公开(公告)号：CN109891548B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN201780066279.5

申请日：2017-11-16

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 莱斯利·迈克尔·莱亚 ,  林内尔·马丁内斯 ,  迈克尔·摩根 ,  鲁塞尔·韦斯特曼

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明提供一种使用离子过滤来调节传送到基板(170)的离子数量的方法。该方法包括提供的处理室(100)，其可操作地被连接到等离子体源(120)。基板提供在基板支撑件(130)上，基板支撑件(130)提供在处理室内。提供电偏置源，其可操作地被连接到在处理室中被提供的孔板(190、191、192)。通过使用等离子体源产生的等离子体处理基板支撑件上的基板。在基板的等离子体处理期间，来自电偏置源的可变偏置电压被施加到孔板。基板的等离子体处理能够进一步包括将基板暴露于等离子体时分复用处理，该等离子体时分复用处理在基板上交替进行沉积和蚀刻。

公开(公告)号：CN109804453B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201780062430.8

申请日：2017-11-29

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 楚-吴·蒋 ,  鲁塞尔·韦斯特曼

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/78 ,  H01L21/3065

摘要： 本发明提供了一种用于对衬底(100)进行等离子体划片的方法。该衬底设置有顶表面和底表面，衬底的顶表面具有多个街区(120)和至少一个器件结构(110)。该衬底被放置到框架(310)上的支撑膜(300)上以形成工件(320)。提供了具有等离子体源的处理室(600)。在等离子体处理室内提供了工件支撑件(630)。工件被放置到工件支撑件上。从等离子体处理室中的等离子体源产生等离子体(697)。使用所产生的等离子体和在支撑膜暴露于所产生的等离子体的同时从支撑膜产生的副产物来处理工件。

公开(公告)号：CN109891548A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780066279.5

申请日：2017-11-16

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 莱斯利·迈克尔·莱亚 ,  林内尔·马丁内斯 ,  迈克尔·摩根 ,  鲁塞尔·韦斯特曼

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明提供一种使用离子过滤来调节传送到基板(170)的离子数量的方法。该方法包括提供的处理室(100)，其可操作地被连接到等离子体源(120)。基板提供在基板支撑件(130)上，基板支撑件(130)提供在处理室内。提供电偏置源，其可操作地被连接到在处理室中被提供的孔板(190、191、192)。通过使用等离子体源产生的等离子体处理基板支撑件上的基板。在基板的等离子体处理期间，来自电偏置源的可变偏置电压被施加到孔板。基板的等离子体处理能够进一步包括将基板暴露于等离子体时分复用处理，该等离子体时分复用处理在基板上交替进行沉积和蚀刻。

公开(公告)号：CN109804453A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201780062430.8

申请日：2017-11-29

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 楚-吴·蒋 ,  鲁塞尔·韦斯特曼

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/78 ,  H01L21/3065

摘要： 本发明提供了一种用于对衬底(100)进行等离子体划片的方法。该衬底设置有顶表面和底表面，衬底的顶表面具有多个街区(120)和至少一个器件结构(110)。该衬底被放置到框架(310)上的支撑膜(300)上以形成工件(320)。提供了具有等离子体源的处理室(600)。在等离子体处理室内提供了工件支撑件(630)。工件被放置到工件支撑件上。从等离子体处理室中的等离子体源产生等离子体(697)。使用所产生的等离子体和在支撑膜暴露于所产生的等离子体的同时从支撑膜产生的副产物来处理工件。

公开(公告)号：CN105144352B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480015370.0

申请日：2014-03-05

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 德瓦拉卡纳特·吉尔普拉姆 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  林内尔·马丁内斯 ,  克里斯·约翰逊 ,  大卫·约翰逊 ,  鲁塞尔·韦斯特曼

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/78 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32651 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/782 ,  H01L2221/68327 ,  Y10S414/139

摘要： 本发明提供了一种用于对衬底进行等离子体处理的方法。该方法包括：提供具有壁的处理室；邻近处理室的所述壁提供等离子体源；在处理室内提供工件支撑件；将工件装载到工件支撑件上，该工件具有支撑膜、框架和衬底；在工件上方提供盖环，该盖环具有至少一个穿孔区域和至少一个未穿孔区域；使用等离子体源来产生等离子体；以及，使用所产生的等离子体来处理工件。

公开(公告)号：CN104737285B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201380051012.0

申请日：2013-09-25

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 彼得·法尔沃 ,  林内尔·马丁内斯 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  里什·高尔丁 ,  鲁塞尔·韦斯特曼

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L33/00 ,  B28D5/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/78 ,  B28D5/00 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/7813

摘要： 本发明提供了一种用于切割具有背衬金属的基材的方法，所述方法包括下列步骤。所述基材提供有第一表面和第二表面，其中所述第二表面与所述第一表面相对。在所述基材的第一表面上提供掩模层，并在所述基材的第二表面上提供薄膜层。经过所述掩模层切割所述基材的第一表面，以暴露出所述基材的第二表面上的所述薄膜层。在通过所述切割步骤已暴露出所述薄膜层后，将来自于流体射流的流体施加到所述基材的第二表面上的所述薄膜层。

公开(公告)号：CN106068548A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201580012477.4

申请日：2015-01-02

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 里什·高尔丁 ,  德瓦拉卡纳特·吉尔普拉姆 ,  肯·麦肯齐 ,  蒂埃里·拉泽兰德 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  林内尔·马丁内斯 ,  鲁塞尔·韦斯特曼 ,  戈登·M·格里夫纳 ,  杰森·道布

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/78

摘要： 本发明提供一种用于对衬底进行等离子体切片的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；邻近于处理室的壁提供等离子体源；在处理室内提供工件支撑件；将衬底放置在载体支撑件上以形成工件；提供置于衬底与框架之间的中间环；将工件装载到工件支撑件上；通过等离子体源来产生等离子体；以及通过所产生的等离子体来蚀刻工件。

公开(公告)号：CN105144352A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480015370.0

申请日：2014-03-05

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 德瓦拉卡纳特·吉尔普拉姆 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  林内尔·马丁内斯 ,  克里斯·约翰逊 ,  大卫·约翰逊 ,  鲁塞尔·韦斯特曼

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/78 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32651 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/782 ,  H01L2221/68327 ,  Y10S414/139

摘要： 本发明提供了一种用于对衬底进行等离子体处理的方法。该方法包括：提供具有壁的处理室；邻近处理室的所述壁提供等离子体源；在处理室内提供工件支撑件；将工件装载到工件支撑件上，该工件具有支撑膜、框架和衬底；在工件上方提供盖环，该盖环具有至少一个穿孔区域和至少一个未穿孔区域；使用等离子体源来产生等离子体；以及，使用所产生的等离子体来处理工件。

公开(公告)号：CN104246009A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380015708.8

申请日：2013-03-22

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 大卫·约翰逊

IPC分类号： C23C16/52 ,  G01B11/06 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/50 ,  G01B11/0633 ,  G01B11/0683 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972

摘要： 本发明提供了一种在沉积期间确定薄膜的厚度的方法。设置目标膜厚度。将基片放置在沉积系统内。在沉积系统内将薄膜沉积到基片上。在薄膜的沉积期间使用标准OEI技术监测在多个波长下从基片反射的辐射。监测从所反射的辐射得出的值。检测得出的值处于目标值的时间。计算在检测到的时间的膜厚度以生成数据。对生成的数据执行数学分析以确定沉积的膜厚度相对于时间的方程。所计算出的沉积的膜厚度相对于时间的方程被用于达到目标膜厚度。

公开(公告)号：CN102282645B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201080004816.1

申请日：2010-01-20

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 格林·雷诺兹

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/68 ,  C23F1/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/6831 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/2005

摘要： 本发明提供了一种用于衬底处理系统的改进的静电吸盘。所述静电吸盘包括：主体，其具有被构造成支撑衬底的顶表面；电源，其用于向主体施加电压；以及密封环，其位于主体和衬底之间，其中密封环具有导电层。