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公开(公告)号：CN112335060B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202080003192.5
申请日：2020-04-09
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管器件及其制备方法，不仅适用于垂直结构的发光二极管器件，还适用于水平结构、高压结构等其他系列的发光二极管器件。该发光二极管器件包括基板以及位于基板的上表面的多个台面结构，该台面结构包括位于发光区域的发光二极管台面和位于切割区域的切割区台面，发光二极管台面与切割区台面间隔排列，切割区域包括切割道以及间隔区，切割道内部的反射金属层、牺牲层和第一绝缘层呈梯形分布，这种梯形分布的方式有效改善了切割道处应力的连续方向，减小了应力的持续累积，进而减少或者消除了应力纹及半导体外延层易剥离、易脱落的异常，能够有效改善发光二极管器件的外观良率，提高发光二极管器件的产品品质。
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公开(公告)号：CN114267762A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111395335.4
申请日：2021-11-23
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种具有高可靠性的发光二极管芯片，包括：半导体外延叠层，从上至下依次包括第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层；凹陷区域，位于所述半导体外延叠层的边缘，至少贯穿所述第一导电类型半导体层和发光层以裸露出凹陷表面；至少一电极，配置在所述凹陷表面上；以半导体外延叠层所在水平面的法线方向为俯视方向，从俯视方向观之，所述电极与所述凹陷区域的侧壁之间具有第一间距,所述第一间距大于等于30μm。非主动发光区域，位于所述半导体外延叠层的边缘，贯穿所述第一导电类型半导体层和发光层以裸露出非主动发光表面；波长转换层，至少覆盖于半导体外延叠层的上面区域及侧壁区域。
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公开(公告)号：CN113345993A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110604191.2
申请日：2021-05-31
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，该发光二极管依次包括：基板、第一反射层、第一绝缘层、金属阻挡层、第二反射层以及外延层，外延层中的有源层形成发光区，金属阻挡层包括第一部分及第二部分，第一部分位于形成发光二极管的外延层的发光区的下方，第二部分位于形成发光二极管的电极的电极区的下方。在基板的第一表面的投影中，金属阻挡层的第一部分的至少部分边缘线位于发光区的边缘线的内侧，金属阻挡层的第二部分的边缘线位于发光区的边缘线的外侧。本发明能够解决金属阻挡层对于光的吸收、遮挡问题，还能防止在后期形成电极时，刻蚀液超出金属阻挡层的阻挡范围向底层渗漏，有利于器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN111446343B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202010228867.8
申请日：2019-04-03
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 一种半导体发光器件，包括基板以及基板上的多层结构，多层结构从基板侧开始依次包括第二电连接层、绝缘层、第一电连接层、半导体发光序列，半导体发光序列包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；用于外部打线的第一电极，通过第一电连接层与第一导电类型半导体层电性连接；用于外部打线的第二电极，通过第二电连接层与第二导电类型半导体层电性连接；半导体发光序列、第一电极和第二电极位于基板的同侧；其特征在于：第二电连接层包括第一部分和第二部分，第一部分位于绝缘层一侧，第二部分自绝缘层一侧的第一部分延伸穿过绝缘层至第一电连接层同侧，并与第二电极连接，第二电连接层的第二部分未设置在第二电极下方的中心位置。
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公开(公告)号：CN112204760A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202080002647.1
申请日：2020-01-02
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 一种具有有限的发光面积的发光装置，包括支架（310）、安装于支架（310）上的LED芯片（320）及挡光层（330），挡光层（330）填充凹槽内非发光区域，并覆盖LED芯片（320）的部分表面，发光装置的发光面积小于或者等于LED芯片（320）的尺寸，形成明显的单点光源（Point Light Source），且没有光晕问题。
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公开(公告)号：CN110176438A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910502017.X
申请日：2019-06-11
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L23/49 , H01L23/495 , H01L23/498 , H01L25/07 , H01L29/861
摘要： 本发明公开了一种发光二极管，包括半导体本体，所述半导体本体具有带有适于产生辐射的有源层的外延层序列；以及绝缘基板，所述绝缘基板借助于一金属结合层与所述半导体本体连接，其中所述半导体本体与所述金属结合层的结合界面为一连续性平面；所述绝缘基板具有第一穿通接触部和第二穿通接触部，该第一穿通接触部和第二穿通接触部从所述绝缘基板的朝向半导体本体的第一主面引向所述绝缘基板的背离半导体本体的第二主面，其中第一穿通接触部与所述金属结合层形成电性连接；第一穿通接触部和第二穿通接触部位于所述半导体本体在所述绝缘基板的投影以外的区域。
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公开(公告)号：CN104103732B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410341608.0
申请日：2014-07-18
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明一种具有电流阻挡层的发光二极管的制作方法，至少包括以下步骤：在衬底上生长发光外延叠层，自下而上依次包括N型半导体层、活性层和P型半导体层；在发光外延叠层表面旋涂液态绝缘材料，并采用起泡机在液态绝缘材料中形成微小气泡；对形成微小气泡的液态绝缘材料，进行快速固化；采用黄光光刻以及蚀刻工艺，保留电流阻挡层区域，该区域位于后续电极正下方；制作电极，从而制得发光二极管芯片结构。
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公开(公告)号：CN116936702A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310806090.2
申请日：2020-04-09
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管器件及发光元件，不仅适用于垂直结构的发光二极管器件，还适用于水平结构、高压结构等其他系列的发光二极管器件。该发光二极管器件包括基板以及位于基板的上表面的多个台面结构，该台面结构包括位于发光区域的发光二极管台面和位于切割区域的切割区台面，发光二极管台面与切割区台面间隔排列，切割区域包括切割道以及间隔区，切割道内部的反射金属层、牺牲层和第一绝缘层呈梯形分布，这种梯形分布的方式有效改善了切割道处应力的连续方向，减小了应力的持续累积，进而减少或者消除了应力纹及半导体外延层易剥离、易脱落的异常，能够有效改善发光二极管器件的外观良率，提高发光二极管器件的产品品质。
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公开(公告)号：CN113345993B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110604191.2
申请日：2021-05-31
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，该发光二极管依次包括：基板、第一反射层、第一绝缘层、金属阻挡层、第二反射层以及外延层，外延层中的有源层形成发光区，金属阻挡层包括第一部分及第二部分，第一部分位于形成发光二极管的外延层的发光区的下方，第二部分位于形成发光二极管的电极的电极区的下方。在基板的第一表面的投影中，金属阻挡层的第一部分的至少部分边缘线位于发光区的边缘线的内侧，金属阻挡层的第二部分的边缘线位于发光区的边缘线的外侧。本发明能够解决金属阻挡层对于光的吸收、遮挡问题，还能防止在后期形成电极时，刻蚀液超出金属阻挡层的阻挡范围向底层渗漏，有利于器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112335060A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202080003192.5
申请日：2020-04-09
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管器件及其制备方法，不仅适用于垂直结构的发光二极管器件，还适用于水平结构、高压结构等其他系列的发光二极管器件。该发光二极管器件包括基板以及位于基板的上表面的多个台面结构，该台面结构包括位于发光区域的发光二极管台面和位于切割区域的切割区台面，发光二极管台面与切割区台面间隔排列，切割区域包括切割道以及间隔区，切割道内部的反射金属层、牺牲层和第一绝缘层呈梯形分布，这种梯形分布的方式有效改善了切割道处应力的连续方向，减小了应力的持续累积，进而减少或者消除了应力纹及半导体外延层易剥离、易脱落的异常，能够有效改善发光二极管器件的外观良率，提高发光二极管器件的产品品质。
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