公开(公告)号：CN108463431B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201680078844.5

申请日：2016-11-30

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： O·布赖特舍德尔 ,  A·克尔布尔 ,  C·齐尔克 ,  P·B·施塔费尔德 ,  H·阿尔特曼

IPC分类号： B81C1/00

摘要： 本发明实现一种用于制造多层MEMS构件的方法和一种相应的多层MEMS构件。所述方法包括以下步骤：提供多层衬底(12、3；1a、2、3)，该多层衬底具有单晶载体层(1；1a)、带有正面(V)和背面(R)的单晶功能层(3)和位于背面(R)与载体层(1)之间的键合层(2)；使第一多晶层(4；4a；4b)在所述单晶功能层(3)的所述正面(V)上生长；去除所述单晶载体层(1；1a)；并且使第二多晶层(40；40a；40b)在所述单晶功能层(3)的所述背面(R)上生长。

公开(公告)号：CN108463431A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201680078844.5

申请日：2016-11-30

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： O·布赖特舍德尔 ,  A·克尔布尔 ,  C·齐尔克 ,  P·B·施塔费尔德 ,  H·阿尔特曼

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/0069 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2201/0195

摘要： 本发明实现一种用于制造多层MEMS构件的方法和一种相应的多层MEMS构件。所述方法包括以下步骤：提供多层衬底(12、3；1a、2、3)，该多层衬底具有单晶载体层(1；1a)、带有正面(V)和背面(R)的单晶功能层(3)和位于背面(R)与载体层(1)之间的键合层(2)；使第一多晶层(4；4a；4b)在所述单晶功能层(3)的所述正面(V)上生长；去除所述单晶载体层(1；1a)；并且使第二多晶层(40；40a；40b)在所述单晶功能层(3)的所述背面(R)上生长。