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公开(公告)号：CN115517551B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202211144459.X
申请日：2022-09-20
申请人： 武汉苏泊尔炊具有限公司
发明人： 瞿义生
摘要： 提供了一种陶瓷炊具及其制备方法，所述陶瓷炊具包括：陶瓷基体；铝层，设置在陶瓷基体的至少部分内表面上，其中，所述铝层的厚度在20μm‑100μm的范围内；复合层，在陶瓷基体上覆盖所述铝层，所述复合层包括耐火材料及助溶剂。根据本发明构思的陶瓷炊具具有良好的导磁性、优异的抗震性及长的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118851804A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310477815.8
申请日：2023-04-28
申请人： 同欣电子工业股份有限公司
IPC分类号： C04B41/90
摘要： 本申请公开一种多层式复合陶瓷基板，其包含一氮化物陶瓷核心层、分别形成于氮化物陶瓷核心层相反两侧的两个复合层及分别形成于两个复合层的两个陶瓷披覆层。每个陶瓷披覆层涂布于相对应复合层、并共同与氮化物陶瓷核心层烧结固定。每个陶瓷披覆层与氮化物陶瓷核心层为不同材质(或是分别为具有不同结晶结构的相同材质)，并且每个复合层的材质包含其所连接的陶瓷披覆层的材质及氮化物陶瓷的材质。两个陶瓷披覆层与两个复合层的厚度总和不大于氮化物陶瓷核心层的厚度。據此，多层式复合陶瓷基板通过特定层状架构，以具备有复合性能，进而扩展其应用范围并符合更多元的要求。
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公开(公告)号：CN117567161B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202311624716.4
申请日：2023-11-30
申请人： 东莞市众力纳米陶瓷科技有限公司
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/80 , C04B41/90
摘要： 本发明涉及耐磨陶瓷材料的制备技术领域，具体地说是一种高耐磨气阀片陶瓷材料的制备方法，一种高耐磨气阀片陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：高韧氮化硅陶瓷基片的制备；微弧氧化电解液的调配；高韧氮化硅陶瓷基片镀铝后微弧氧化镀陶瓷层；耐磨陶瓷片的热处理及抛光。本发明通过制备一种高韧性的氮化硅陶瓷基片，进行清洗后，在清洁陶瓷基片表面镀上一层薄且致密的铸铝合金层，再通过微弧氧化技术在镀铸铝合金的陶瓷基片表面镀上一层高耐磨的陶瓷层，在微弧氧化电镀的过程中，薄且致密的铸铝合金层迅速的进行熔融与快速冷却的循环过程，并不断地对电解液中的离子进行融合，使高耐磨陶瓷层更加致密，提高了高耐磨陶瓷层的耐磨性。
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公开(公告)号：CN118652140A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410674396.1
申请日：2024-05-28
申请人： 新化县佳和精密陶瓷有限公司
发明人： 刘佳新
IPC分类号： C04B41/90 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及陶瓷金属化技术领域，具体为一种陶瓷元器件的金属化方法，具体是对陶瓷元器件的表面进行预处理后，依次沉积碳氮化钛层、氮化钛层和金属层后清洗、烘干即可，本发明提供的方法所制备的金属层与陶瓷基体间的结合性能良好，而且还具有优异的抗热震性能。
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公开(公告)号：CN118619715A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410674473.3
申请日：2024-05-28
申请人： 新化县佳和精密陶瓷有限公司
发明人： 刘佳新
摘要： 本发明涉及陶瓷金属化技术领域，具体为一种陶瓷复合管及其制备方法，包括氧化铝陶瓷管体和金属薄膜，所述金属薄膜位于所述氧化铝陶瓷管体的两端面，所述氧化铝陶瓷管体和金属薄膜之间还设有钙钛矿膜层，本发明所制备的陶瓷复合管的各项性能良好，在温差较大环境下仍有较长的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118291936B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410383931.8
申请日：2024-04-01
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/18 , C23C28/02 , H01S5/024 , C25D3/38 , C25D5/52 , C25D5/10 , C25D5/02 , C25D5/16 , C25D9/04 , C04B41/90
摘要： 本发明涉及热沉基板技术领域，具体为一种金刚石激光热沉基板制备方法。本发明利用金刚石材料的高导热率将其应用于高功率半导体激光器，可显著提高激光器的散热效果，大大提高了激光器的应用范围。本发明还通过对金刚石瓷片进行磁控溅射处理，溅射种子Ti层和种子Cu层，然后再电镀金属层，使其可以更好地应用于半导体激光器领域。本发明在镀金后的基板上还镀了改性纳米氮化硼层，纳米氮化硼的导热性能优异，在纳米氮化硼上复合了二氧化硅，二氧化硅的复合可以提高基板的耐腐蚀性和耐磨性；同时还加入了缓蚀剂1‑氨基苯并三唑做进一步改性，进一步提高了基板的耐腐蚀性。
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公开(公告)号：CN116655370B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310622111.5
申请日：2023-05-30
申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC分类号： C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B41/90
摘要： 本发明涉及一种适用于小型燃气轮机排气测温的线性输出NTC热敏电阻器及制备方法，该方法以分析纯碳酸钡、二氧化锡和二氧化铈为原料，经混合研磨、煅烧、润湿、冷等静压、高温烧结、被电极，即获得BaSnO3+xCeO2(x=2%、4%、7%)线性输出NTC热敏陶瓷材料，在温度375‑450℃范围内阻温特性(ρ‑T)呈现线性NTC输出，材料常数B375℃/450℃为5678‑7670 K，温度375℃时电阻率为1.88×105‑3.14×105Ω·cm，非线性误差为7.13‑10.64%。本发明所述制作方法工艺简单、制备效率高，获得的线性输出NTC热敏电阻器耐高温性好、性能稳定、精确度高、灵敏度高、一致性好，在375‑450℃的温度范围内阻温特性(ρ‑T)呈现线性NTC输出，适合制造小型燃气轮机排气测温的线性输出NTC热敏电阻器。
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公开(公告)号：CN118459111A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410462494.9
申请日：2024-04-17
申请人： 河南镀邦光电股份有限公司
摘要： 本发明属于电子产品的技术领域，具体为一种实现电子产品基材表面特定图形的方法，一种实现电子产品基材表面特定图形的方法，其特征在于，以下步骤：产品基材表面清洁，使用超声波清洗后烘干；在产品正面上镀膜无效区域贴合保护膜遮挡；在基材正面镀制ECG膜层；将所镀制的ECG膜层表面和侧面多余的无效区域去除；在产品的背面印刷两层保护油墨并固化；在基材背面镀制电极层；在产品正面，ECG膜层上方镀制一层防水膜层，防水膜层实现方式为喷涂AF或蒸发镀膜或磁控溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN118439889A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410375173.5
申请日：2024-03-29
申请人： 黄山芯微电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种覆铜陶瓷基板及镀镍方法，包括如下步骤：步骤一、对覆铜陶瓷基板表面清洁；步骤二、单面贴保护膜；步骤三、化学镀镍：覆铜陶瓷基板放置在3％～10％的稀硫酸液中清洗3～5min；在溢流纯水中冲洗3min～5min,在超声波超声清洗5min～10min；在溢流纯水中冲洗3～5min；在放置氯化钯活化液中活化2～4min取出，用溢流纯水中洗5～10s后,放置在镀镍液中进行化学镀镍，时间为30～40mi n，温度为90℃～100℃，溶液PH值控制在4.7～5.2，镀完镍后在溢流纯水中冲洗3min～5min,在超声波超声清洗5min～10min；把保护膜撕去，用气初步去除表面的水，再放入烘箱内烘干，温度为90℃～100℃，时间20min～30min即可。本发明通过特殊的工艺对粗通陶瓷板进行单面镀镍，铜面具有很好的可焊性，从而确保芯片与覆铜板铜面的焊接，降低焊接空洞率。
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公开(公告)号：CN118290183A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410710546.X
申请日：2024-06-03
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： C04B41/90
摘要： 本发明公开了一种碳基材料Ir涂层表面过渡层及其制备方法，属于超高温涂层技术领域。包括：过渡层在Ir层和HfO2层之间原位生成，包括靠近Ir层一侧的Ir3Hf层以及靠近HfO2层一侧的HfC层；其制备方法包括以下步骤：S1、将制备有Ir/HfO2涂层的碳基材料样品进行清洗和干燥；S2、对步骤S1得到的洁净干燥的样品在保护气氛下进行热处理，在Ir层与HfO2层之间得到Ir3Hf/HfC过渡层。本发明原位生成的过渡层与原涂层有更好的结合及更好的热物理兼容性，且制备工艺和流程简单，过渡层的均匀性和组织可控性都大幅提升。
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