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公开(公告)号:CN109689905A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201780054317.5
申请日:2017-08-04
申请人: 伟尔矿物澳大利亚私人有限公司
IPC分类号: C22C1/04 , C22C32/00 , C22C1/10 , C22C14/00 , C22C16/00 , C22C27/00 , C22C28/00 , C22C29/02 , C22C29/14 , C22C29/16
CPC分类号: C22C1/0458 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/1036 , C22C14/00 , C22C29/02 , C22C29/14 , C22C29/16 , C22C32/00 , C22C32/0047 , C22C2001/1047 , C22C1/1084 , B22F3/02 , B22F2202/17
摘要: 一种金属基体复合铸件,其包括(a)以下主体金属的一种或多种:钛、锆、铪和钽,和(b)包含所述主体金属的至少一种的碳化物和/或氮化物和/或硼化物的至少一种、和典型地两种或更多种的难熔粒子的分散体。
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公开(公告)号:CN107838426A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201711059256.X
申请日:2017-11-01
申请人: 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
发明人: 陈东进
CPC分类号: B22F7/02 , B22F3/02 , B22F3/14 , B22F2003/145 , B22F2998/10 , C22C1/045 , C22C1/051 , C22C27/02 , C22C29/14 , C22C32/0073 , B22F1/0003
摘要: 本发明公开了一种航空航天用金属基复合材料的制备方法,包括以下步骤:首先称取ZrB2粉、Ti粉和Nb粉,球磨混合制得混合粉体;然后将混合粉体置于涂有氮化硼和无水乙醇模具中,压制成型,然后真空热压烧结制得不同ZrB2粉含量的增强型铌钛基复合材料;将不同ZrB2粉含量的增强型铌钛剂复合材料依次作为上表层、夹心层和下表层置于石墨模具中,层与层之间采用环氧树脂粘结,然后向石墨模具施加15-20MPa的压力,压制成型,然后干燥,脱模,制得航空航天用金属基复合材料。本发明制得的金属基复合材料耐磨、耐高温性能优异,稳定性好,力学性能佳,且制备方法简单。
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公开(公告)号:CN107774989A
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201711019792.7
申请日:2017-10-27
申请人: 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
发明人: 陈东进
CPC分类号: B22F1/0088 , B22F1/0003 , B22F3/14 , B22F2998/10 , C22C1/05 , C22C1/051 , C22C27/02 , C22C29/14 , C22C30/00 , C22C32/0005 , B22F3/02
摘要: 本发明提供一种硼化锆增强的钛-氧化铬-铬-铌复合材料及其制备方法,复合材料为预氧化的铬合金粉末、硼化锆粉末、钛粉和铌粉经过预成型、加热加压处理得到,制备方法为:将铬合金粉末进行预氧化处理,使表面产生氧化铬纳米层,将纳米层破坏,得到预氧化的铬合金粉末;将预氧化的铬合金粉末、硼化锆粉末、钛粉和铌粉按比例混合干燥得到混合粉末,置于预成型石墨模具中,加压制备为预成型坯体;将预成型坯体在真空条件下,加热保温,通入保护气体氩气,继续升温加压处理,处理完后随炉冷却至室温,得到硼化锆增强的钛-氧化铬-铬-铌复合材料。本发明制备的复合材料显著提高室温和高温下的强度、导电导热和稳定性,抗氧化性能优异。
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公开(公告)号:CN107686931A
公开(公告)日:2018-02-13
申请号:CN201710753974.0
申请日:2017-08-29
申请人: 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
发明人: 陈东进
CPC分类号: C22C32/0073 , C22C1/051 , C22C1/058 , C22C29/005 , C22C29/14 , C22C30/00 , C22C2204/00 , C23C26/00
摘要: 本发明提供一种钇陶瓷晶须表面改性的硼化锆铌钼基复合材料及其制备方法,该钇陶瓷晶须表面改性的硼化锆铌钼基复合材料包括硼化锆铌钼基复合材料和表面涂层,具体制备方法为:将硼化锆粉、铌粉和钼粉干燥混合,置于预制模具中,压制成胎坯,将胎坯烘干后置于碳纤维坩埚中,动态真空中烧结,当温度升至1700-1900℃时对着胎坯进行加压,保温,继续升温继续加压,保温,自然冷却至室温,得到硼化锆铌钼基复合材料;将硼化锆铌钼基复合材料完全浸渍于含钇陶瓷晶须的表面改性溶液,取出静置,再重复浸渍2-3次,烘干,煅烧,得到钇陶瓷晶须表面改性的硼化锆铌钼基复合材料。本发明制备的复合材料在超高温度下具有较高的强度,抗腐蚀和抗氧化性能好。
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公开(公告)号:CN106868377A
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201710134137.X
申请日:2017-03-08
申请人: 广东博杰特新材料科技有限公司
CPC分类号: C22C29/14 , B22F3/15 , B22F2998/10 , C22C1/1068 , C22C29/005 , B22F9/082 , B22F2003/248
摘要: 本发明公开了一种高强度钼镍硼三元硼化物材料及其制备方法,其的元素含量百分比为:硼3~6%,钼35~55%;铬1~8%,碳0.2~0.8%,钒0.5~4%,铌1~4%,钨0.5~5%,铈0.1~1%,锰1~3%,镍的含量为余量。本发明提供的制备方法的制作工艺简易,以雾化制粉取代机械球磨制粉,在后续成型中减少了偏析的发生,提高了材料强韧性,并通过HIP热等静压烧结,获得组织致密的高强度的Mo2NiB2基金属陶瓷材料。本发明提供高强度钼镍硼三元硼化物材料的配方设计科学、合理,拥有高熔点、高硬度、高耐磨耐腐蚀性,可作为耐高温材料、耐腐蚀材料、耐磨材料和超硬材料,综合性能好。
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公开(公告)号:CN105734386A
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201610021547.9
申请日:2016-01-11
申请人: 梁小利
发明人: 梁小利
IPC分类号: C22C29/14
CPC分类号: C22C29/14
摘要: 本发明公开了一种硼化锆复合陶瓷材料,由以下按照重量份的原料组成:二硼化锆粉末64?68份、二硼化铪粉末25?30份、硅化钛粉末12?16份、钴粉10?15份、钨粉8?12份、莫来石6?10份、聚乙烯醇5?10份。本发明还提供了所述硼化锆复合陶瓷材料的制备方法。本发明制备的硼化锆复合陶瓷材料,其20℃断裂韧性为15.28?17.35Pa·m1/2,1600℃抗拉强度为236?253MPa,常温断裂韧性以及高温抗拉强度均表现优异。本发明通过在硼化锆复合陶瓷材料中添加硅化钛粉末和钴粉,能够增强硼化锆复合陶瓷材料的常温断裂韧性以及高温抗拉强度。
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公开(公告)号:CN105209178A
公开(公告)日:2015-12-30
申请号:CN201480028005.3
申请日:2014-03-17
申请人: 梅索涂层公司
CPC分类号: C23C4/10 , B22F1/007 , C04B35/58 , C04B35/5805 , C04B35/58064 , C04B35/62222 , C04B2235/3804 , C04B2235/3813 , C04B2235/386 , C04B2235/446 , C04B2235/80 , C22C29/14 , C23C4/12 , C23C24/04 , Y10T428/12181
摘要: 本发明描述了制备三元和二元陶瓷粉末的方法及其能够制备具有优异性能的热喷涂涂层的热喷涂方法。粉末包含至少30%重量比的三元陶瓷、至少20%重量比的二元硼化钼、至少一种Cr、Fe、Ni、W和Co的二元硼化物和最多10%重量比的纳米和亚微米级氮化硼。从这些粉末制备的热喷涂涂层的初生晶相为三元陶瓷,而次生相为二元陶瓷。所述涂层具有非常高的耐熔融金属腐蚀性、非常高的抗热震性和在低温和高温下优异的摩擦学性能。
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公开(公告)号:CN104451324A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410771435.6
申请日:2014-12-12
申请人: 西安交通大学
摘要: 本发明公开了一种WCoB基金属陶瓷的制备工艺,首先,原材料选择Co3B粉和W粉,重量比控制在(0.4-0.6):(0.6-0.4),并加入的过程控制剂,称重后装入球磨罐中并进行抽真空并充氩气,球磨15-35小时直接将Co3B粉和W粉混合体充填到金属模具中模压成型。最后,将模压成型坯体于真空等离子活化烧结炉中进行烧结,烧结温度为1100℃~1450℃,保温10-25分钟,随炉冷却后即得到WCoB基金属陶瓷。本发明制备工艺简单,成本低廉;所制备的WCoB基金属陶瓷可适用磨损、高温腐蚀等严酷工况。
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公开(公告)号:CN103477017A
公开(公告)日:2013-12-25
申请号:CN201280018101.0
申请日:2012-02-29
申请人: 贝克休斯公司
IPC分类号: E21B10/46 , E21B10/573 , C22C26/00 , E21B10/567
CPC分类号: E21B10/22 , B22F2999/00 , B24D3/06 , B24D18/0009 , B24D99/005 , C22C1/051 , C22C26/00 , C22C29/06 , C22C29/14 , C22C2204/00 , E21B10/573 , E21B10/5735 , F16C17/00 , F16C17/02 , F16C17/04 , F16C17/12 , F16C33/043 , F16C33/121 , F16C33/26 , F16C2352/00 , Y10T428/24521 , B22F3/14
摘要: 形成多晶元件的方法包括在第一基底上形成多晶层。可从多晶层的至少一部分中去除掉催化剂材料。可从第一基底的其余部分上去除掉多晶层和第一基底的附连到多晶层上的部分。第一基底的该部分可附连到另一基底上。多晶元件包括:多晶层,其附连到第一基底的部分上,多晶层形成在该部分上;以及,另一基底,其附连到第一基底的所述部分上。
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