公开(公告)号：CN114127328A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080049429.3

申请日：2020-06-26

Applicant: 株式会社古屋金属

Inventor： 丸子智弘 ,  鈴木雄 ,  大友将平 ,  中村紘暢

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  B22F5/00 ,  B22F5/12

Abstract: 本发明的目的在于提供一种溅镀靶材，在溅镀靶材中作为杂质的氯元素的混入得到抑制，且使用该溅镀靶材形成薄膜时能够抑制因氯所导致的异常放电的发生，而形成配向性良好的薄膜。本发明的溅镀靶材的特征在于：包含铝且还包含稀土类元素及钛族元素中任一种或两种，且氯的含量为100ppm以下。

公开(公告)号：CN114127329A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080050071.6

申请日：2020-06-26

Applicant: 株式会社古屋金属

Inventor： 丸子智弘 ,  鈴木雄 ,  大友将平 ,  中村紘暢

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  B22F5/12 ,  B22F5/00 ,  C23C14/16

Abstract: 本发明的目的在于提供一种导电性得到提高，例如在使用DC溅镀装置成膜时使生产性提高的溅镀靶材。本发明的溅镀靶材的特征在于：在铝母相中以10～70mol％的含量存在以下材料或相，即，(1)包含铝且还包含稀土类元素及钛族元素中任一种或两种的材料或相、或者(2)包含稀土类元素及钛族元素中任一种或两种的材料或相。

公开(公告)号：CN114127329B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202080050071.6

申请日：2020-06-26

Applicant: 株式会社古屋金属

Inventor： 丸子智弘 ,  鈴木雄 ,  大友将平 ,  中村紘暢

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  B22F5/12 ,  B22F5/00 ,  C23C14/16

Abstract: 本发明的目的在于提供一种导电性得到提高，例如在使用DC溅镀装置成膜时使生产性提高的溅镀靶材。本发明的溅镀靶材的特征在于：在铝母相中以10～70mol％的含量存在以下材料或相，即，(1)包含铝且还包含稀土类元素及钛族元素中任一种或两种的材料或相、或者(2)包含稀土类元素及钛族元素中任一种或两种的材料或相。

公开(公告)号：CN114127330A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080050074.X

申请日：2020-06-26

Applicant: 株式会社古屋金属

Inventor： 丸子智弘 ,  鈴木雄 ,  大友将平 ,  中村紘暢

IPC: C23C14/34 ,  C22C21/00 ,  C22C28/00 ,  C22C14/00 ,  C22C16/00 ,  C22C27/00 ,  C22C30/00 ,  C22C1/04

Abstract: 本发明的目的在于提供一种溅镀靶材，在溅镀靶材中作为杂质的氟元素的混入得到抑制，且使用该溅镀靶材形成薄膜时能够抑制因氟所导致的异常放电的发生，而形成配向性良好的薄膜。本发明的溅镀靶材的特征在于：包含铝且还包含稀土类元素及钛族元素中任一种或两种，且氟的含量为100ppm以下。