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公开(公告)号：CN116667143A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310627562.8
申请日：2023-05-31
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/22
摘要： 本申请提供了一种半导体激光器，包括衬底、外延结构和第一阻挡层，外延结构包括自下而上层叠设置的第一限制层、第一波导层、有源区、第二波导层和第二限制层。其中，第二限制层和部分第二波导层被设置为沿远离衬底的方向竖直延伸的凸起，以形成脊形部，并在脊形部两侧的第二波导层上形成台阶区。通过将脊形部的底端设置在第二波导层上，以在半导体激光器正向导通时减小载流子向有源区内的注入时的注入面积，提高载流子的注入效率。同时，将第二阻挡层设置在台阶区及脊形部的侧壁上，可以有效阻止部分载流子向脊形部的两侧扩散而导致的漏电，或自脊形部的两侧注入有源区，进一步提高载流子的注入效率，达到提高半导体激光器输出功率的目的。
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公开(公告)号：CN116613252A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310742294.4
申请日：2021-12-10
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种微发光二极管、微发光元件和显示器，微发光二极管包括外延层和介质层；外延层包括顺序排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层，且具有相对设置的第一表面和第二表面，第一半导体层位于外延层靠近第一表面的一侧；外延层配置有台面，台面暴露出第一半导体层，且朝向第二表面；介质层覆盖第一表面和外延层的至少部分侧壁，且介质层在外延层侧壁的高度H1小于台面的高度。本申请在外延层中的第一表面设置介质层，该介质层可作为应力修复层，在利用激光剥离工艺使基板与微发光二极管分离的过程中，避免外延层出现裂缝等缺陷或者避免利用蚀刻工艺对外延层所造成的粗化损伤进一步扩大，提高微发光二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN113178437B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202110538965.6
申请日：2017-12-21
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/54
摘要： 本发明提供一种白光LED封装结构，包括：基板，LED芯片以及波长转换材料层；其特征在于：至少两种波长的LED芯片，其中第一种LED芯片的峰值波长介于385~425nm之间，第二种芯片的峰值波长长于第一种LED芯片的峰值波长，所述波长转换材料层的发射光谱峰值波长介于440~700nm，所述波长转换材料层吸收由所述LED芯片射出的光而发出白光源。
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公开(公告)号：CN114267763B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111481531.3
申请日：2021-12-06
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种紫外发光二极管，其包括衬底、外延结构、第一接触电极和第二接触电极，外延结构位于衬底的上表面，并包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一凹槽是自第二半导体层贯穿至第一半导体层，第二凹槽是自第一半导体层向衬底延伸，第一半导体层于第二凹槽处具有第一侧壁，第一接触电极至少覆盖部分第一侧壁，第二接触电极位于外延结构上，并电连接第二半导体层，其中，第一半导体层中掺杂有Al，从紫外发光二极管的上方朝向外延结构俯视，第一凹槽的面积占外延结构的面积的20％‑70％，第二凹槽位于第一凹槽的内部。借此设置，既可以提升紫外发光二极管的出光效率，还可降低整体操作电压。
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公开(公告)号：CN112335060B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202080003192.5
申请日：2020-04-09
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管器件及其制备方法，不仅适用于垂直结构的发光二极管器件，还适用于水平结构、高压结构等其他系列的发光二极管器件。该发光二极管器件包括基板以及位于基板的上表面的多个台面结构，该台面结构包括位于发光区域的发光二极管台面和位于切割区域的切割区台面，发光二极管台面与切割区台面间隔排列，切割区域包括切割道以及间隔区，切割道内部的反射金属层、牺牲层和第一绝缘层呈梯形分布，这种梯形分布的方式有效改善了切割道处应力的连续方向，减小了应力的持续累积，进而减少或者消除了应力纹及半导体外延层易剥离、易脱落的异常，能够有效改善发光二极管器件的外观良率，提高发光二极管器件的产品品质。
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公开(公告)号：CN111201595B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201980004676.9
申请日：2019-04-03
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 一种显示装置的制造方法，包括步骤：提供N个LED芯片集合，N个LED芯片集合由N个晶圆切割而来，没有重新排列，其中第一个LED芯片集合产自第一个晶圆，第二个LED芯片集合产自第二个晶圆，……第N个LED芯片集合产自第N个晶圆，其中N为大于2的整数；提供电路板（200），电路板（200）的上表面有一系列的LED芯片安装区（210）；从N个LED芯片集合选取LED并转移到电路板（200），直至芯片安装区（210）排满LED芯片，来自不同LED芯片集合的芯片混合排列；对LED芯片进行封装，形成显示装置。还提供一种显示装置。
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公开(公告)号：CN115513246A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211159038.4
申请日：2022-09-22
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
发明人： 李明逵
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管阵列、发光装置及其制造工艺，以弹性电连接层作为受力基板，在半导体层序列上设置间隙，使得半导体层序列分割为若干独立发光二极管构成的发光二极管阵列，间隙自第一半导体层外露的表面延伸至电连接层；于发光二极管露出的表面制作与第一半导体层接触的第一电极，于半导体层序列露出的表面和间隙中制作绝缘保护层以使得各发光二极管之间相互电性绝缘，并且可于间隙中制作绝缘反射层以避免各发光二极管之间相互漏光以提高阵列的解析度，其中间隙的宽度介于20‑40nm。本发明可获得间隙较小的发光二极管阵列，进而获得近乎最大PPI的发光二极管阵列。
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公开(公告)号：CN110710003B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201880035505.8
申请日：2018-09-04
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/54 , H01L25/075
摘要： 一种紫外发光二极管封装结构及其制作方法，包括：提供支架、LED芯片以及封装罩体，该LED芯片设在支架上，于支架上设有凹槽结构及非凹槽区域，封装罩体选用含氟树脂，该含氟树脂覆盖LED芯片、支架的上表面以及凹槽结构。采用含氟树脂作为封装罩体，并于支架上表面和/或侧表面和/或下表面形成凹槽结构，增强含氟树脂与支架的结合力。
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公开(公告)号：CN115036404A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210521348.X
申请日：2022-05-13
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种微发光组件、显示装置及其制作方法，包括：至少一支撑结构，所述支撑结构由介质层和/或半导体层构成桥臂结构；半导体层序列；所述半导体层序列通过桥臂与基板直接或者间接接触固定，支撑结构还包括突出部，突出部从基板向支撑结构延伸，突出部距离支撑结构的距离为0μm至1μm，从而提升微发光组件的转移良率。
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公开(公告)号：CN114864771A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110148692.4
申请日：2021-02-03
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司 , 华为终端有限公司
摘要： 本发明公开一种微型发光二极管和显示面板。所述微型发光二极管包括外延叠层和电流扩展层，所述外延叠层的上表面包括欧姆接触区和非欧姆接触区，所述非欧姆接触区至少包括位于所述外延叠层上表面周边的外边缘区；所述外边缘区的表面经过表面破坏处理；所述电流扩展层位于所述欧姆接触区上。所述微型发光二极管的光电性能提升。
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