公开(公告)号：CN103887289A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310705286.9

申请日：2013-12-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·K·洛伊 ,  M·J·曼努沙洛

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L21/98 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5386 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/5381 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/25 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1712 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/2541 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 描述了允许经由直接芯片附连（DCA）在微电子管芯和主板之间的高密度和低密度互连的实施例。在一些实施例中，微电子管芯具有高密度互连和低密度连接区域，高密度互连具有沿一个边缘定位的小凸点间距，低密度连接区域具有位于所述管芯的其它区域中的较大的凸点间距。管芯之间的高密度互连区域利用互连桥来互连，该互连桥由能够支持在其上制造高密度互连的材料制成，诸如硅。低密度互连区域用于利用DCA将经互连的管芯直接附连到板。当利用互连桥互连管芯时，高密度互连可利用当前的受控塌陷芯片连接(C4)间距，同时允许电路板上更大的间距。