本发明提供一种半导体存储装置的数据写入电路及数据写入方法。包括：多比特译码器&数据锁存电路，用于对作为分别写入到多比特的多个存储器单元内的多个数据的、根据输入多比特地址(MBA)的变更而被顺序输入的数据(DQ)顺序执行锁存；列译码器，用于按照输入地址(ADD)内的列地址，将上述锁存的多个数据分别施加到上述多个存储器单元的源极上；以及，单元漏极电压发生器，在上述多个数据全部被锁存、并被施加给上述多个存储器单元的源极后，将用于数据写入的高的单元漏极电压(CDV)(约5.0[V])同时施加给上述多个存储器单元的漏极，并将上述多个数据分别写入上述多个存储器单元。