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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102248723A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110084040.5
申请日：2011-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: B32B18/00
CPC classification number: H05K1/0306 , H01G4/1209 , H01G4/20 , H01G4/30 , H01G4/33 , Y10T29/43
Abstract: 本发明涉及陶瓷电子部件和制造陶瓷电子部件的方法。一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层、第二电介质层和中间层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层材料不同的材料的层，和所述中间层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并且含有不共同包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层中的主组分作为主组分的层。
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公开(公告)号：CN102219503A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110084126.8
申请日：2011-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01B3/12
CPC classification number: C04B35/4686 , C01G23/006 , C01P2002/74 , C01P2004/51 , C01P2004/62 , C01P2004/82 , C01P2006/12 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/62635 , C04B35/62675 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , H01G4/1227
Abstract: 一种电介质陶瓷，其包括主组分和副组分。所述主组分包括BaTi4O9结晶相和Ba2Ti9O20结晶相，由(BaO·xTiO2)表示，具有4.6至8.0的TiO2相对于BaO的摩尔比x，并且在X-射线衍射中，具有1以上的BaTi4O9结晶相最大衍射峰强度(I14)与Ba2Ti9O20结晶相最大衍射峰强度(I29)的X-射线衍射峰强度比I29/I14。所述副组分包括硼氧化物和铜氧化物，其中所述硼氧化物含量在0.5至5.0质量份的范围内，相对于100质量份所述主组分，所述铜氧化物含量在0.1至3.0质量份的范围内，相对于100质量份所述主组分。
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公开(公告)号：CN102248723B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110084040.5
申请日：2011-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: B32B18/00
CPC classification number: H05K1/0306 , H01G4/1209 , H01G4/20 , H01G4/30 , H01G4/33 , Y10T29/43
Abstract: 本发明涉及陶瓷电子部件和制造陶瓷电子部件的方法。一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层、第二电介质层和中间层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层材料不同的材料的层，和所述中间层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并且含有不共同包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层中的主组分作为主组分的层。
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公开(公告)号：CN1674176A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510062466.5
申请日：2005-03-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12 , H01G4/30 , H01L41/083 , H01L41/24
CPC classification number: B32B18/00 , C04B35/491 , C04B35/638 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/721 , C04B2237/34 , C04B2237/346 , C04B2237/407 , H01L41/083 , H01L41/273
Abstract: 提供即使多层化或大型化也能够得到良好的制品、特别适合于叠层压电元件的叠层陶瓷元件的制造方法。形成交替地层叠了含有陶瓷层的原料的陶瓷前体层、和含有作为内部电极层的原料的金属铜的内部电极前体层的叠层体后，加热从而脱脂处理。此时，导入含有惰性气体、7摩尔％或以上50摩尔％或以下的水蒸气、和根据需要的氢的气氛气体，将氧分压调整在p(O2)≤(25331×Kp)2/3的范围内。p(O2)表示氧分压，Kp表示水的解离平衡常数；单位是Pa。据此能够一边抑制金属铜的氧化，一边充分地分解去除粘合剂，能够减少残留碳。
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公开(公告)号：CN102367211A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110185021.1
申请日：2011-06-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/16 , C04B35/622 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/20 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/36 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , H05K1/0306
Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷、电介质陶瓷的生产方法和电子部件。提供包括含有Mg2SiO4的主组分以及含有氧化锌和玻璃组分的添加剂的电介质陶瓷，其中在X射线衍射中，对于保持未反应的氧化锌的2θ为在31.0°至32.0°之间和在33.0°至34.0°之间的X射线衍射峰强度IB相对于对于作为主相的Mg2SiO4的2θ为在36.0°至37.0°之间的峰强度IA的峰强度比IB/IA为10％以下。所述电介质陶瓷具有96％以上的相对密度。
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