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公开(公告)号：CN100481262C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510074230.3
申请日：2005-05-31
申请人： 冲电气工业株式会社
发明人： 小山和彦
CPC分类号： G11C16/12 , G11C2216/16
摘要： 本发明提供一种半导体存储装置的数据写入电路及数据写入方法。包括：多比特译码器&数据锁存电路，用于对作为分别写入到多比特的多个存储器单元内的多个数据的、根据输入多比特地址(MBA)的变更而被顺序输入的数据(DQ)顺序执行锁存；列译码器，用于按照输入地址(ADD)内的列地址，将上述锁存的多个数据分别施加到上述多个存储器单元的源极上；以及，单元漏极电压发生器，在上述多个数据全部被锁存、并被施加给上述多个存储器单元的源极后，将用于数据写入的高的单元漏极电压(CDV)(约5.0[V])同时施加给上述多个存储器单元的漏极，并将上述多个数据分别写入上述多个存储器单元。
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公开(公告)号：CN1514971A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN02803882.7
申请日：2002-01-07
申请人： 三因迪斯克公司
发明人： 凯文·M·康利
CPC分类号： G11C16/102 , G06F12/0246 , G06F2212/1016 , G06F2212/1032 , G06F2212/7202 , G06F2212/7208 , G06F2212/7209 , G11C16/105 , G11C2216/16
摘要： 通过在同一或另一分块的未用分页中对新数据进行编程，更新非易失性存储分块的部分分页中的数据。为了防止必须将未变数据分页拷贝到新分块中，或者将标志编程到替换数据分页中，用与新数据所替换的数据分页相同的逻辑地址标识新数据分页，并且添加时间戳来表示写入每个分页的时间。当读取数据时，使用最新数据分页，并且忽略较旧替换数据分页。该技术还应用于包括来自若干不同存储阵列单元的各自一个分块的元分块，其中，将所有分页更新引导到其中一个单元内的单个未用分块。
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公开(公告)号：CN1924830A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610142358.3
申请日：2002-01-07
申请人： 三因迪斯克公司
发明人： 凯文·M·康利
CPC分类号： G11C16/102 , G06F12/0246 , G06F2212/1016 , G06F2212/1032 , G06F2212/7202 , G06F2212/7208 , G06F2212/7209 , G11C16/105 , G11C2216/16
摘要： 通过在同一或另一分块的未用分页中对新数据进行编程，更新非易失性存储分块的部分分页中的数据。为了防止必须将未变数据分页拷贝到新分块中，或者将标志编程到替换数据分页中，用与新数据所替换的数据分页相同的逻辑地址标识新数据分页，并且添加时间戳来表示写入每个分页的时间。当读取数据时，使用最新数据分页，并且忽略较旧替换数据分页。该技术还应用于包括来自若干不同存储阵列单元的各自一个分块的元分块，其中，将所有分页更新引导到其中一个单元内的单个未用分块。
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公开(公告)号：CN1692450A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100721.X
申请日：2003-12-17
申请人： 富士通株式会社
发明人： 古山孝昭
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C16/30 , G11C2216/10 , G11C2216/14 , G11C2216/16
摘要： 一种能够对连接在同一字线上的多个存储单元进行一齐写入的非易失性存储器。在存储单元阵列(20)的各存储单元(10)内设置有按各列单位相互分离的源极线(SL)。在写入时，第1和第2源极电压中的任何一方根据要写入的数据被施加给各源极线(SL)。在负电压的第1控制电压被施加给字线(CWL)之后，在维持各源极线(SL)的电压的状态下，高电压的第2控制电压被施加给该字线(CWL)。因此，各存储单元(10)根据被施加给各个源极线(SL)的电压被擦除或者被编程。
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公开(公告)号：CN1639798A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03804885.X
申请日：2003-01-27
申请人： 桑迪士克股份有限公司
发明人： 劳尔·A·塞尔尼亚
CPC分类号： G11C16/0458 , G11C2216/16 , G11C2216/22
摘要： 本发明揭示一种用于双单元存储元件的读取和编程(写入)的存储器系统(10)(例如，存储卡)。根据本发明的一个方面，在读取或编程期间可以以高产性使用用于该存储器系统(10)的所有位线以实现读取和/或编程操作的增加的(例如，最大)平行性。该存储器系统(10)通常为一提供二进制或多状态数据存储的非挥发性存储器产品或装置。
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公开(公告)号：CN107767911A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710722567.3
申请日：2017-08-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C16/08
CPC分类号： G11C16/08 , G11C16/0408 , G11C16/0483 , G11C16/107 , G11C16/26 , G11C16/28 , G11C16/3459 , G11C2216/16 , G11C16/18
摘要： 非易失性存储器装置以及数据操作方法。一种非易失性存储器装置，包括：存储器单元阵列和行解码器电路。在将第一预脉冲施加到连接到第一虚拟存储器单元的第一虚拟字线之后，在将第二预脉冲施加到连接到第二虚拟存储器单元的第二虚拟字线之后，行解码器电路导通选择的存储器块的多个单元串的存储器单元。
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公开(公告)号：CN1924831A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610142359.8
申请日：2002-01-07
申请人： 三因迪斯克公司
发明人： 凯文·M·康利
CPC分类号： G11C16/102 , G06F12/0246 , G06F2212/1016 , G06F2212/1032 , G06F2212/7202 , G06F2212/7208 , G06F2212/7209 , G11C16/105 , G11C2216/16
摘要： 通过在同一或另一分块的未用分页中对新数据进行编程，更新非易失性存储分块的部分分页中的数据。为了防止必须将未变数据分页拷贝到新分块中，或者将标志编程到替换数据分页中，用与新数据所替换的数据分页相同的逻辑地址标识新数据分页，并且添加时间戳来表示写入每个分页的时间。当读取数据时，使用最新数据分页，并且忽略较旧替换数据分页。该投术还应用于包括来自若干不同存储阵列单元的各自一个分块的元分块，其中，将所有分页更新引导到其中一个单元内的单个未用分块。
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公开(公告)号：CN1902712A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200480039311.3
申请日：2004-12-16
申请人： 桑迪士克股份有限公司
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C16/0416 , G11C16/10 , G11C16/105 , G11C2216/16
摘要： 本发明揭示一种非易失性存储器及其操作方法，其以最小的系统性能损失在非易失性存储器编程及擦除过程中掉电情况下确保具有用于写入及擦除中止检测的可靠机制。在一多扇区写入过程期间，在写入后一扇区的数据内容的同时，将一在一个扇区内成功进行写入的指示写入所述后一扇区的开销中。最末写入的扇区将另外将一其自身成功写入的指示写入至其开销内。对于擦除而言，可在一成功擦除操作后，在所述区块的第一扇区内标记一擦除中止旗标。
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公开(公告)号：CN100485642C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610142359.8
申请日：2002-01-07
申请人： 三因迪斯克公司
发明人： 凯文·M·康利
CPC分类号： G11C16/102 , G06F12/0246 , G06F2212/1016 , G06F2212/1032 , G06F2212/7202 , G06F2212/7208 , G06F2212/7209 , G11C16/105 , G11C2216/16
摘要： 通过在同一或另一分块的未用分页中对新数据进行编程，更新非易失性存储分块的部分分页中的数据。为了防止必须将未变数据分页拷贝到新分块中，或者将标志编程到替换数据分页中，用与新数据所替换的数据分页相同的逻辑地址标识新数据分页，并且添加时间戳来表示写入每个分页的时间。当读取数据时，使用最新数据分页，并且忽略较旧替换数据分页。该技术还应用于包括来自若干不同存储阵列单元的各自一个分块的元分块，其中，将所有分页更新引导到其中一个单元内的单个未用分块。
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公开(公告)号：CN100485641C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610142358.3
申请日：2002-01-07
申请人： 三因迪斯克公司
发明人： 凯文·M·康利
CPC分类号： G11C16/102 , G06F12/0246 , G06F2212/1016 , G06F2212/1032 , G06F2212/7202 , G06F2212/7208 , G06F2212/7209 , G11C16/105 , G11C2216/16
摘要： 通过在同一或另一分块的未用分页中对新数据进行编程，更新非易失性存储分块的部分分页中的数据。为了防止必须将未变数据分页拷贝到新分块中，或者将标志编程到替换数据分页中，用与新数据所替换的数据分页相同的逻辑地址标识新数据分页，并且添加时间戳来表示写入每个分页的时间。当读取数据时，使用最新数据分页，并且忽略较旧替换数据分页。该技术还应用于包括来自若干不同存储阵列单元的各自一个分块的元分块，其中，将所有分页更新引导到其中一个单元内的单个未用分块。
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