一种锌、钛共掺的铁酸铋薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN115974163A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202211661967.5

    申请日:2022-12-23

    IPC分类号: C01G49/00 B82Y30/00

    摘要: 本发明属于无机功能薄膜材料技术领域,尤其涉及一种锌、钛共掺的铁酸铋薄膜及其制备方法。其化学通式为Bi(1+Z)Fe(1‑X‑Y)ZnYTiXO3,其中,X为Ti元素的摩尔当量,0.13≤X≤0.16,Y为Zn元素的摩尔当量,0.05≤Y≤0.08,元素Bi过量加入,Z为Bi以重量计的过量百分数,所述薄膜共N层,第一层至第三层中Z为5%‑10%,第四层至第N‑3层中Z为15%‑20%,第N‑2层至第N层中Z为11%‑16%;锌源为硝酸锌,铁源为硝酸铁,钛源为异丙醇钛;首次在KTN晶体上采用溶胶‑凝胶法制备了择优度高的铁酸铋薄膜铋源为硝酸铋,铁酸铋薄膜具有高透过率,成本低,操作简单,更有利于其未来工业化应用;制备过程退火温度低,退火时间短,较大的降低了退火过程中的能耗,符合工业生产的环保方针。

    一种硫脲硫酸锌晶体的制备方法和装置

    公开(公告)号:CN114016120A

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202111326615.X

    申请日:2021-11-10

    摘要: 本发明涉及新型非线性光学晶体材料的生长制备技术领域,具体涉及一种硫脲硫酸锌晶体的制备方法和装置。制备方法包括如下步骤:制备生长液:预设溶液饱和点温度为51℃,根据硫脲硫酸锌的温度溶解度曲线计算称量硫脲硫酸锌粉体,在高于饱和点温度下溶解于蒸馏水中,得到晶体生长所需要的生长溶液,调节生长溶液的pH值;然后对生长溶液进行提纯处理;配制过饱和硫脲硫酸锌溶液,通过自然降温蒸发法,自发结晶获得小晶体作为晶体生长的籽晶;将籽晶固定在籽晶杆上,浸入生长溶液中,按照理论计算的硫脲硫酸锌晶体生长降温曲线进行晶体生长,生长一段时间后得到硫脲硫酸锌晶体;制备的晶体尺寸较大,光学质量较好。

    一种介电常数可调的钽铌酸钾陶瓷片的制备方法

    公开(公告)号:CN114014653A

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202111509668.5

    申请日:2021-12-10

    摘要: 本发明属于无机非金属材料领域,涉及人工晶体及功能陶瓷材料制备,具体涉及一种介电常数可调的钽铌酸钾陶瓷片的制备方法,将五氧化二钽、五氧化二铌和碳酸钾进行烧结预合成获得多晶料,将多晶料进行破碎研磨,再加入粘结剂进行炒蜡造粒,然后依次干压成片、加热排胶、烧结成瓷即得钽铌酸钾陶瓷片;其中,碳酸钾过量添加,烧结预合成的温度为700~800℃,烧结成瓷的烧结过程按设定温度程序进行。本发明制备的钽铌酸钾陶瓷片纯度较高、结晶良好、尺寸较大,而且具有更高的介电常数,而且能够依据需求进行调节介电常数。

    一种钽铌酸钾陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN116041061B

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202211706834.5

    申请日:2022-12-27

    IPC分类号: C04B35/495 C04B35/622

    摘要: 本发明属于无机非金属材料领域,尤其涉及一种钽铌酸钾陶瓷及其制备方法。为钠、铁共掺钽铌酸钾晶体,其化学式为Na,Cu:K1+ZTa1‑xNbxO3,其中,Nb的量为0.36≤X≤0.40,0.15≤Z≤0.3,居里点位于‑241~90℃之间,所述钽铌酸钾陶瓷在居里点以上晶体为立方相,m3m点群;在居里点以下变为四方相,4mm点群;通过引入钠、铜元素作为掺杂离子,通过确定掺杂量,选择优选配比,配合专用的制备方法,制备了高质量陶瓷,均匀性好,陶瓷质量得到大幅度提高;陶瓷漏电性能得到大幅度改善,进一步推动了KTN陶瓷的器件应用;本制备方法操作简单,成本低,大大降低了生产成本。

    一种锌、钛共掺的铁酸铋薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN115974163B

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202211661967.5

    申请日:2022-12-23

    IPC分类号: H01G4/33 C01G49/00 B82Y30/00

    摘要: 本发明属于无机功能薄膜材料技术领域,尤其涉及一种锌、钛共掺的铁酸铋薄膜及其制备方法。其化学通式为Bi(1+Z)Fe(1‑X‑Y)ZnYTiXO3,其中,X为Ti元素的摩尔当量,0.13≤X≤0.16,Y为Zn元素的摩尔当量,0.05≤Y≤0.08,元素Bi过量加入,Z为Bi以重量计的过量百分数,所述薄膜共N层,第一层至第三层中Z为5%‑10%,第四层至第N‑3层中Z为15%‑20%,第N‑2层至第N层中Z为11%‑16%;锌源为硝酸锌,铁源为硝酸铁,钛源为异丙醇钛;首次在KTN晶体上采用溶胶‑凝胶法制备了择优度高的铁酸铋薄膜铋源为硝酸铋,铁酸铋薄膜具有高透过率,成本低,操作简单,更有利于其未来工业化应用;制备过程退火温度低,退火时间短,较大的降低了退火过程中的能耗,符合工业生产的环保方针。