公开(公告)号：CN114311744B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202111582524.2

申请日：2021-12-22

申请人： 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司

发明人： 苏海龙 ,  李仁意 ,  史思涛 ,  付志强 ,  吕雉 ,  姜伟光 ,  王鹏 ,  康志杰

IPC分类号： B29C70/34 ,  B29C70/54 ,  B29C33/42 ,  C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种曲面窄腔回转体模具及其制备曲面窄腔回转体零件的方法，解决现有的制备方法中，将拆分的零件铆接导致铆接处接触间隙大及整体强度低的技术问题。该模具包括内模单元和由下外模组件和上外模组件构成的外模单元；内模单元的上内模、下内模及内模侧边的外侧面缠绕所需层数的碳纤维布；下外模组件和上外模组件与内模单元相匹配。该方法包括：1、内模单元合模；2、在内模单元的外侧面铺层缠绕碳纤维布，制备厚度H1预制体；3、在相应的位置铺设所需层数的碳纤维布，制备出厚度H2预制体；4、在预制体上，进行对穿缝制；5、将外模单元与内模单元合模；6、成型和致密化处理后，拆除模具得到毛坯；7、将毛坯加工即可。

公开(公告)号：CN112341213A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011347663.2

申请日：2020-11-26

申请人： 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司

发明人： 王鹏 ,  张少博 ,  张海昇 ,  张晰 ,  姜伟光 ,  李建章

IPC分类号： C04B35/65 ,  C04B35/622 ,  F27B14/04

摘要： 本发明涉及一种小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件熔融渗硅方法。解决对于小尺寸圆截面陶瓷基复合材料零构件LSI工艺制备过程存在的易产生内外密度梯度差、构件密度均匀差、易变形及底部液硅易堆积、粘接等问题。主要包括制备熔融渗硅工装、加工小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件半成品及制备小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件的步骤，本发明在小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件半成品内型内填充满SiC砂粒，同时，在小尺寸圆截面陶瓷基复合材料构件半成品外壁与第一坩埚单元内壁之间的间隙即料粉装填区装填料粉；内外部双面熔融渗透，有效提高改性均匀性。

公开(公告)号：CN110983233A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911358324.1

申请日：2019-12-25

申请人： 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司

发明人： 张晰 ,  李建章 ,  王鹏 ,  张海昇 ,  马文科 ,  成来飞

IPC分类号： C23C4/134 ,  C23C4/04

摘要： 本发明涉及一种环境屏障涂层，具体涉及一种多层结构稀土硅酸盐环境屏障涂层及其制备方法，以解决现有技术中存在的涂层材料与基体材料热匹配差、抗热震性能差，在高温条件下易发生开裂、剥落的问题。该涂层底层为硅层，中间层为莫来石层，顶层为稀土硅酸盐复合层，稀土硅酸盐复合层的层数为3-10层，稀土硅酸盐复合层中的稀土硅酸盐包括稀土单硅酸盐和稀土双硅酸盐，自与莫来石层相邻的起始层至远离莫来石层方向，稀土双硅酸盐含量逐层线性递增，且相邻两层增幅不超过稀土硅酸盐总含量的20％，稀土单硅酸盐含量相应逐层线性递减，底层厚度为10-150μm，中间层厚度为10-300μm，顶层厚度为10-300μm，涂层总厚度≥100μm。采用对基体进等离子喷涂的方法可制得该涂层。

公开(公告)号：CN107879756B

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201711132310.9

申请日：2017-11-15

申请人： 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司

发明人： 冯锋 ,  左新章 ,  李建章 ,  王义洪 ,  王鹏 ,  成来飞 ,  刘梦珠

IPC分类号： C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C30B25/00 ,  C30B29/18 ,  C30B29/62

摘要： 本发明具体涉及一种在碳陶复合材料内部在线原位制备氧化硅晶须的方法，主要解决了现有方法制备纳米二氧化硅所需的环境温度高、需要有加热过程、反应气体流量大、不适合在陶瓷基复合材料内部反应的问题。方法包括以下步骤：1)将碳化硅陶瓷基复合材料放入化学气相沉积炉内，炉内温度在900～1100℃；2)将制备碳化硅陶瓷基体的先驱体气体与空气的混合气体引入沉积炉内发生反应；3)陶瓷基复合材料内部在线原位形成氧化硅晶须。本发明方法所需环境温度低、反应气体流量小，可有效降低成本。

公开(公告)号：CN108299002A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810147071.2

申请日：2018-02-12

申请人： 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司

发明人： 卞光煜 ,  李建章 ,  王鹏 ,  姜伟光 ,  董玉婷 ,  成来飞

IPC分类号： C04B35/83 ,  C04B35/84 ,  C04B41/87 ,  F16D65/12

摘要： 本发明具体涉及一种带有碳化硅摩擦功能层C/C-SiC通风刹车盘的制备工艺。该工艺不仅步骤简单、适用于大批量生产，同时在刹车盘摩擦功能层内部是由气相渗硅改性制备的碳陶复合材料，形成摩擦梯度层；并且使用特殊的工艺方案使得表面为纯陶瓷结构，大大优化了刹车盘的使用温度和耐磨效果。该工艺的具体步骤是：1)制备带通孔的碳碳刹车盘胚体；2)在碳碳刹车盘胚体表面涂上氮化硼浆料脱模剂，然后在1600-1800℃进行气相渗硅，所述气相渗硅为硅蒸汽与碳碳胚体反应生成碳化硅，得到碳陶复合材料，作为摩擦梯度层，制备出碳陶刹车盘胚体；3)在碳陶刹车盘胚体表面通过CVI工艺沉积一层纯碳化硅，形成摩擦功能层。

公开(公告)号：CN112501588B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202011225140.0

申请日：2020-11-05

申请人： 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司

发明人： 张海昇 ,  李建章 ,  王鹏 ,  成来飞

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/32

摘要： 本发明提供一种SiC涂层制备方法，具体涉及一种进气分布器及利用其在大型筒体构件上制备均匀SiC涂层的方法。解决采用现有化学气相沉积法(CVD)无法在直径为1000mm左右、高度大于500mm的大型筒体构件上制备均匀SiC涂层的问题。进气分布器包括进气混气块、进气导流板及进气分布板；制备SiC涂层时，首先将进气分布器安装在炉体内，之后安装大型筒体构件并通气，进行SiC涂层沉积；进气分布器，可将三路进气按比例混和均匀并可导向输送至大型筒体内外壁的正上方，避免了反应气体沿炉膛中轴线直进直出造成的浪费，极大提高SiC涂层的沉积效率，保障SiC涂层的沉积均匀性。

公开(公告)号：CN114292119B

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN202111600114.6

申请日：2021-12-24

申请人： 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司

发明人： 李仁意 ,  张杰 ,  苏海龙 ,  马尊强 ,  张少博 ,  吕雉 ,  史思涛 ,  康志杰 ,  姜伟光 ,  王鹏

IPC分类号： C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种陶瓷基复合材料构件，连续纤维增强陶瓷基复合材料剪力套管及其制备使用方法。克服平板制备的SiC陶瓷复合材料连接件因长度方向连续纤维较少导致剪切性能受限的问题。剪力套管制备方法包括制作圆柱体状芯模、制备管状预制体、制备具有碳界面层的管状预制体、制备C/SiC管状预制体、加工及对加工后的预制体继续进行CVI碳化硅基体沉积。使用时，将剪力套管套在SiC陶瓷复合材料连接件上，可提升构件在此连接件区域的抗剪切性能，同时，该剪力套管制备工艺简单，加工成本低。

公开(公告)号：CN115181959A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202210707071.X

申请日：2022-06-21

申请人： 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司

发明人： 张少博 ,  宋海龙 ,  康志杰 ,  马文科 ,  李仁意 ,  张建平 ,  王鹏 ,  付志强 ,  吴亚明 ,  许建锋

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C04B41/85

摘要： 本发明提供了一种大型薄壁陶瓷基复合材料件加工沉积工装及加工方法和使用方法，解决了大型薄壁陶瓷基复合材料件在加工沉积过程中限位不牢靠、控制精度差等问题。本发明中加工沉积工装包括两个形状、结构相同的石墨模具，石墨模具上设有多个缝制孔；所述缝制孔分为柱形孔和两段孔，缝制孔中的5％～8％为两段孔，靠近石墨模具型面体外表面一端为锥形孔，远离石墨模具型面体外表面一端为柱形孔；每个锥形孔内可对应放置一个石墨支撑稍，所述石墨支撑稍的尾部为锥形体，位于锥形孔内，形状与锥形孔的形状相适配，石墨支撑稍头部伸出锥形孔的外部，形状为球面体；所述锥形体的锥面线与球面体的球面相切。同时本发明还提供了上述工装的加工方法和使用方法。

公开(公告)号：CN114874031A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210501731.9

申请日：2022-05-09

申请人： 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司

发明人： 张少博 ,  张杰 ,  马文科 ,  宋海龙 ,  王鹏 ,  张建平 ,  康志杰 ,  张伟强 ,  吕雉 ,  付志强 ,  许建锋 ,  吴亚明

IPC分类号： C04B41/89

摘要： 本发明涉及一种螺纹加工方法，具体涉及一种陶瓷基复材螺纹加工方法。解决了现有陶瓷基复材螺纹加工方法，存在螺纹质量差、螺纹加工质量稳定性差、螺纹寿命低等技术问题。本发明螺纹加工方法，包括以下步骤：1)按照一定质量比称取松香、明矾、碳化硼粉；2)将松香、明矾加入到容器中，加热至两者完全融化后，再加入氮化硼粉，加热至呈粘稠状胶液；3)对陶瓷基复材零件进行抛光、清洗、烘干；4)对待加工螺纹部位进行涂刷胶液；5)胶液固化后进行螺纹加工；6)高温处理螺纹加工完成的陶瓷基复材零件，去除胶液；7)对陶瓷基复材零件表面进行碳化硅涂层沉积，得到完全加工好的陶瓷基复材零件。

公开(公告)号：CN114850799A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210565004.9

申请日：2022-05-23

申请人： 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司

发明人： 马文科 ,  张少博 ,  宋海龙 ,  许建锋 ,  康志杰 ,  陈旭 ,  张伟强 ,  王鹏 ,  张建平 ,  付志强 ,  吴亚明

IPC分类号： B23P15/00 ,  B23Q3/06

摘要： 本发明涉及一种用于航空发动机涡轮外环的加工工装，具体涉及一种陶瓷基复合材料涡轮外环加工工装及加工方法。解决了现有SiCf/SiC陶瓷基复合材料涡轮外环采用单件机械加工，存在零件加工基准与装配基准、设计基准不统一，难以满足涡轮外环构件产品的装配精度要求的技术问题。本发明加工工装包括底座、支撑环和压板；底座中部设置有用于卡入第二卡槽内的第二卡槽凸台；支撑环的外侧面用于与待加工涡轮外环底板的内侧面接触；支撑环固定连接在底座上端面；压板上部沿径向依次设置有压板台阶和用于卡入第一卡槽内的第一卡槽凸台；压板台阶的台阶面与支撑环的上端面固定连接；压板的内壁面用于与第一卡槽外壁和第二卡槽外壁的外型面相接触。