公开(公告)号：CN106169526B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201610739916.8

申请日：2016-08-29

申请人： 厦门市三安光电科技有限公司

发明人： 郑锦坚 ,  钟志白 ,  李志明 ,  邓和清 ,  杜伟华 ,  苏龙兴 ,  伍明跃 ,  周启伦 ,  林峰 ,  李水清 ,  康俊勇

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32

摘要： 本发明公开了一种氮化物发光二极管，包括：衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，应力控制层，P型氮化物，以及P型接触层，其中多量子阱区域的V‑pits两侧和/或上方至少具有一应力控制层，通过调节所述应力控制层的张应力或压应力，从而给V‑Pits的侧壁施加张应力或压应力，控制V‑pits的开角θ，调控V‑pits对多量子阱MQW发出光的反射效率，降低全反射角对出光的影响，提升光提取效率，提升氮化物发光二极管的发光强度和发光效率。

公开(公告)号：CN106025024B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201610577588.6

申请日：2016-07-21

申请人： 厦门市三安光电科技有限公司

发明人： 郑锦坚 ,  邓和清 ,  钟志白 ,  李志明 ,  杨焕荣 ,  苏龙兴 ,  伍明跃 ,  周启伦 ,  林峰 ,  李水清 ,  康俊勇

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

摘要： 本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制作方法，包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，V‑pits空气腔控制层，V‑pits空气腔盖层，V‑pits的空气腔，P型氮化物以及P型接触层，其多量子阱区域的V‑Pits具有可调控的空气腔层，通过在V‑pits底部沉积空气腔控制层，然后，转移及沉积V‑pits的盖层，形成V‑pits的空气腔，从而制作V‑pits的空气腔层的体积和形状可调控的氮化物发光二极管，通过改变多量子阱发出光的散射和折射路径，提升光提取效率，提升氮化物发光二极管的发光强度和发光效率。

公开(公告)号：CN106169526A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610739916.8

申请日：2016-08-29

申请人： 厦门市三安光电科技有限公司

发明人： 郑锦坚 ,  钟志白 ,  李志明 ,  邓和清 ,  杜伟华 ,  苏龙兴 ,  伍明跃 ,  周启伦 ,  林峰 ,  李水清 ,  康俊勇

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32

摘要： 本发明公开了一种氮化物发光二极管，包括：衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，应力控制层，P型氮化物，以及P型接触层，其中多量子阱区域的V‑pits两侧和/或上方至少具有一应力控制层，通过调节所述应力控制层的张应力或压应力，从而给V‑Pits的侧壁施加张应力或压应力，控制V‑pits的开角θ，调控V‑pits对多量子阱MQW发出光的反射效率，降低全反射角对出光的影响，提升光提取效率，提升氮化物发光二极管的发光强度和发光效率。

公开(公告)号：CN106025024A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610577588.6

申请日：2016-07-21

申请人： 厦门市三安光电科技有限公司

发明人： 郑锦坚 ,  邓和清 ,  钟志白 ,  李志明 ,  杨焕荣 ,  苏龙兴 ,  伍明跃 ,  周启伦 ,  林峰 ,  李水清 ,  康俊勇

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12

摘要： 本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制作方法，包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，V‑pits空气腔控制层，V‑pits空气腔盖层，V‑pits的空气腔，P型氮化物以及 P型接触层，其多量子阱区域的V‑Pits具有可调控的空气腔层，通过在V‑pits底部沉积空气腔控制层，然后，转移及沉积V‑pits的盖层，形成V‑pits的空气腔，从而制作V‑pits的空气腔层的体积和形状可调控的氮化物发光二极管，通过改变多量子阱发出光的散射和折射路径，提升光提取效率，提升氮化物发光二极管的发光强度和发光效率。