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公开(公告)号：CN118231328A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410580016.8
申请日：2024-05-11
申请人： 鑫巨(深圳)半导体科技有限公司
发明人： 萨沙·奥佩勒
IPC分类号： H01L21/687 , B25B11/00
摘要： 本发明提供了一种锁扣式夹具及夹具系统，该锁扣式夹具中设置有可相对转动的内套筒和外套筒，外套筒上设置有第一夹持组件，第二安装部上设置有第二夹持组件，内套筒上设置有滑槽，外套筒上设置有滑块，转动外套筒，滑块在滑槽中滑动，带动第一夹持组件向第二夹持组件靠近，使第一夹持组件和第二夹持组件的间隙减小，以夹持物体。如此，可以通过转动外套筒一次带动多个第一夹持组件向第二夹持组件靠近，即同时操控多个夹子的开合，使得物体和夹子之间的夹持和拆卸时间短，夹持和拆卸效率高；同时，该夹具在工作过程中的摩擦主要在外套筒内，外套筒的两端密封，不会出现因摩擦而产生碎屑影响生产的情况。
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公开(公告)号：CN113113323A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110368068.5
申请日：2021-04-06
申请人： 鑫巨(深圳)半导体科技有限公司
发明人： 马库斯·郎
摘要： 本发明公开了一种线路板蚀刻方法及蚀刻剂，该蚀刻方法包括：获取待进行蚀刻的线路板；利用预先配置的蚀刻剂对所述线路板进行蚀刻，其中，所述蚀刻剂包括基础蚀刻剂和具有耐酸性的添加剂，所述添加剂的质量浓度为0.001％～1％。本发明通过添加有耐酸性的添加剂的蚀刻剂对线路板进行蚀刻，可以在不损坏线路板的前提下提高蚀刻精度。
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公开(公告)号：CN113061881A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110289483.1
申请日：2021-03-18
申请人： 鑫巨(深圳)半导体科技有限公司
发明人： 马库斯·郎
摘要： 本发明公开了一种电解镀铜的铜处理装置及方法，该铜处理装置用于对待进行电镀的铜面面板进行预处理，所述铜面面板为经过干膜处理和显影处理的铜面面板，所述铜处理装置包括盛有硫酸的硫酸池，所述硫酸池中设置有用于产生臭氧的紫外线发光源，所述硫酸池中的硫酸用于与所述铜面面板发生化学反应。本发明在电解镀铜前，通过能够产生臭氧的紫外线发光源和硫酸对铜面面板进行预处理，以消除所述铜面面板上的等离子体。
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公开(公告)号：CN114496862A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210389949.X
申请日：2022-04-14
申请人： 鑫巨(深圳)半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/306 , B01D29/35 , B08B3/02
摘要： 本发明公开了一种IC基板多功能化学制程装置及方法，该装置包括：单板处理加工室，所述单板处理加工室内盛有用于浸没IC基板的溶液；多功能喷嘴系统，用于IC基板的表面处理；水流喷管，用于在溶液表面形成可带走任何可能存在的微粒和/或碎屑溢流通道；过滤系统，与溢流通道连通，用于过滤溢流通道中的微粒和/或碎屑。本发明将待处理的IC基板置于单板处理加工室的溶液中；利用多功能喷嘴系统对IC基板表面进行处理并去除任何可能存在的微粒和/或碎屑；通过水流喷管形成朝向过滤系统的溢流通道带动被去除的微粒和/或碎屑朝向过滤系统流动，并通过过滤系统对流动到的微粒和/或碎屑进行过滤处理，可以有效提高对于IC基板表面处理上的效率及灵活性。
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公开(公告)号：CN118331071B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410725165.9
申请日：2024-06-06
申请人： 鑫巨(深圳)半导体科技有限公司
IPC分类号： G05B13/04
摘要： 本发明提供了一种监测并控制反应溶液颗粒浓度的方法，属于半导体工艺中的颗粒浓度监测与控制技术领域。采集内循环系统管道内的实时颗粒浓度数据、温度数据和入水口中纯水的流速数据，基于预处理后的数据，构建反应室中的颗粒浓度模型和温度模型，利用偏微分方程描述浓度和温度在溶液中的动态演化过程。其次，将构建的浓度模型和温度模型数字化为仿真模型，并在虚拟环境中进行优化，搜索最佳满足控制目标的纯水流速和温度补偿量的控制策略。以仿真环境为基础，建立基于强化学习的控制器，并在仿真环境中训练该控制器，使其学习最优控制策略。最后，将训练后的控制器部署到实际浓度监测系统中，实现高效闭环的监测与控制。
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公开(公告)号：CN118331071A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410725165.9
申请日：2024-06-06
申请人： 鑫巨(深圳)半导体科技有限公司
IPC分类号： G05B13/04
摘要： 本发明提供了一种监测并控制反应溶液颗粒浓度的方法，属于半导体工艺中的颗粒浓度监测与控制技术领域。采集内循环系统管道内的实时颗粒浓度数据、温度数据和入水口中纯水的流速数据，基于预处理后的数据，构建反应室中的颗粒浓度模型和温度模型，利用偏微分方程描述浓度和温度在溶液中的动态演化过程。其次，将构建的浓度模型和温度模型数字化为仿真模型，并在虚拟环境中进行优化，搜索最佳满足控制目标的纯水流速和温度补偿量的控制策略。以仿真环境为基础，建立基于强化学习的控制器，并在仿真环境中训练该控制器，使其学习最优控制策略。最后，将训练后的控制器部署到实际浓度监测系统中，实现高效闭环的监测与控制。
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公开(公告)号：CN116334733A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310345570.3
申请日：2023-04-03
申请人： 鑫巨(深圳)半导体科技有限公司
发明人： 马丁·施莱
摘要： 本发明公开了一种电化学添加剂反应控制装置，该装置包括用于对生产板进行电镀处理的电镀槽和可照射至所述生产板上的光学组件；所述电镀槽盛有用于与所述生产板发生电镀反应的电镀液和用于促进电镀反应的电化学添加剂；所述光学组件用于发射光线，并将光线照射至所述生产板上以使光线与所述生产板周围的电化学添加剂进行相应的反应，从而调节所述电化学添加剂的有机物活性。本发明通过光学组件发射的光与电化学添加剂发生相应的化学反应，以对电化学添加剂的有机物活性进行调节，从而通过抑制或加速电化学电镀添加剂的方式获得对微小的电镀附着区域更好的厚度变化控制，如此便可以提高对于生产板的电镀处理精度。
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公开(公告)号：CN118545517A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410885328.X
申请日：2024-07-03
申请人： 鑫巨(深圳)半导体科技有限公司
IPC分类号： B65G54/02
摘要： 本发明涉及半导体生产设备技术领域，具体涉及一种半导体制程用磁悬浮输送系统，包括输送轨道总成、悬挂载具以及上料装置，所述输送轨道总成包括x向输送轨道以及y向输送轨道，用于工件在不同方向上的往复输送，通过采用非接触式磁悬浮输送结构作为输送轨道结构，可以带动工件在x轴方向以及y轴方向上的往复移动，在不同加工工艺的加工工位之间进行往复输送，操作更加方便，输送效率高；避免传统的输送组件因摩擦造成的碎屑或颗粒物对制程空间和设备使用寿命以及半导体加工良率的不良影响；同时还可以保证半导体生产的无尘化洁净空间，降低维护成本。
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公开(公告)号：CN118231328B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410580016.8
申请日：2024-05-11
申请人： 鑫巨(深圳)半导体科技有限公司
发明人： 萨沙·奥佩勒
IPC分类号： H01L21/687 , B25B11/00
摘要： 本发明提供了一种锁扣式夹具及夹具系统，该锁扣式夹具中设置有可相对转动的内套筒和外套筒，外套筒上设置有第一夹持组件，第二安装部上设置有第二夹持组件，内套筒上设置有滑槽，外套筒上设置有滑块，转动外套筒，滑块在滑槽中滑动，带动第一夹持组件向第二夹持组件靠近，使第一夹持组件和第二夹持组件的间隙减小，以夹持物体。如此，可以通过转动外套筒一次带动多个第一夹持组件向第二夹持组件靠近，即同时操控多个夹子的开合，使得物体和夹子之间的夹持和拆卸时间短，夹持和拆卸效率高；同时，该夹具在工作过程中的摩擦主要在外套筒内，外套筒的两端密封，不会出现因摩擦而产生碎屑影响生产的情况。
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公开(公告)号：CN114496862B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210389949.X
申请日：2022-04-14
申请人： 鑫巨(深圳)半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/306 , B01D29/35 , B08B3/02
摘要： 本发明公开了一种IC基板多功能化学制程装置及方法，该装置包括：单板处理加工室，所述单板处理加工室内盛有用于浸没IC基板的溶液；多功能喷嘴系统，用于IC基板的表面处理；水流喷管，用于在溶液表面形成可带走任何可能存在的微粒和/或碎屑溢流通道；过滤系统，与溢流通道连通，用于过滤溢流通道中的微粒和/或碎屑。本发明将待处理的IC基板置于单板处理加工室的溶液中；利用多功能喷嘴系统对IC基板表面进行处理并去除任何可能存在的微粒和/或碎屑；通过水流喷管形成朝向过滤系统的溢流通道带动被去除的微粒和/或碎屑朝向过滤系统流动，并通过过滤系统对流动到的微粒和/或碎屑进行过滤处理，可以有效提高对于IC基板表面处理上的效率及灵活性。
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