公开(公告)号：CN118919597A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410887646.X

申请日：2024-07-03

申请人： 东莞理工学院

发明人： 李媛 ,  肖凯中 ,  梅增霞 ,  梁会力

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

摘要： 本发明公开了一种紫外光电探测器及其制备方法和应用，上述紫外光电探测器包括：衬底，位于衬底的一侧的GaN层；位于GaN层背离衬底的一侧的Ga2O3层，其中，Ga2O3层是采用磁控溅射法沉积后于真空条件下进行热处理制得的。上述紫外光电探测器对紫外光响应特性好，且生产工艺简单，生产成本低。本发明还提供上述紫外光电探测器的制备方法和应用。

公开(公告)号：CN118738194A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410738264.0

申请日：2024-06-07

申请人： 东莞理工学院 ,  松山湖材料实验室

发明人： 李媛 ,  张朝荣 ,  梅增霞 ,  梁会力

IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种GaN基MSM型紫外探测器及其制备方法和应用，属于半导体光电探测器技术领域。本发明提供的GaN基MSM型紫外探测器，包括叠加设置的衬底、缓冲单元、GaN活性层和叉指电极；所述叉指电极的材质为Mo。本发明提供的GaN基MSM型紫外探测器，能够有效提高光生电流强度，进而提升光电性能。本发明还提供了上述GaN基MSM型紫外探测器的制备方法和应用。

公开(公告)号：CN118748222A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410738274.4

申请日：2024-06-07

申请人： 东莞理工学院 ,  松山湖材料实验室

发明人： 李媛 ,  陈楷 ,  梅增霞 ,  梁会力

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/101

摘要： 本发明公开了一种Si基GaN紫外探测器的制备方法及其应用，属于半导体光电器件技术领域。本发明提供的制备方法包括以下步骤：S1.依次在Si基衬底表面设置AlN缓冲层和AlGaN缓冲层；S2.在所述AlGaN缓冲层表面设置GaN层，并于1000～1100℃真空退火；S3.在所述GaN层表面设置电极。本发明提供的制备方法，能够有效提高Si基GaN紫外探测器的光电流和响应度。本发明还提供了上述制备方法的应用。