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公开(公告)号：CN115349180A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202180001749.6
申请日：2021-03-12
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司 , 华为终端有限公司
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/00 , H01L27/15 , H01L21/683
摘要： 本发明公开微发光元件，微发光二极管及其转印方法，其中微发光二极管包括半导体外延叠层，包含第一类型半导体层、第二类型半导体层和两者之间的有源层；第一台面，由半导体外延叠层凹陷露出的第一类型半导体层构成，第二台面，由第二类型半导体层构成；侧壁，形成于半导体外延叠层外边缘，位于第一台面和第二台面之间；第一接触电极和第二接触电极，分别形成于第一台面和第二台面之上；第一键合电极和第二键合电极，分别形成于所述第一接触电极和第二接触电极之上；其特征在于：所述侧壁与所述第一台面的夹角为θ1，所述θ1的范围为105°≤θ1≤165°。本发明通过侧壁具有倾斜表面，键合电极跨接台面的设计可提升微发光元件的转移良率。
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公开(公告)号：CN114864771A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110148692.4
申请日：2021-02-03
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司 , 华为终端有限公司
摘要： 本发明公开一种微型发光二极管和显示面板。所述微型发光二极管包括外延叠层和电流扩展层，所述外延叠层的上表面包括欧姆接触区和非欧姆接触区，所述非欧姆接触区至少包括位于所述外延叠层上表面周边的外边缘区；所述外边缘区的表面经过表面破坏处理；所述电流扩展层位于所述欧姆接触区上。所述微型发光二极管的光电性能提升。
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公开(公告)号：CN115021071A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210572551.X
申请日：2020-06-09
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种激光二极管及其制造方法，在本发明的一个实施例中的激光二极管包括：衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；形成在所述衬底的第一表面的外延层，所述外延层在顶部形成有脊；形成在所述脊的上方的第二电极接触层；形成在所述脊的侧壁及上方的光场包覆层，其折射率为1.3~1.9，所述光场包覆层包括包覆所述脊的侧壁的第一部分及形成在所述脊的上方的第二部分，其中所述光场包覆层的第二部分在所述脊的上表面的面积占比为20%以上。本发明的激光二极管的光场包覆层进一步形成了光场限制，同时可以保护脊的侧壁，防止漏电；增大了出光面的绝缘层的面积，降低出光腔面端的增益，平衡了腔体的电流注入和光场的分布。
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公开(公告)号：CN112204758A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202080002983.6
申请日：2020-03-09
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明提出一种微LED外延结构，该外延结构至少包括N型层、发光层、P型层。其中发光层包括n个周期的量子阱结构，每一个周期的量子阱结构包括阱层和势垒层，其中n1个周期的量子阱结构定义为第一发光区，n2个周期的量子阱结构定义为第二发光区，n1和n2大于等于1，且n1+n2小于等于n，第一发光区比第二发光区更接近N型层，两组发光区势垒层材料的平均带隙满足以下条件：第一发光区小于第二发光区；两组发光区阱层材料的平均带隙满足以下条件：第一发光区大于等于第二发光区。利用该外延结构制备的微LED，可实现峰值光电转换效率对应电流密度低于1A/cm2，且光电转换效率提升约30%。
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公开(公告)号：CN106784214B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201710051343.4
申请日：2017-01-23
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法，包括衬底，第一导电型的第一半导体层，至少一具有M个开口向上或向下V形坑的多量子阱的第一有源层，至少一界面连接层，至少一具有N个开口向上或向下V形坑的多量子阱的第二有源层组成的多重堆叠的多量子阱结构，第一有源层和第二有源层交替垒加；以及邻接所述多重堆叠的多量子阱结构的第二导电型的第二半导体层，可以调控组合V形坑的体积、形态和密度，提升量子效应和发光效率。
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公开(公告)号：CN106328773B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201610739694.X
申请日：2016-08-29
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制作方法，在P型氮化物和N型氮化物中插入应力控制层/反射层/电磁场发生层的复合结构，在电流通过电磁场发生层时，因电磁感应产生磁场，控制应力控制层产生应力，从而调控多量子阱受的应力类型和大小，提高发光二极管的o光比例和量子阱的载流子跃迁复合效率，提升发光效率和改善efficiency droop效应。
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公开(公告)号：CN106169526B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610739916.8
申请日：2016-08-29
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化物发光二极管，包括：衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，应力控制层，P型氮化物，以及P型接触层，其中多量子阱区域的V‑pits两侧和/或上方至少具有一应力控制层，通过调节所述应力控制层的张应力或压应力，从而给V‑Pits的侧壁施加张应力或压应力，控制V‑pits的开角θ，调控V‑pits对多量子阱MQW发出光的反射效率，降低全反射角对出光的影响，提升光提取效率，提升氮化物发光二极管的发光强度和发光效率。
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公开(公告)号：CN105489725B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201610047379.0
申请日：2016-01-25
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种LED芯片结构及制作方法，包括：衬底、位于衬底之上的第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层组成的发光外延层、位于第一导电类型半导体层上的第一电极以及位于第二导电类型半导体层上的第二电极，其特征在于：在所述发光外延层中插入颗粒介质层，作为掩膜层，以控制穿透位错均匀性，从而在所述发光外延层中形成非均匀分布的V型坑，以改善电流分布和注入均匀性，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN106025024B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610577588.6
申请日：2016-07-21
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制作方法，包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，V‑pits空气腔控制层，V‑pits空气腔盖层，V‑pits的空气腔，P型氮化物以及P型接触层，其多量子阱区域的V‑Pits具有可调控的空气腔层，通过在V‑pits底部沉积空气腔控制层，然后，转移及沉积V‑pits的盖层，形成V‑pits的空气腔，从而制作V‑pits的空气腔层的体积和形状可调控的氮化物发光二极管，通过改变多量子阱发出光的散射和折射路径，提升光提取效率，提升氮化物发光二极管的发光强度和发光效率。
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