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公开(公告)号：CN105307975B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201480015824.4
申请日：2014-03-13
申请人： 蝴蝶网络有限公司
发明人： 乔纳森·M·罗思伯格 , 基思·G·菲费 , 泰勒·S·拉尔斯顿 , 格雷戈里·L·哈尔瓦特 , 内华达·J·桑切斯
CPC分类号： B81C1/00301 , B06B1/02 , B06B1/0292 , B81B7/007 , B81C1/00134 , B81C1/00158 , B81C1/00246 , B81C2201/0195 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , G01N29/2406 , H01L29/84 , H04R19/005
摘要： 描述了互补金属氧化物半导体(CMOS)超声换能器(CUT)及用于形成CUT的方法。CUT可以包括单片集成的超声换能器和用于与该换能器一起工作的集成电路。CUT可以用在超声装置，例如，超声成像装置和/或高强度聚焦超声(HIFU)装置中。
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公开(公告)号：CN102730633A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210101394.0
申请日：2012-03-31
申请人： 富士胶片株式会社
发明人： 格雷戈里·德布拉班德尔 , 马克·内波穆尼西
IPC分类号： B81C3/00
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2201/032 , B81B2203/0127 , B81B2203/053 , B81C2201/0195 , B81C2203/036
摘要： 本发明公开了一种用于制造具有弯曲特征的薄膜的方法。通过将薄膜真空接合至衬底的顶表面来创建具有弯曲特征的轮廓传递衬底表面，其中所述顶表面中形成有空穴。将薄膜的表面暴露至流体压力，以使得薄膜变形并且薄膜的下表面与空穴的底部接触。可以通过对薄膜与衬底之间的接合区域进行退火处理来使变形薄膜中形成的弯曲特征变得永久。薄膜的暴露表面上沉积的均匀材料层将在薄膜弯曲进空穴的位置处包括弯曲特征。在薄膜上已经均匀沉积了至少一层材料之后，从底部蚀刻开空穴，以从下方移除薄膜。
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公开(公告)号：CN108463431A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201680078844.5
申请日：2016-11-30
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0069 , B81C2201/0191 , B81C2201/0195
摘要： 本发明实现一种用于制造多层MEMS构件的方法和一种相应的多层MEMS构件。所述方法包括以下步骤：提供多层衬底(12、3；1a、2、3)，该多层衬底具有单晶载体层(1；1a)、带有正面(V)和背面(R)的单晶功能层(3)和位于背面(R)与载体层(1)之间的键合层(2)；使第一多晶层(4；4a；4b)在所述单晶功能层(3)的所述正面(V)上生长；去除所述单晶载体层(1；1a)；并且使第二多晶层(40；40a；40b)在所述单晶功能层(3)的所述背面(R)上生长。
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公开(公告)号：CN102730633B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210101394.0
申请日：2012-03-31
申请人： 富士胶片株式会社
发明人： 格雷戈里·德布拉班德尔 , 马克·内波穆尼西
IPC分类号： B81C3/00
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2201/032 , B81B2203/0127 , B81B2203/053 , B81C2201/0195 , B81C2203/036
摘要： 本发明公开了一种用于制造具有弯曲特征的薄膜的方法。通过将薄膜真空接合至衬底的顶表面来创建具有弯曲特征的轮廓传递衬底表面，其中所述顶表面中形成有空穴。将薄膜的表面暴露至流体压力，以使得薄膜变形并且薄膜的下表面与空穴的底部接触。可以通过对薄膜与衬底之间的接合区域进行退火处理来使变形薄膜中形成的弯曲特征变得永久。薄膜的暴露表面上沉积的均匀材料层将在薄膜弯曲进空穴的位置处包括弯曲特征。在薄膜上已经均匀沉积了至少一层材料之后，从底部蚀刻开空穴，以从下方移除薄膜。
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公开(公告)号：CN105307975A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480015824.4
申请日：2014-03-13
申请人： 蝴蝶网络有限公司
发明人： 乔纳森·M·罗思伯格 , 基思·G·菲费 , 泰勒·S·拉尔斯顿 , 格雷戈里·L·哈尔瓦特 , 内华达·J·桑切斯
CPC分类号： B81C1/00301 , B06B1/02 , B06B1/0292 , B81B7/007 , B81C1/00134 , B81C1/00158 , B81C1/00246 , B81C2201/0195 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , G01N29/2406 , H01L29/84 , H04R19/005
摘要： 描述了互补金属氧化物半导体(CMOS)超声换能器(CUT)及用于形成CUT的方法。CUT可以包括单片集成的超声换能器和用于与该换能器一起工作的集成电路。CUT可以用在超声装置，例如，超声成像装置和/或高强度聚焦超声(HIFU)装置中。
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