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公开(公告)号：CN106947954A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710287202.2
申请日：2017-04-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
CPC classification number: C23C14/226 , C23C16/455 , C23C16/4581 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/67103 , H01M4/0428 , C23C16/0218
Abstract: 本发明提供一种气相沉积设备及薄膜的制备方法。其中，气相沉积设备包括：机台、至少一个的加热单元以及控制器；其中，所述控制器用于控制所述加热单元对放置在所述机台上的基板的待成膜区域进行加热，以使所述待成膜区域达到气相沉积的成膜温度。本发明的方案可以对基板上的待成膜区域进行精确加热，使得材料气体能够在待成膜区域处发生相关反应，以形成薄膜，从而更有效率地使用反应材料气体，避免了不必要的资源浪费。此外，由于本实施例直接对基板待成膜区进行加热，所以加热效率以及加热效果要明显高于现有的对反应材料气体进行加热的方案，因此对产品的良品率也有一定的提高。
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公开(公告)号：CN102959436B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180031233.2
申请日：2011-06-23
Applicant: 迪睿合电子材料有限公司
IPC: G02B5/30 , B32B9/00 , G02F1/13363
CPC classification number: C23C16/40 , C23C14/226 , C23C14/5806 , G02B5/3083
Abstract: 本发明制造保持高耐湿性而耐久性和稳定性优良的波长板。在基板上倾斜沉积介质材料，形成具有介质材料的微粒层叠为柱状的柱状部(12)、和设在该柱状部间的间隙部(13)的双折射层(14)，在100℃以上300℃以下的温度对双折射层(14)进行退火处理。然后，通过在退火处理的双折射层(14)上高密度地形成无机化合物，形成低湿度透过性的保护膜(15)。
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公开(公告)号：CN102959436A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180031233.2
申请日：2011-06-23
Applicant: 迪睿合电子材料有限公司
IPC: G02B5/30 , B32B9/00 , G02F1/13363
CPC classification number: C23C16/40 , C23C14/226 , C23C14/5806 , G02B5/3083
Abstract: 本发明制造保持高耐湿性而耐久性和稳定性优良的波长板。在基板上倾斜沉积介质材料，形成具有介质材料的微粒层叠为柱状的柱状部(12)、和设在该柱状部间的间隙部(13)的双折射层(14)，在100℃以上300℃以下的温度对双折射层(14)进行退火处理。然后，通过在退火处理的双折射层(14)上高密度地形成无机化合物，形成低湿度透过性的保护膜(15)。
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公开(公告)号：CN101355145B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200710136935.2
申请日：2007-07-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/226 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/66 , H01M4/664 , H01M4/667 , H01M10/0525 , H01M2004/027 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供一种锂离子二次电池的负极，所述负极包括集流体、在所述集流体的表面上形成的中间层、以及在所述中间层上形成的活性材料层。所述集流体包含能够与硅合金化的金属。所述活性材料层包含含硅的活性材料。所述中间层包含硅和氧。所述中间层防止能与硅合金化的金属扩散入所述活性材料层中。抑制了所述集流体的构成元素扩散进入所述活性材料层。
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公开(公告)号：CN101252181A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810081427.3
申请日：2008-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/226 , C23C14/228 , C23C14/243 , H01M4/0421 , H01M4/139 , H01M4/1391
Abstract: 本发明提供一种能够嵌入和脱嵌锂离子的电化学元件用电极的制造方法，其包括补充电化学元件用电极的不可逆容量的锂化处理方法。在锂化处理方法中，限制锂蒸气的移动路线，使锂蒸气流过，从而在电极上附着锂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1763599A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510103081.9
申请日：2005-09-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 清水雄一
IPC: G02F1/1333
CPC classification number: C23C14/226 , C23C14/0676 , C23C14/22 , Y10T428/1009
Abstract: 制造可以进行高品质的图像显示且使之长寿命化的电光装置，并且让成品率得到提高。电光装置的制造方法用来制造具备一对基板的电光装置，该一对基板用来夹持电光物质；其具备：在处理室内，在一对基板的至少一个基板中与电光物质相对的基板面上，通过将对基板面由无机材料的飞溅方向所成的角度固定成预定值，并实施PVD法，来形成由无机材料构成的取向膜的工序；在开始PVD法之后，将用来修复取向膜中的缺陷的至少1种修复气体，导入到处理室内的工序。
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公开(公告)号：CN106947954B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201710287202.2
申请日：2017-04-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
CPC classification number: C23C14/226 , C23C16/455 , C23C16/4581 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/67103 , H01M4/0428
Abstract: 本发明提供一种气相沉积设备及薄膜的制备方法。其中，气相沉积设备包括：机台、至少一个的加热单元以及控制器；其中，所述控制器用于控制所述加热单元对放置在所述机台上的基板的待成膜区域进行加热，以使所述待成膜区域达到气相沉积的成膜温度。本发明的方案可以对基板上的待成膜区域进行精确加热，使得材料气体能够在待成膜区域处发生相关反应，以形成薄膜，从而更有效率地使用反应材料气体，避免了不必要的资源浪费。此外，由于本实施例直接对基板待成膜区进行加热，所以加热效率以及加热效果要明显高于现有的对反应材料气体进行加热的方案，因此对产品的良品率也有一定的提高。
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公开(公告)号：CN104271793B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201380010776.5
申请日：2013-02-20
Applicant: 梯尔镀层有限公司
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/022 , C23C14/025 , C23C14/14 , C23C14/165 , C23C14/185 , C23C14/205 , C23C14/226 , C23C14/3492 , C23C14/5873 , Y10T428/24355 , Y10T428/24372 , Y10T428/24612 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明涉及一种将涂层涂布到制品的方法和具有所述涂层的制品。该涂层具有至少一个层，该层的表面积大于所述涂层的所述层的表观面积或投影面积。这种高表面积的涂层是在相对较高的气体压力中涂布的，在一个实施方案中，可以使用磁控溅射离子镀系统涂布。
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公开(公告)号：CN103811094B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410074778.7
申请日：2010-03-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G21K4/00 , C23C14/226 , C23C14/505 , G21K2004/06
Abstract: 放射线图像转换面板（10），在基板（1）上形成将入射了的放射线转换为光的放射线转换层（2）。放射线转换层（2）具有在射出光的光出射面（2a）的相反侧使光向出射面（2a）侧反射的反射层（3），反射层（3）具有使荧光体的结晶以螺旋状层叠的螺旋构造。这样，根据放射线图像转换面板（10），不形成由金属薄膜等构成的反射层而提高反射率，而且能够比由球状的结晶粒子形成反射层的情况发挥更高的反射率。
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公开(公告)号：CN101542008B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200880000483.8
申请日：2008-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/02 , C23C14/226 , H01M4/0421 , H01M4/1395 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供一种蒸镀装置，是通过在腔室(2)内以卷轴到卷轴的方式使片状的基板(4)移动，由此在基板(4)上连续形成蒸镀膜的蒸镀装置(100)，具有：使蒸镀原料蒸发的蒸发源(9)；包括卷绕保持基板(4)的第1及第2卷轴(3、8)和对基板(4)进行引导的引导部的输送部；配置在上述能够蒸镀的区域的、形成来自蒸发源(9)的蒸镀原料不能到达的遮蔽区域的遮蔽部，并且，蒸镀区域(60a～60d)包括按照使基板(4)的被蒸镀原料照射的面成为平面的方式输送基板(4)的平面输送区域，在除了遮蔽区域之外的能够蒸镀的区域中，按照使蒸镀材料不从基板(4)的法线方向入射到基板(4)的方式相对于蒸发源(9)配置输送部。
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