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公开(公告)号：CN118738195A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410738278.2
申请日：2024-06-07
申请人： 东莞理工学院
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种宽波段MSM型紫外探测器及其制作方法和应用，属于半导体光电器件技术领域。本发明提供的宽波段MSM型紫外探测器包括异质结；所述异质结包括叠加设置的GaN层、石墨烯层和Ga2O3层；所述石墨烯层的厚度为0.34～1.34nm。本发明提供的宽波段MSM型紫外探测器，能够有效提高基于Ga2O3/GaN异质结的MSM型紫外探测器的光电流强度和响应度。本发明还提供了上述宽波段MSM型紫外探测器的制作方法和应用。
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公开(公告)号：CN118748222A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410738274.4
申请日：2024-06-07
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/101
摘要： 本发明公开了一种Si基GaN紫外探测器的制备方法及其应用，属于半导体光电器件技术领域。本发明提供的制备方法包括以下步骤：S1.依次在Si基衬底表面设置AlN缓冲层和AlGaN缓冲层；S2.在所述AlGaN缓冲层表面设置GaN层，并于1000～1100℃真空退火；S3.在所述GaN层表面设置电极。本发明提供的制备方法，能够有效提高Si基GaN紫外探测器的光电流和响应度。本发明还提供了上述制备方法的应用。
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公开(公告)号：CN118919597A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410887646.X
申请日：2024-07-03
申请人： 东莞理工学院
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/58
摘要： 本发明公开了一种紫外光电探测器及其制备方法和应用，上述紫外光电探测器包括：衬底，位于衬底的一侧的GaN层；位于GaN层背离衬底的一侧的Ga2O3层，其中，Ga2O3层是采用磁控溅射法沉积后于真空条件下进行热处理制得的。上述紫外光电探测器对紫外光响应特性好，且生产工艺简单，生产成本低。本发明还提供上述紫外光电探测器的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN118738194A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410738264.0
申请日：2024-06-07
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种GaN基MSM型紫外探测器及其制备方法和应用，属于半导体光电探测器技术领域。本发明提供的GaN基MSM型紫外探测器，包括叠加设置的衬底、缓冲单元、GaN活性层和叉指电极；所述叉指电极的材质为Mo。本发明提供的GaN基MSM型紫外探测器，能够有效提高光生电流强度，进而提升光电性能。本发明还提供了上述GaN基MSM型紫外探测器的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN118521564A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410809562.4
申请日：2024-06-21
申请人： 东莞理工学院
IPC分类号： G06T7/00 , G06T7/13 , G06T7/40 , G06T7/60 , G06T7/70 , G06T7/80 , G06V10/141 , H01L21/66 , G01N21/956 , G01N21/88 , G01N21/95
摘要： 本发明提供电路板缺陷检测系统及方法，分别在第一照明条件和第二照明条件下对电路板进行机器视觉拍摄和识别，得到电路板表面的第一与第二对位标记特征信息以及晶圆部分的缺陷状态信息和布线状态特征信息，通过不同照明条件能够对晶圆和布线存在的缺陷进行精确区分化识别，利用第一与第二对位标记特征信息来对晶圆部分的缺陷状态信息和布线状态特征信息进行相同区域方位对比，将电路板晶圆部分和布线部分存在的缺陷进行关联识别，以此识别影响电路板正常工作性能的缺陷坏点信息，为判断电路板的品质状态提供可靠依据，通过对电路板在晶圆和布线焊点上存在缺陷的识别，对电路板进行整体化多样化的缺陷检测，实现对电路板可靠的性能质量筛选。
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