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公开(公告)号:CN1463000A
公开(公告)日:2003-12-24
申请号:CN03138138.3
申请日:2003-05-30
Applicant: TDK股份有限公司
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314
Abstract: 本发明的主要目的是提供由除硫族之外的其它元素形成相变型记录层这样一个以全新概念为基础而构成的光记录介质。本发明为具有利用非晶相和结晶相之间可逆的相变的相变型记录层5的光记录介质,上述记录层5含有作为主成分的Sb,同时含有作为副成分的选自除VIb族以外的其它族及稀土类金属的至少1种元素。该情况下,上述副成分以选自Mn及Ge的至少1种元素为宜。
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公开(公告)号:CN1905032A
公开(公告)日:2007-01-31
申请号:CN200610105786.9
申请日:2006-07-25
Applicant: TDK股份有限公司
Inventor: 新开浩
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/257 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , Y10T428/12694
Abstract: 本发明提供一种光记录介质(10)。该光记录介质(10)具有基板(12)、设置在该基板(12)上的光入射侧的第一信息层(14)、作为设置在比其更靠近光入射侧的半透过信息层的第二信息层(16)而成,上述第二信息层(16)包含记录膜(18)、以及相邻于该记录膜(18)的光入射侧而设置的界面层(20)而构成,该记录膜(18)由能够通过将物镜的数值孔径设为NA、激光束的波长设为λ时λ/NA≤650nm的光学系统来改写的相变材料来形成,而且界面层(20)由ZnS、SiO2以及Cr2O3来构成,另外,记录膜(18)将Sb作为主成分,而将Ge作为副成分。
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公开(公告)号:CN1808595A
公开(公告)日:2006-07-26
申请号:CN200510127192.3
申请日:2005-11-28
Applicant: TDK股份有限公司
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00375 , G11B7/006 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314
Abstract: 本发明涉及一种光记录介质及其测试方法,可以防止在高温下长时间保存时的再现信号的恶化,并在高温保存的前后可以进行稳定的记录再现之外,能够实现记录的高速化和提高记录密度,光记录介质在60℃~90℃的保存温度t下高温保存至少50-(4/3)(t-60)小时后被记录在记录层上的高温保存后的记录标记的再现信号输出,为具有与高温保存后的记录标记相同的位长、且在高温保存前被记录在记录层上的高温保存前的记录标记的再现信号输出的0.9倍或0.9倍以上。
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公开(公告)号:CN1767015A
公开(公告)日:2006-05-03
申请号:CN200510099925.7
申请日:2005-09-08
Applicant: TDK股份有限公司
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/24038 , G11B2007/0013
Abstract: 一种信息记录方法,如2层光记录介质的L1层,在光透射率高的记录层上不产生前后记录标记的热干涉及和相邻磁道的记录标记的串道擦除等,正确形成记录标记,其使用如下记录策略:将激光束脉冲调制成为包括记录功率的写入脉冲及基底功率的冷却脉冲的脉冲列,将应记录的数据调制成沿着记录层的磁道的记录标记的长度,且当设定1时钟周期为T时,使记录标记长度与T的整数倍nT对应,与nT对应的nT记录标记,在n为4或其以上时,使用同样多根的写入脉冲及冷却脉冲记录,使1根冷却脉冲宽度Tc的平均宽度AveTc为1.0<AveTc/T<1.6,且使所使用的冷却脉冲的总计脉冲宽度SumTc为0.5≤SumTc/nT≤0.8。
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公开(公告)号:CN100559479C
公开(公告)日:2009-11-11
申请号:CN200510099925.7
申请日:2005-09-08
Applicant: TDK股份有限公司
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/24038 , G11B2007/0013
Abstract: 一种信息记录方法,如2层光记录介质的L1层,在光透射率高的记录层上不产生前后记录标记的热干涉及和相邻磁道的记录标记的串道擦除等,正确形成记录标记,其使用如下记录策略:将激光束脉冲调制成为包括记录功率的写入脉冲及基底功率的冷却脉冲的脉冲列,将应记录的数据调制成沿着记录层的磁道的记录标记的长度,且当设定1时钟周期为T时,使记录标记长度与T的整数倍nT对应,与nT对应的nT记录标记,在n为4或其以上时,使用同样多根的写入脉冲及冷却脉冲记录,使1根冷却脉冲宽度Tc的平均宽度AveTc为1.0<AveTc/T<1.6,且使所使用的冷却脉冲的总计脉冲宽度SumTc为0.5≤SumTc/nT≤0.8。
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公开(公告)号:CN1471096A
公开(公告)日:2004-01-28
申请号:CN03143033.3
申请日:2003-06-13
Applicant: TDK股份有限公司
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B2007/24306 , G11B2007/24314 , Y10S430/146 , Y10T428/12701
Abstract: 提供具备以Sb为主要成分、并且Mn的含有率比以往高的全新概念的相变化型记录层的光记录介质。它是具备由多种元素构成的记录层3b的光记录介质1,记录层3b中含有Sb,且在构成记录层3b的所有元素的量设为100原子%时,以20原子%以上、40原子%以下的比例含有Mn。采用此构成,不仅与以往具有采用只作为添加元素认识的Mn、并以硫属元素为主要成分的记录层的光记录介质同样甚至更能够提高结晶温度,还能够同样甚至更好地提高重写速度。
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公开(公告)号:CN1855243A
公开(公告)日:2006-11-01
申请号:CN200610075572.1
申请日:2006-04-20
Applicant: TDK股份有限公司
IPC: G11B7/0045 , G11B7/12
CPC classification number: G11B7/0062
Abstract: 本发明提供了一种对光记录介质的信息记录方法,其以良好的形状形成记录标记的同时,抑制由高温保存的记录膜的再结晶引起的记录标记前端的变动。其特征在于,将照射相变型的光记录介质的记录层的激光束的记录波长设为λ、将用于激光束照射的物镜的开口数设为NA、将上述物镜和上述光记录介质的相对速度设为Lv、将插入最前头的写入脉冲之后的冷却脉冲的脉冲时间设为Tcool、将最前头的写入脉冲时间设为Ttop,则0.16≤(Lv×Tcool)/(λ/NA)≤0.30,而且0.06≤(Lv×Ttop)/(λ/NA)≤0.14。
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公开(公告)号:CN1227659C
公开(公告)日:2005-11-16
申请号:CN03143033.3
申请日:2003-06-13
Applicant: TDK股份有限公司
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B2007/24306 , G11B2007/24314 , Y10S430/146 , Y10T428/12701
Abstract: 提供具备以Sb为主要成分、并且Mn的含有率比以往高的全新概念的相变化型记录层的光记录介质。它是具备由多种元素构成的记录层3b的光记录介质1,记录层3b中含有Sb、Mn和Te,其组成比以SbaMnbTec表示,并以原子%表示a、b、c时,满足20≤a<80、20<b≤40、0≤c≤40、a+b+c=100、-0.646a+49.46≤b≤-0.354a+50.54的条件。采用此构成,不仅与以往具有采用只作为添加元素认识的Mn、并以硫属元素为主要成分的记录层的光记录介质同样甚至更能够提高结晶温度,还能够同样甚至更好地提高重写速度。
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公开(公告)号:CN1494071A
公开(公告)日:2004-05-05
申请号:CN03159377.1
申请日:2003-09-11
Applicant: TDK股份有限公司
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/006 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B2007/24306 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715
Abstract: 本发明的一种光记录媒体具有利用了非晶态相与结晶态相的可逆相变的相变型记录层,记录层分别至少含有Sb、Mn以及Te,同时,具有下述构造,即,在结晶态相的状态下,在面间隔()为2.12以上,3.13以下的范围内,利用X射线衍射可以确认仅在3.10±0.03、2.25±0.03以及2.15±0.03的各面间隔()的范围内分别存在一根衍射线的结构。这样,光记录媒体即使在激光短时间的照射的情况下,也能够可靠地进行结晶化、而且非晶质状态的热稳定性良好。
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公开(公告)号:CN100416668C
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200510079093.2
申请日:2005-06-24
Applicant: TDK股份有限公司
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
CPC classification number: G11B7/00456 , G11B2007/0013
Abstract: 像2层光记录媒体的L1层那样,在透光率高的记录层上正确地形成记录痕迹,而不会发生与前后记录痕迹间的热干扰或与邻接轨道的记录痕迹的横向擦拭等。在透光率高的半透光记录膜上进行记录时,将激光束脉冲调制成包含记录功率的写入脉冲和基底功率的冷却脉冲的脉冲串;把应记录的数据调制为沿记录层的轨道的记录痕迹的长度,并且,在取1时钟周期为T时,使记录痕迹的长度对应于T的整数倍nT;然后用(n-1)条写入脉冲记录对应于该nT的nT记录痕迹;在记录4T以上的记录痕迹时,在最末尾的写入脉冲之前,插入脉宽0.8T以上2T以下的冷却脉冲。
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