一种Ta-W-Hf-Re-C合金及其棒材的制备方法

    公开(公告)号:CN114836665B

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210534026.9

    申请日:2022-05-17

    摘要: 本发明公开了一种Ta‑W‑Hf‑Re‑C合金,由以下质量百分含量的元素组成:W 6%~8%,Hf 3%~5%,Re 0.8%~0.9%,C 0.3%~2%,余量为Ta和不可避免的杂质;本发明还公开了Ta‑W‑Hf‑Re‑C合金的棒材的制备方法,该方法包括:一、原料粉末混匀后模压;二、真空高温烧结;三、真空电子束熔炼;四、模锻。本发明通过添加Hf形成稳定的氧化物,提高了合金的耐腐蚀性、高温及加工性能,通过添加Re和C提高了合金的蠕变强度,使得合金适用于在超高温、超高压等极端环境下工作;本发明的制备方法促进了合金均质化,避免了Hf元素的大量挥发,保证了Ta‑W‑Hf‑Re‑C合金的棒材的性能。

    阴极材料及制备方法、等离子体炬阴极及制备方法

    公开(公告)号:CN112481538A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN201910865823.3

    申请日:2019-09-12

    摘要: 本发明涉及一种阴极材料,该阴极材料包括原料铪和稀土氧化物,其中,稀土氧化物的质量小于原料铪和稀土氧化物总质量的35%。该阴极材料是一种稀土氧化物复合铪阴极,可用于制作电子元器件的阴极,例如制作等离子体炬的阴极,以及磁控管的阴极。由于稀土氧化物的电子逸出功低,当其均匀的分布在铪基体材料中时,在该阴极材料制作的等离子体炬阴极运行过程中,稀土氧化物中原子向阴极材料表面扩散迁移,使电子更容易发射出;同时,在电场和热的双重作用下,达到稳定等离子电弧的作用,减少了阴极材料的局部过快烧蚀,实现阴极寿命的提升。本发明还公开一种阴极材料制备方法,以及一种等离子体炬阴极及制备方法。

    一种Ag-Zr-Zn中间合金及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111020248A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911215288.3

    申请日:2019-12-02

    摘要: 本发明涉及一种Ag-Zr-Zn中间合金及其制备方法和应用,属于铸造有色合金技术领域,特别涉及一种高度合金化低熔点镁合金用含锆中间合金及其制备方法,所述高度合金化含锆中间合金是指含锆中间合金的锆质量含量不低于30%,低熔点是指含锆中间合金在镁熔体中熔点不高于790℃。采用本发明高度合金化低熔点含锆中间合金作为Zr添加来源加入镁合金中减少了Zr元素在熔炼过程中的烧损,同时Zr元素在基体中更为分散,从而起到更好的细化晶粒作用,有效改善了镁合金的强韧化水平。

    铼元素的沉淀方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109868403A

    公开(公告)日:2019-06-11

    申请号:CN201910199925.6

    申请日:2019-03-15

    IPC分类号: C22C27/00 C22B3/44

    摘要: 本发明提供了一种铼元素的沉淀方法。该沉淀方法包括:将含铼溶液的pH调至7~10,得到待处理液;将待处理液与硫化试剂进行硫化反应,得到含硫溶液;将含硫溶液与含铜试剂进行共沉淀反应,得到含铼铜沉淀。上述沉淀方法没有有毒有害气体产生(如硫化氢),且操作环境好。同时由于铼元素具有亲硫特性,这使得上述硫化反应具有较高的选择性。然后采用含铜试剂与含硫溶液进行共沉淀反应使铼元素发生沉淀。因而本申请提供的沉淀方法对铼元素的去除率和回收率高,而且反应过程中没有使用特效试剂,工艺成本被大幅降低。在此基础上,本申请提供的铼元素的沉淀方法具有无毒无害、环保性好、成本低、铼元素沉淀彻底及回收率高等优点。