光记录介质
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1227659C

    公开(公告)日:2005-11-16

    申请号:CN03143033.3

    申请日:2003-06-13

    Abstract: 提供具备以Sb为主要成分、并且Mn的含有率比以往高的全新概念的相变化型记录层的光记录介质。它是具备由多种元素构成的记录层3b的光记录介质1,记录层3b中含有Sb、Mn和Te,其组成比以SbaMnbTec表示,并以原子%表示a、b、c时,满足20≤a<80、20<b≤40、0≤c≤40、a+b+c=100、-0.646a+49.46≤b≤-0.354a+50.54的条件。采用此构成,不仅与以往具有采用只作为添加元素认识的Mn、并以硫属元素为主要成分的记录层的光记录介质同样甚至更能够提高结晶温度,还能够同样甚至更好地提高重写速度。

    光记录介质
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1463000A

    公开(公告)日:2003-12-24

    申请号:CN03138138.3

    申请日:2003-05-30

    Abstract: 本发明的主要目的是提供由除硫族之外的其它元素形成相变型记录层这样一个以全新概念为基础而构成的光记录介质。本发明为具有利用非晶相和结晶相之间可逆的相变的相变型记录层5的光记录介质,上述记录层5含有作为主成分的Sb,同时含有作为副成分的选自除VIb族以外的其它族及稀土类金属的至少1种元素。该情况下,上述副成分以选自Mn及Ge的至少1种元素为宜。

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