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公开(公告)号：CN118979223A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411077397.4
申请日：2024-08-07
申请人： 国科大杭州高等研究院
摘要： 本发明公开了一种CrSi电阻薄膜的制备方法、飞秒激光等离子通道退火装置和近红外飞秒激光诱导背面去除装置，该CrSi电阻薄膜的制备方法包括在氧化硅片衬底上镀制铬硅镍钼金属薄膜；采用近红外飞秒激光诱导背面去除选定区域的铬硅镍钼金属薄膜；在铬硅镍钼金属薄膜上形成铝铜合金电极；采用飞秒激光等离子通道退火技术热处理步骤S3的铬硅镍钼金属薄膜；在热处理后的铬硅镍钼金属薄膜上图案化PI钝化层。该制备方法制备得到的CrSi电阻薄膜边缘粗糙度较低，薄膜电阻的精度和稳定性较高。
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公开(公告)号：CN118908591A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411084247.6
申请日：2024-08-08
申请人： 广东交通职业技术学院
摘要： 本发明提供一种银基复合透明导电薄膜及其制备方法，清洗透明基底并放入已装好银靶材、金属靶材以及氧化物靶材的磁控溅射腔体中；在透明基底上依次溅射形成第一层透明氧化物层、岛状超薄银层、金属层（将岛状银层连接）、第二层透明氧化物层。其中对导电性能其关键作用的为超薄银薄膜和金属薄膜，利用沉积的金属层将孤立的银岛连接，从而降低表面粗糙度，使方阻下降。同时在超薄银薄膜/金属薄膜界面，由于银与所沉积金属间的折射率差异，还可形形成干涉效应，从而降低光的反射，使透光率增加。超薄银薄膜和金属薄膜沉积相对独立，因此工艺参数灵活多变。
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公开(公告)号：CN118895435A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411112729.8
申请日：2024-08-14
申请人： 苏州哈腾科技有限公司
IPC分类号： C22C1/05 , C22C26/00 , C22C21/00 , B22F1/18 , B22F3/105 , B22F3/14 , C23C14/35 , C23C14/22 , C23C14/18 , H01L23/373
摘要： 本发明涉及金属基复合材料技术领域，且公开了一种铝基金刚石复合材料及其制备方法，具体包括：通过对铝金刚石复合材料的配方进行优化和改进，来调节铝基金刚石的热膨胀系数，并采用不同的金刚石颗粒级配，确保产品的致密程度；采用磁控溅射法对金刚石粉表面进行W/Re/Ir金属镀膜，提高金刚石粉的导电性和导热性，增强与铝基材料的粘附力；此外结合独特的快速热压烧结技术设计了铝金刚石复合材料的制备工艺，在烧结过程中引入直流电场辅助烧结，使材料的强度、刚度及耐腐蚀寿命得到明显改善；本发明制备的铝金刚石复合材料性能优良、寿命持久，可满足当代封装材料对于高散热、高强度的要求。
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公开(公告)号：CN118866991A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410682633.9
申请日：2024-05-29
申请人： 中建材光电装备(太仓)有限公司 , 中国建材集团有限公司 , 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/54 , H01L31/032 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种薄膜太阳能电池金属预制层、生产装置及使用方法，属于薄膜太阳能电池技术领域。该金属预制层包括设置于导电衬底的基板上的铜钠合金层，以及在铜钠合金层上设有依次交替设置两层或两层以上的铜镓合金层和金属铟层；这样交替层叠的膜结构使所对应生产装置中的磁控溅射靶材简单化，相对于铜铟镓三元合金靶材，铜镓二元合金靶制作简单，靶材中铜镓原子比容易稳定控制，通过磁控溅射技术溅射得到的铜镓膜层结构稳定、均匀性好，铟靶是纯金属靶，制备简单；另外将钠直接引入到铜靶中，钠含量可控，可以根据铜铟镓硒薄膜太阳能电池要求调节钠含量，在导电衬底基板上直接沉积铜钠合金层，更加有益于钠在后续铜铟镓预制层的硒化过程。
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公开(公告)号：CN115728850B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110979363.4
申请日：2021-08-25
申请人： 比亚迪股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种单向透视膜，包括依次设置的第一五氧化二铌层、第一氧化硅层、吸收层、第二五氧化二铌层和第二氧化硅层，吸收层的厚度为8nm‑20nm。该单向透视膜生产成本较低，且性能稳定，具有良好的单面透视效果，并且该单向透视膜颜色多样，符合市场化需求。本申请还提供了一种单面镜及其制备方法和电子设备。
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公开(公告)号：CN118835200A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410842395.3
申请日：2024-06-27
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体是一种低热膨胀系数覆铝陶瓷衬板的制备方法。本发明的特点在于，通过真空微蒸发镀工艺对金刚石微粉进行金属化，得到金属化金刚石微粉。将金属化金刚石微粉和纯铝粉混合，通过冷喷工艺处理，在双面覆铝陶瓷衬板上形成铝金刚石复合层。将处理后的双面覆铝陶瓷衬板先进行预处理，再进行表面镀镍，形成一种表面镀层‑铝金刚石复合层‑双面覆铝陶瓷衬板‑铝金刚石复合层‑表面镀层的结构。本发明制备得到的成品与芯片的热膨胀系数具有良好的匹配性，同时具有良好的热导率；因此该成品具有良好的可靠性和热循环性能。
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公开(公告)号：CN118835198A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410882937.X
申请日：2024-07-03
申请人： 佛山市晶玻科技有限公司
摘要： 本发明涉及真空镀膜领域，具体涉及一种曲面玻璃双层镀膜的工艺方法、设备及产品，工艺方法包括预处理、镀铌膜、过渡步骤、镀铬膜和后处理。双层镀膜设备包括上下两层，上层由依次连接的前粗抽室、前精抽一室、前精抽二室、前缓冲精抽室、铌靶镀膜室、过渡室、铬靶镀膜室、后缓冲室、后精抽室、后粗抽室组成；下层由上料台、下料台和传送滚轮组成。曲面玻璃产品使用双层镀膜的工艺方法制备而成。本发明只需两种材质的膜层就可以实现所需的工艺，膜层搭配数量少，工艺流程简单化，有利于降低制造成本；能够一次性完成双层镀膜的制备，提高生产效率，减少对曲面玻璃的重复操作，避免造成品质的损失。
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公开(公告)号：CN118795736A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310417429.X
申请日：2023-04-11
申请人： 深圳芯瑞光科技有限公司
摘要： 本申请公开一种光学窗口的制作方法和光学装置，包括：获取待镀覆金属的基板；在基板的一表面上涂覆光刻胶层，通过掩膜板对光刻胶层进行光刻，形成涂覆光刻胶层的非镀金属区域，其中掩膜板的图形与镀金属区域对应设置；对基板的一表面镀覆金属，形成金属层；去除光刻胶层以及位于非镀金属区域内的金属层，形成镀覆金属层的镀金属区域；非镀金属区域包括位于相邻的两个镀金属区域之间的预留切割道，基于预留切割道将基板切割为多个光学窗口。基于上述方式，通过光刻在基板上形成涂覆光刻胶层的非镀金属区域，镀覆金属后将光刻胶层和其表面的金属层去除，最后将基板切割为多个光学窗口，可以提高镀覆金属的效率，提高镀覆精度的一致性。
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公开(公告)号：CN118773542A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410759602.9
申请日：2024-06-13
申请人： 西南科技大学
摘要： 本发明公开了一种m＝2的非周期Ni/Ti中子超镜多层膜的制备方法，使用离子束刻蚀对SiO2基片进行100s的刻蚀前处理，得预处理基片；在预处理基片上，于纯Ar气氛中溅射Ti层；在N2和Ar气氛中溅射Ni层；重复制备以上Ti层和NiNx层各120次，得到m＝2的非周期Ni/Ti中子超镜多层膜。本发明提供的非周期Ni/Ti中子超镜多层膜制备方法可得到m＝2的膜质量较好的中子超镜多层膜，该多层膜晶粒尺寸较小，成膜质量较优，表面粗糙度小。本发明提供的制备方法得到的非周期Ni/Ti中子超镜，比纯Ar制备的Ni/Ti中子超镜在大q区反射率更高。
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公开(公告)号：CN117778978B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410019972.9
申请日：2024-01-06
申请人： 山东高特威尔电子科技有限公司
发明人： 陈佳明
摘要： 本发明涉及应用于陶瓷基板镀膜技术领域的一种基于磁控溅射技术的陶瓷基板制造方法，通过双层靶材的设置，自带隐藏式的备用靶材，当溅射过程中需要更换时，无需开启镀膜机，通过速换机构可在镀膜机关闭的情况自动对外显靶片和内隐靶片进行快速换位，达到无需中断溅射过程，或者仅需中断很少的时间即可实现对靶材的更换，达到提高效率的效果，相较于现有技术，无需重新营造氩气气氛，既能有效降低对氩气的浪费，同时大幅度降低对陶瓷基板镀金属膜效率的影响；另外配合靶材监控组件的设置，可对双层靶材进行监控，便于及时进行外显靶片和内隐靶片的换位，进而有效维持陶瓷基板镀膜的高效进行。
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