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公开(公告)号：CN105683268A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201580002482.7
申请日：2015-01-15
Applicant: LG化学株式会社
Abstract: 本发明公开的是一种制备聚芳香醚的方法以及由此制备的聚芳香醚，其中，所述方法包括：(a)在反应器中放置多种聚芳香烃和水然后搅拌它们；(b)将反应器内部的温度增加到150至300℃然后向反应器中供给含有10wt％以上的氧的气体来使反应器内部的氧的分压增加到2至30巴；以及(c)使所述多种聚芳香烃与氧反应来使多种聚芳香烃氧化。
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公开(公告)号：CN103400932B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310309148.9
申请日：2008-11-28
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及由以下通式表示的热电转换材料：Bi1?xMxCuwOa?yQ1yTeb?zQ2z。在此，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的至少一种元素；Q1和Q2为选自S、Se、As和Sb中的至少一种元素；x、y、z、w、a和b为0≤x
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公开(公告)号：CN103130199B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310021769.7
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0
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公开(公告)号：CN101977846B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200980110360.4
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0＜x＜1，05y＜1且0＜x+y＜1。所述化合物半导体可以代替常规的化合物半导体或者可与常规的化合物半导体一起用作热电转换器件。
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公开(公告)号：CN105683268B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201580002482.7
申请日：2015-01-15
Applicant: LG化学株式会社
Abstract: 本发明公开的是一种制备多环芳烃氧化物的方法以及由此制备的多环芳烃氧化物，其中，所述方法包括：(a)在反应器中放置多种多环芳烃和水然后搅拌它们；(b)将反应器内部的温度增加到150至300℃然后向反应器中供给含有10wt％以上的氧的气体来使反应器内部的氧的分压增加到2至30巴；以及(c)使所述多种多环芳烃与氧反应来使多种多环芳烃氧化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101946323B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200880126692.7
申请日：2008-11-28
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及由以下通式表示的热电转换材料：Bi1-xMxCu1-wOa-yQ1yTeb-zQ2z。在此，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的至少一种元素；Q1和Q2为选自S、Se、As和Sb中的至少一种元素；x、y、z、w、a和b为0≤x
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公开(公告)号：CN101946323A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200880126692.7
申请日：2008-11-28
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及由以下通式表示的化合物半导体：Bi1-xMxCuwOa-yQ1yTeb-zQ2z。在此，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Eu、Sm、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的至少一种元素；Q1和Q2为选自S、Se、As和Sb中的至少一种元素；x、y、z、w、a和b为0≤x＜1、0＜w≤1、0.2＜a＜4、0≤y＜4、0.2＜b＜4和0≤z＜4。这些化合物半导体可用在各种应用中，如太阳能电池或热电转换元件，其中它们可以取代常规使用的化合物半导体，或者与常规使用的化合物半导体一起使用。
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公开(公告)号：CN103400932A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310309148.9
申请日：2008-11-28
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及由以下通式表示的热电转换材料：Bi1-xMxCuwOa-yQ1yTeb-zQ2z。在此，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的至少一种元素；Q1和Q2为选自S、Se、As和Sb中的至少一种元素；x、y、z、w、a和b为0≤x
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公开(公告)号：CN103130199A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310021769.7
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0
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公开(公告)号：CN101977846A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110360.4
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0＜x＜1，05y＜1且0＜x+y＜1。所述化合物半导体可以代替常规的化合物半导体或者可与常规的化合物半导体一起用作热电转换器件。
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