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CN103477017A 形成多晶元件的方法以及通过该方法形成的结构 有权

形成多晶元件的方法以及通过该方法形成的结构
摘要：
形成多晶元件的方法包括在第一基底上形成多晶层。可从多晶层的至少一部分中去除掉催化剂材料。可从第一基底的其余部分上去除掉多晶层和第一基底的附连到多晶层上的部分。第一基底的该部分可附连到另一基底上。多晶元件包括：多晶层，其附连到第一基底的部分上，多晶层形成在该部分上；以及，另一基底，其附连到第一基底的所述部分上。
摘要（英）：

Methods of forming a polycrystalline element comprise forming a polycrystalline layer on a first substrate. Catalyst material may be removed from at least a portion of the polycrystalline layer. The polycrystalline layer and a portion of a first substrate attached to the polycrystalline layer may be removed from a remainder of the first substrate. The portion of the first substrate may be attached to another substrate. Polycrystalline elements comprise a polycrystalline layer attached to a portion of a first substrate on which the polycrystalline layer was formed another substrate attached to the portion of the first substrate.

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