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公开(公告)号：CN113130427B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN201911406374.2
申请日：2019-12-31
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/768 , H01L23/31 , H01L23/48
摘要： 本发明提供一种焊盘结构及其制备方法和半导体器件，所述焊盘结构包括底部金属层，包括若干分离的导电区；中部金属层，形成于所述底部金属层上，所述中部金属层与所述底部金属层之间通过中间导电通孔连接；顶部金属层，形成于所述中部金属层上，所述中部金属层与所述顶部金属层之间通过顶部导电通孔连接；顶部绝缘层，设置于所述顶部金属层上，所述顶部绝缘层内开设有显露出所述顶部金属层的上表面的焊盘开口；其中，所述顶部金属层的面积大于所述中部金属层的面积，所述焊盘开口于所述中部金属层所在平面上的投影包围所述中部金属层。本发明的焊盘结构，可应用于高速芯片封装PAD结构，可以同时兼顾寄生效应和可靠性。
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公开(公告)号：CN116938159A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311205943.3
申请日：2023-09-19
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种差分输入的电路、差分对失配噪声补偿电路及方法，包括：第一、第二MOS管模块构成差分对，均包括a个MOS管，a为大于等于1的自然数；其中，第一MOS管模块中各MOS管并联；第二MOS管模块中各MOS管并联；第一、第二MOS管模块中各MOS管的类型相同；失配检测模块，实时对环境变化导致的第一与第二MOS管模块的失配进行检测，得到失配检测信号；背偏调控模块，输出端连接各MOS管的衬底，基于失配检测信号分别调节各MOS管的背偏电压，进而实现第一、第二MOS管模块的阈值电压的匹配。本发明基于背偏调控改变差分对的阈值电压，实现差分对的精准匹配，从而降低差分对的失配噪声，提高电路的精度。
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公开(公告)号：CN116381345A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310385625.3
申请日：2023-04-11
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： G01R27/02
摘要： 本发明提供一种薄膜电阻测量结构、测量方法以及测量系统，包括：第一电阻测量模块以及第二电阻测量模块；所述第一电阻测量模块包括第一旁路电阻测量单元及第二旁路电阻测量单元，用于得到旁路电阻的阻值；第二电阻测量模块包括M个串联设置的测量单元，用于得到旁路电阻和薄膜电阻的阻值；M为大于等于2的整数。本发明结构简单，测量步骤简约，不需要配置复杂的仪器进行测量。不需要在多个位置进行多次测量并进行数据分析，得到的薄膜电阻阻值准确，测量结构及测量方法适用环境广泛。
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公开(公告)号：CN116053261B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202310041671.1
申请日：2023-01-28
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/64 , H01L23/367 , H10N97/00
摘要： 本发明提供一种高精度的薄膜电阻装置及其制备方法，本发明通过在薄膜电阻下方设置隔离沟槽，利用隔离沟槽中设置的导热复合结构，使所述薄膜电阻与所述导热复合结构发生热交换，所述导热复合结构进一步通过其与散热孔形成导热接触将热量疏散，有效提高薄膜电阻周边环境的导热效率；通过设置散热孔及其内部设置有导热性良好的金属，薄膜电阻的周围提供额外的热耗散通道，使得薄膜电阻的工作温度保持在低温度漂移的环境下，还能够抑制大负载的持续时间内薄膜电阻的阻值漂移，从而减少薄膜电阻精度下降导致的转换电路精度以及分辨率下降。
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公开(公告)号：CN115911117B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310146980.5
申请日：2023-02-22
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/423 , H01L21/331 , H01L29/735
摘要： 本发明提供一种双极型晶体管结构及其制作方法，包括P型衬底、N型外延层、分隔结构、电极引出端注入区、栅极结构以及电极引出端，分隔结构将所述P型衬底及N型外延层中分隔出第一区域与第二区域，电极引出端注入区包括基极引出端注入区、集电极引出端注入区及发射极引出端注入区，第一区域中的各电极引出端注入区之间电隔离，第二区域中的发射极引出端注入区与集电极引出端注入区之间通过栅极结构连接。本发明的双极型晶体管通过在发射区与集电区之间增加栅极，用以调控横向PNP基区的电势，形成其与发射区、集电区构成的并联MOS管，通过周期性施加栅极端的电压，可以形成正反馈，使PNP管在大电流下稳定工作且不会发生击穿现象。
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公开(公告)号：CN116053261A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310041671.1
申请日：2023-01-28
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/64 , H01L23/367 , H10N97/00
摘要： 本发明提供一种高精度的薄膜电阻装置及其制备方法，本发明通过在薄膜电阻下方设置隔离沟槽，利用隔离沟槽中设置的导热复合结构，使所述薄膜电阻与所述导热复合结构发生热交换，所述导热复合结构进一步通过其与散热孔形成导热接触将热量疏散，有效提高薄膜电阻周边环境的导热效率；通过设置散热孔及其内部设置有导热性良好的金属，薄膜电阻的周围提供额外的热耗散通道，使得薄膜电阻的工作温度保持在低温度漂移的环境下，还能够抑制大负载的持续时间内薄膜电阻的阻值漂移，从而减少薄膜电阻精度下降导致的转换电路精度以及分辨率下降。
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公开(公告)号：CN115831941A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310092034.7
申请日：2023-02-10
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/64 , H01L23/552 , H10N97/00
摘要： 本发明提供一种薄膜电阻结构，包括从下往上依次叠置的衬底、N型层、噪声抑制层、介质层及电阻层，其中，所述噪声抑制层包括在水平方向上交替排列的N型掺杂层及P型掺杂层。本发明的薄膜电阻结构主要利用噪声抑制层中的交替排列的N型掺杂层及P型掺杂层形成的背靠背双极管结构，在PN结反向偏置时空间电荷区增大了电阻，从而抑制阱区的电势波动或衬底噪声对上层电阻信号传输的影响，提高器件性能的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN114879799B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210475745.8
申请日：2022-04-29
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供一种带隙基准电路，包括：基准产生模块，用于根据温度系数修调值对正温度系数电压和负温度系数电压进行叠加并产生带隙基准电压；温度系数修调模块，与所述基准产生模块相连接，用于根据负温度系数电压转换的第一时钟对正温度系数电压转换的第二时钟进行计数，并根据计数结果得到当前温度下的温度系数理论值，再根据所述温度系数理论值对所述基准产生模块的温度系数进行修调得到所述温度系数修调值。通过本发明提供的带隙基准电路，解决了现有带隙基准电压因负温度系数电压存在二阶温度系数所导致的精度不高的问题。
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公开(公告)号：CN115001422B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210838861.1
申请日：2022-07-18
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种预放大器，包括：第一输入管、第二输入管、第一负载电容、第二负载电容、第一开关、第二开关、第三开关及第四开关；第一输入管及第二输入管的栅端连接差分输入信号，第一输入管及第二输入管的源端接地，第一输入管的漏端通过串联的第一开关和第三开关连接电源电压，第二输入管的漏端通过串联的第二开关和第四开关连接电源电压，第一负载电容连接于第一开关与第三开关的连接节点和地之间，第二负载电容连接于第二开关与第四开关的连接节点和地之间，第一开关与第三开关的连接节点及第二开关与第四开关的连接节点作为预放大器的差分输出端。通过本发明提供的预放大器，解决了现有预放大器无法满足高速、低噪声、低功耗要求的问题。
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公开(公告)号：CN112951735B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110118313.7
申请日：2021-01-28
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆键合质量检测方法及系统，检测方法包括如下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括叠置的第一硅层和第一键合金属层，第二晶圆包括叠置的第二硅层和第二键合金属层，第一晶圆和第二晶圆通过第一键合金属层与第二键合金属层相互键合以形成测试结构；对测试结构进行电流电压测试，得到测试结构的电流电压测试曲线，并根据电流电压测试曲线表征测试结构的键合质量。本发明针对低温键合晶圆界面的质量评估需求，通过对测试结构进行电流电压测试，实现了对晶圆键合质量快速且无损的表征，揭示了键合界面的电学特性，对于三维单片集成工艺的开发具有重要意义。
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