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公开(公告)号：CN117305839A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311273841.5
申请日：2023-09-27
申请人： 江苏德一真空科技有限公司
IPC分类号： C23C28/00 , C23C28/02 , C23C18/14 , C23C18/10 , C23C18/08 , C23C14/34 , C23C14/06 , C23C14/20 , C23C14/12 , C08J7/04
摘要： 一种复合膜层的制备方法，属于真空镀膜领域。复合膜层的制备方法包括对绝缘高分子基膜的表面进行镀膜处理，镀膜处理包括：在真空环境中，将气化的金属有机物和载流气体供给至绝缘高分子基膜从而使金属有机物附着于绝缘高分子基膜，形成金属有机物膜层，绝缘高分子基膜的表面温度小于等于60℃；采用电子束或激光扫描金属有机物膜层，以使金属有机物膜层分解并获得金属膜层；该制备方法不仅能够快速制备并获得复合膜层，且制备过程在低温进行且产生热量少，可避免因热量累积造成的热损伤，因此尤其适用于厚度较厚的金属膜层的快速制备。
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公开(公告)号：CN101294055A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810114556.8
申请日：2008-06-04
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明公开了一种雷达波吸收剂及其采用化学镀工艺的制备方法，雷达波吸收剂是由空心微球和金属镀层组成，金属镀层包覆在空心微球的表面，且金属镀层的厚度50～250nm；所述金属镀层的成分可以是单质的镍(Ni)、铁(Fe)或钴(Co)，也可以是含有10～30wt％的铁(Fe)和70～90wt％的钴(Co)复合镀层，也可以是含有10～30wt％的铁(Fe)和70～90wt％的镍(Ni)复合镀层，也可以是含有50～70wt％的镍(Ni)和30～50wt％的钴(Co)复合镀层，也可以是含有5～20wt％的铁(Fe)、20～40wt％的钴(Co)和余量的镍(Ni)复合镀层。雷达波吸收剂的相对介电常数为20～70，磁导率为1.5～2.0；雷达波吸收剂的密度2.6～3.5g/cm3。雷达波吸收剂在2～18GHz电磁波频段的最大吸收率为20dB，大于10dB的频宽为5GHz。
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公开(公告)号：CN113242860A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201980082139.6
申请日：2019-11-28
申请人： 优美科股份公司及两合公司
摘要： 本发明涉及根据通式Li[AlR4]的铝酸烷基锂以及从非质子溶剂中的LiAlH4和RLi开始制备所述铝酸烷基锂的方法。本发明还涉及可使用受权利要求书保护的方法获得的根据通式Li[AlR4]的化合物及其用途。本发明还涉及铝酸烷基锂Li[AlR4]作为用于将至少一个基团R转移到元素卤化物或金属卤化物的转移试剂的用途，以及用于将至少一个基团R转移到化合物E(X)q以便制备根据通式E(X)q‑pRp的化合物的方法，其中E＝铝、镓、铟、铊、锗、锡、铅、锑、铋、锌、镉、汞或磷，X＝卤素，q＝2、3或4，并且p＝1、2、3或4。本发明还涉及可使用这种方法获得的化合物、其用途以及在一个表面上具有铝层或含铝层的衬底。
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公开(公告)号：CN102070952A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010573616.X
申请日：2010-11-22
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： C23C18/1678 , C09D11/52 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/1204 , C23C18/52
摘要： 一种第3a族油墨，其包含以下物质作为初始组分：多胺溶剂；第3a族材料/有机络合物；以及还原剂；其中所述还原剂的摩尔浓度超过所述第3a族材料/有机络合物的摩尔浓度；所述第3a族油墨是稳定的分散体，第3a族油墨是不含肼且不含肼鎓的。还提供了制备第3a族油墨的方法，以及使用所述第3a族油墨在用于很多种半导体应用的基材上沉积第3a族材料的方法，例如VLSI技术中的硅装置的金属化、半导体III-V合金的生长、薄膜晶体管(TFT)、发光二极管(LED)；和红外检测器。
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公开(公告)号：CN1072735C
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN94193375.X
申请日：1994-07-29
申请人： 国防大臣(由国防评估和研究机构代理)
发明人： A·C·琼斯
摘要： 一种将高纯度第ⅢA族金属层沉积在基材上的方法，它包括基材与第ⅢA族金属的叔丁基化合物接触，然后使该化合物裂解，在基材上留下沉积的第ⅢA族金属。本发明的方法可用于任何适合的基材，如硅和聚酰亚胺。本发明的方法可用于第ⅢA族金属/硅合金的生长，以及用于使半导体Ⅲ-Ⅴ合金沉积，如AlGaAs、AlInAs和AlSb合金的沉积。
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公开(公告)号：CN113242860B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201980082139.6
申请日：2019-11-28
申请人： 优美科股份公司及两合公司
摘要： 本发明涉及根据通式Li[AlR4]的铝酸烷基锂以及从非质子溶剂中的LiAlH4和RLi开始制备所述铝酸烷基锂的方法。本发明还涉及可使用受权利要求书保护的方法获得的根据通式Li[AlR4]的化合物及其用途。本发明还涉及铝酸烷基锂Li[AlR4]作为用于将至少一个基团R转移到元素卤化物或金属卤化物的转移试剂的用途，以及用于将至少一个基团R转移到化合物E(X)q以便制备根据通式E(X)q‑pRp的化合物的方法，其中E＝铝、镓、铟、铊、锗、锡、铅、锑、铋、锌、镉、汞或磷，X＝卤素，q＝2、3或4，并且p＝1、2、3或4。本发
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公开(公告)号：CN116177522A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211507162.5
申请日：2022-11-29
申请人： 常州创明超电材料科技有限公司
IPC分类号： C01B32/05 , H01G11/30 , H01G11/24 , H01G11/32 , H01M4/36 , H01M4/62 , C01G3/02 , C01B3/00 , C23C18/08 , C23C18/10
摘要： 本发明涉及一种碳基复合多孔材料及其制备方法，该方法至少包括如下步骤：步骤S1：将金属M的盐溶液加入到多孔碳中，进行混合，得到混合物B；步骤S2：在惰性气体的保护下，将混合物B以第一速率a1升温至第一温度t1进行热处理，使金属盐溶液分解成金属氧化物，得到混合物C；进一步还可以包括步骤S3：在惰性气体的保护下，将混合物C以第二速率a2升温至第二温度t2进行热处理，得到金属复合多孔碳材料。采用上述方法制备的碳基复合多孔材料制备工艺简单，有效比表面积高，对储能器件的容量提升明显，可以用于超级电容电极、二次电池负极以及储氢装置中。
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公开(公告)号：CN102070952B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201010573616.X
申请日：2010-11-22
申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC分类号： C23C18/1678 , C09D11/52 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/1204 , C23C18/52
摘要： 一种第3a族油墨，其包含以下物质作为初始组分：多胺溶剂；第3a族材料/有机络合物；以及还原剂；其中所述还原剂的摩尔浓度超过所述第3a族材料/有机络合物的摩尔浓度；所述第3a族油墨是稳定的分散体，第3a族油墨是不含肼且不含肼鎓的。还提供了制备第3a族油墨的方法，以及使用所述第3a族油墨在用于很多种半导体应用的基材上沉积第3a族材料的方法，例如VLSI技术中的硅装置的金属化、半导体III-V合金的生长、薄膜晶体管(TFT)、发光二极管(LED)；和红外检测器。
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公开(公告)号：CN102713002B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201180007388.2
申请日：2011-01-26
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构 , JSR株式会社
CPC分类号： C23C18/1603 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/42 , C23C22/73 , H05K3/182 , H05K2203/0709 , H05K2203/1105 , Y10T428/12028 , Y10T428/12493 , Y10T428/1275 , Y10T428/24917
摘要： 本发明涉及图案化导电膜的形成方法，其特征在于，所述形成方法经由如下的工序：在50~120℃的温度下，使形成有铂微晶粒子构成的图案化的层的基板接触胺化合物与氢化铝的络合物。根据本发明，可提供用于无需笨重高大的装置而简便地形成能够确保与基板之间的电接合、可理想地适用于许多电子装置的图案化导电层的方法。
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