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公开(公告)号：CN103178202A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310054899.0
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面的化学式表示的新型热电转换材料：Bi1-xCu1-yO1-zTe。在上面的化学式1中：0≤x 0。使用该热电转换材料的热电转换器件具有优异的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN101960627A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980108016.1
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面的化学式表示的新型热电转换材料：Bi1-xCu1-yO1-zTe。在上面的化学式1中：0≤x＜1，0≤y＜1，0≤z＜1且x+y+z＞0。使用该热电转换材料的热电转换器件具有优异的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN1934033A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580008376.6
申请日：2005-04-21
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01M8/1246 , C01B13/14 , C01G41/00 , C01G41/006 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2002/77 , C01P2006/40 , H01M2008/1293 , H01M2300/0068 , Y02E60/525 , Y02P70/56
Abstract: 本发明披露了具有新型晶体结构的金属复合氧化物，其以条件(a)～(c)为特征：(a)空间群为Fd－3m(no.227)；(b)晶胞参数为17.0±1.0；以及(c)在晶胞中由具有0＜占有率≤1位置占有率的阳离子占有的晶格位置为{8b(3/8，3/8，3/8)、48f(x，1/8，1/8)，其中0.37≤x≤0.43；32e(x，x，x)，其中0.20≤x≤0.26；16d(1/2，1/2，1/2)和16c(0，0，0)}。晶胞中的晶格坐标基于空间群No.227、原点选择2(p.701 of“International tablesfor crystallography”，vol.A，5thed.Kluwer Academic Publishers，2002)。本发明还披露了包括该金属复合氧化物的离子型导体和包括该离子型导体的电化学装置。该金属复合氧化物具有由晶胞内的金属离子位置和金属离子缺陷的排序导致的结晶学特异性而形成易于离子移动的离子通道。因此，根据本发明的金属复合氧化物在需要离子型导体或离子电导性的电化学装置中是有用的。
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公开(公告)号：CN101946323B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200880126692.7
申请日：2008-11-28
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及由以下通式表示的热电转换材料：Bi1-xMxCu1-wOa-yQ1yTeb-zQ2z。在此，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的至少一种元素；Q1和Q2为选自S、Se、As和Sb中的至少一种元素；x、y、z、w、a和b为0≤x
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公开(公告)号：CN101946323A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200880126692.7
申请日：2008-11-28
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及由以下通式表示的化合物半导体：Bi1-xMxCuwOa-yQ1yTeb-zQ2z。在此，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Eu、Sm、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的至少一种元素；Q1和Q2为选自S、Se、As和Sb中的至少一种元素；x、y、z、w、a和b为0≤x＜1、0＜w≤1、0.2＜a＜4、0≤y＜4、0.2＜b＜4和0≤z＜4。这些化合物半导体可用在各种应用中，如太阳能电池或热电转换元件，其中它们可以取代常规使用的化合物半导体，或者与常规使用的化合物半导体一起使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103400932A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310309148.9
申请日：2008-11-28
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及由以下通式表示的热电转换材料：Bi1-xMxCuwOa-yQ1yTeb-zQ2z。在此，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的至少一种元素；Q1和Q2为选自S、Se、As和Sb中的至少一种元素；x、y、z、w、a和b为0≤x
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公开(公告)号：CN103130199A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310021769.7
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0
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公开(公告)号：CN101977846A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110360.4
申请日：2009-08-31
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , C09K11/881 , C09K11/885 , H01B1/08 , H01B1/10 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/0725 , H01L35/18 , H01L35/22 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0＜x＜1，05y＜1且0＜x+y＜1。所述化合物半导体可以代替常规的化合物半导体或者可与常规的化合物半导体一起用作热电转换器件。
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公开(公告)号：CN100572276C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200580008376.6
申请日：2005-04-21
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01M8/1246 , C01B13/14 , C01G41/00 , C01G41/006 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2002/77 , C01P2006/40 , H01M2008/1293 , H01M2300/0068 , Y02E60/525 , Y02P70/56
Abstract: 本发明披露了具有新型晶体结构的金属复合氧化物，其以条件(a)～(c)为特征：(a)空间群为Fd-3m(no.227)；(b)晶胞参数为17.0±1.0；以及(c)在晶胞中由具有0＜占有率≤1位置占有率的阳离子占有的晶格位置为{8b(3/8，3/8，3/8)、48f(x，1/8，1/8)，其中0.37≤x≤0.43；32e(x，x，x)，其中0.20≤x≤0.26；16d(1/2，1/2，1/2)和16c(0，0，0)}。晶胞中的晶格坐标基于空间群No.227、原点选择2(p.701 of“International tablesfor crystallography”，vol.A，5thed.Kluwer Academic Publishers，2002)。本发明还披露了包括该金属复合氧化物的离子型导体和包括该离子型导体的电化学装置。该金属复合氧化物具有由晶胞内的金属离子位置和金属离子缺陷的排序导致的结晶学特异性而形成易于离子移动的离子通道。因此，根据本发明的金属复合氧化物在需要离子型导体或离子电导性的电化学装置中是有用的。
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公开(公告)号：CN1518777A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN02812484.7
申请日：2002-12-02
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01M4/525 , H01M4/131 , H01M4/364 , H01M4/505 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/4235 , H01M2004/028 , H01M2300/0037 , Y02E60/122
Abstract: 本发明涉及一种包含防过量放电剂的锂蓄电池。确切地说，本发明通过向包含氧化锂过渡金属、能够吸着和释放锂离子的锂蓄电池的阴极加入作为防过量放电剂的氧化镍锂提供一种包含防过量放电剂的锂蓄电池，其在过量放电测试中具有优良的效能并在测试后电容量恢复率达到90％或以上。氧化镍锂提供锂离子以使阳极的不可恢复的电容量得到补偿或改善，从而在过度放电测试中首先降低阴极电压以阻止阳极电压增高。
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