发明授权
- 专利标题： 一种氮化物发光二极管及其制作方法
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申请号： CN201610739694.X申请日： 2016-08-29
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公开(公告)号： CN106328773B公开(公告)日： 2018-11-20
- 发明人: 郑锦坚 , 李志明 , 钟志白 , 廖树涛 , 代睿冬 , 张世鑫 , 伍明跃 , 周启伦 , 林峰 , 李水清 , 康俊勇
- 申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
- 申请人地址： 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号
- 专利权人： 厦门市三安光电科技有限公司
- 当前专利权人： 厦门市三安光电科技有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/32 ; H01L33/02 ; H01L33/46
摘要：
本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制作方法，在P型氮化物和N型氮化物中插入应力控制层/反射层/电磁场发生层的复合结构，在电流通过电磁场发生层时，因电磁感应产生磁场，控制应力控制层产生应力，从而调控多量子阱受的应力类型和大小，提高发光二极管的o光比例和量子阱的载流子跃迁复合效率，提升发光效率和改善efficiency droop效应。
公开/授权文献
- CN106328773A 一种氮化物发光二极管及其制作方法 公开/授权日：2017-01-11
IPC分类:
