967.5
申请日：2022-12-23
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明属于无机功能薄膜材料技术领域，尤其涉及一种锌、钛共掺的铁酸铋薄膜及其制备方法。其化学通式为Bi(1+Z)Fe(1‑X‑Y)ZnYTiXO3，其中，X为Ti元素的摩尔当量，0.13≤X≤0.16，Y为Zn元素的摩尔当量，0.05≤Y≤0.08，元素Bi过量加入，Z为Bi以重量计的过量百分数，所述薄膜共N层，第一层至第三层中Z为5％‑10％，第四层至第N‑3层中Z为15％‑20％，第N‑2层至第N层中Z为11％‑16％；锌源为硝酸锌，铁源为硝酸铁，钛源为异丙醇钛；首次在KTN晶体上采用溶胶‑凝胶法制备了择优度高的铁酸铋薄膜铋源为硝酸铋，铁酸铋薄膜具有高透过率，成本低，操作简单，更有利于其未来工业化应用；制备过程退火温度低，退火时间短，较大的降低了退火过程中的能耗，符合工业生产的环保方针。
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