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公开(公告)号：CN118974308A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380032484.5
申请日：2023-02-14
申请人： 应用材料公司
发明人： 杨子浩 , 朱明伟 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 汪荣军 , 罗伯特·詹·维瑟 , 奈格·B·帕蒂班德拉
摘要： 本文所述的实施方式涉及制造钙钛矿膜装置的方法。该方法包括对在处理系统内的基板加热与除气；使用处理腔室内的多阴极溅射沉积在基板的表面上方沉积第一钙钛矿膜层，使用处理腔室内的多阴极溅射沉积在第一钙钛矿膜层上方沉积第二钙钛矿膜层；和对具有设置在基板上的第一钙钛矿膜层与第二钙钛矿膜层的基板退火。第一钙钛矿膜层包括第一钙钛矿材料。第二钙钛矿膜层包括第二钙钛矿材料。
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公开(公告)号：CN118950574A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411144936.1
申请日：2024-08-20
申请人： 西安航天时代精密机电有限公司
摘要： 本发明涉及石英摆片加工领域，为解决现有石英摆片清洗方法无法保证石英摆片的质量稳定性等问题，而提出一种用于提高石英摆片可靠性的加工方法，包括以下步骤：先对刻蚀后的石英摆片进行去胶处理；再加热超声波清洗剂槽和热水槽；将石英摆片先放入超声波清洗剂槽内进行超声波清洗，再放入热水槽中进行清洗，然后依次放入多道去离子水中进行清洗；将清洗后的石英摆片放入慢拉烘烤设备中进行烘干处理；将烘干处理后的石英摆片放入真空干燥箱中进行第一次时效处理；将通过第一次时效处理后的石英摆片放入真空蒸镀机中进行真空蒸镀处理；然后将石英摆片再次放入真空干燥箱中进行第二次时效处理，从而完成对石英摆片的清洗。
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公开(公告)号：CN118497675B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410979656.6
申请日：2024-07-22
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供一种劈刀涂层及其制备方法，包括以下步骤：S1对劈刀基体的表面进行清洁处理；S2对进行清洁处理后的劈刀基体进行预处理；S3在进行预处理后的劈刀基体表面形成铬元素涂层；S4在铬元素涂层上采用射频磁控溅射方法制作出微晶结构的氧化铬涂层，得到劈刀涂层；这样降低了劈刀涂层表面的粗糙度，提升了涂层与劈刀基体之间的结合力，使得劈刀的使用寿命得到了提升。
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公开(公告)号：CN118919597A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410887646.X
申请日：2024-07-03
申请人： 东莞理工学院
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/58
摘要： 本发明公开了一种紫外光电探测器及其制备方法和应用，上述紫外光电探测器包括：衬底，位于衬底的一侧的GaN层；位于GaN层背离衬底的一侧的Ga2O3层，其中，Ga2O3层是采用磁控溅射法沉积后于真空条件下进行热处理制得的。上述紫外光电探测器对紫外光响应特性好，且生产工艺简单，生产成本低。本发明还提供上述紫外光电探测器的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN118910565A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410953130.0
申请日：2024-07-16
申请人： 广东省埃森塔科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，特别是一种电子元件上金属图形的制作方法，包括先清洗电子元件的基底；然后绝缘材料通过物理气相沉积工艺在基底的上表面制备绝缘层；其次通过物理刻制工艺在绝缘层刻制金属图形，形成金属图形凹槽；接着贵金属材料通过物理气相沉积工艺填充金属图形凹槽至绝缘层的上表面，形成金属层；最后通过物理研磨工艺将金属层的上表面研磨至与绝缘层的上表面处于同一水平面，形成金属图形；使得该方法适用于各种厚度的目标金属膜层的金属图形制作，同时残留物中的贵金属主要以单质形式存在，贵金属材料的回收难度低，大大降低了电子元件的制造成本。
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公开(公告)号：CN118910550A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410968333.7
申请日：2024-07-18
申请人： 云南科威液态金属谷研发有限公司
摘要： 本发明涉及电子器件散热技术领域，尤其涉及一种复合涂层及其在提高液态金属对固体基体表面润湿性的应用。所述复合涂层包括固体基体，设置于所述固体基体表面的中间层以及设置于所述中间层表面的浸润层。本发明提供的复合涂层能显著提高液态金属与固体表面的润湿性，实现液态金属在固体表面的大面积铺展，显著降低固体表面与液态金属两界面间的接触热阻，该复合涂层具有优异的稳定性和良好的导热性能。
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公开(公告)号：CN116970950B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202310860484.6
申请日：2023-07-13
申请人： 南通麦特隆新材料科技有限公司
IPC分类号： C23C28/02 , C23C14/34 , C23C14/20 , C23C14/24 , C23C14/54 , C23C14/58 , C25D5/54 , C25D3/38 , C23C22/52 , C23C18/40 , C23C18/20
摘要： 本发明公开了一种PET铜箔及制备方法。本发明PET铜箔工艺流程为：PET膜→PVD溅射或蒸镀金属层→清洁调整→水洗→催化→水洗→还原加速→水洗→化学沉铜→水洗→酸浸活化→电镀铜→水洗→钝化→水洗→烘干；钝化处理工艺中以1‑丙基三甲氧基硅基‑3‑甲基丙烯酸丁酯脲为硅烷化试剂能够有效的成膜并均匀的覆盖在铜箔表面提高铜箔的耐腐蚀性能。不仅如此，本发明添加的椰油酸单乙醇酰胺能够有效的分散CeO2纳米颗粒，减少CeO2纳米颗粒的团聚，进一步提高铜箔的耐腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN118880252A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410856862.8
申请日：2024-06-28
申请人： 江苏偌伊纳米科技有限公司
发明人： 周云
摘要： 本发明公开了一种基于物理气相沉积法的刀具表面镀层制备工艺，包括以下步骤：步骤一，步骤一，刀具预处理；步骤二，真空环境建立；步骤三，溅射过程；步骤四，镀层沉积；步骤五，后续处理；本发明提供的基于物理气相沉积法的刀具表面镀层制备工艺，通过该工艺制备的刀具表面镀层均匀、致密、与基体结合力强，能够显著提高刀具的耐磨性、耐腐蚀性、硬度等性能，同时，该工艺还可实现多种材料、多层结构的镀层制备，满足不同加工需求，该工艺具有操作简单、镀层质量好、适用范围广等优点，在刀具表面处理领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118880242A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411371714.3
申请日：2024-09-29
申请人： 振宏重工(江苏)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种风电金属组件表面合金膜及其处理方法和应用，属于材料表面处理技术领域。合金膜包括在风电金属组件表面冶金扩散结合的TaNbW层和TiVCr层交替的多层结构。本发明通过对风电金属组件表面超声喷丸、交替溅射和分段梯度热处理三步处理，能够在风电金属组件表面形成900~1200nm厚，沿（111）晶向生长FCC结构，具有交替多层结构的TaNbW/TiVCr。本发明形成的TaNbW/TiVCr多层膜使风电金属组件表面具有耐环境腐蚀特性，高硬度、强耐磨特性和优异的抗变形能力，使风电金属组件整体的抗变形能力显著提升。
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公开(公告)号：CN118854240A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410924593.4
申请日：2024-07-11
申请人： 中国科学院兰州化学物理研究所
摘要： 本发明提供了一种纳米多层Cr2AlC MAX相陶瓷涂层及其制备方法，属于陶瓷涂层技术领域。本发明采用直流磁控溅射技术，以金属Cr靶作为靶材，在基底表面沉积形成Cr过渡层；在所述Cr过渡层的表面同时沉积Cr和C，得到Cr‑C中间层；在所述Cr‑C中间层的表面沉积形成由Cr层、C层和Al层组成的依次累积的重复单元，按照上述顺序重复沉积，形成Cr‑Al‑C涂层；将所沉积的复合涂层进行真空热处理，自然冷却至室温，获得Cr2AlC MAX相陶瓷涂层。本发明构建了Cr‑Al‑C复合多层体系，所提供的MAX相涂层工艺的沉积温度低，在真空环境中经较短时间热处理即可获得Cr2AlC涂层，同时制备的MAX相涂层具有高纯度、高硬度、成分均匀、结构致密等优点。
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