公开(公告)号：CN1934033A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580008376.6

申请日：2005-04-21

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 洪承泰 ,  卢允镐 ,  李应齐 ,  朴美惠

IPC: C01F1/00 ,  C01G41/00

CPC classification number: H01M8/1246 ,  C01B13/14 ,  C01G41/00 ,  C01G41/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/77 ,  C01P2006/40 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0068 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明披露了具有新型晶体结构的金属复合氧化物，其以条件(a)～(c)为特征：(a)空间群为Fd－3m(no.227)；(b)晶胞参数为17.0±1.0；以及(c)在晶胞中由具有0＜占有率≤1位置占有率的阳离子占有的晶格位置为{8b(3/8，3/8，3/8)、48f(x，1/8，1/8)，其中0.37≤x≤0.43；32e(x，x，x)，其中0.20≤x≤0.26；16d(1/2，1/2，1/2)和16c(0，0，0)}。晶胞中的晶格坐标基于空间群No.227、原点选择2(p.701 of“International tablesfor crystallography”，vol.A，5thed.Kluwer Academic Publishers，2002)。本发明还披露了包括该金属复合氧化物的离子型导体和包括该离子型导体的电化学装置。该金属复合氧化物具有由晶胞内的金属离子位置和金属离子缺陷的排序导致的结晶学特异性而形成易于离子移动的离子通道。因此，根据本发明的金属复合氧化物在需要离子型导体或离子电导性的电化学装置中是有用的。

公开(公告)号：CN100572276C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200580008376.6

申请日：2005-04-21

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 洪承泰 ,  卢允镐 ,  李应齐 ,  朴美惠

IPC: C01F1/00 ,  C01G41/00

CPC classification number: H01M8/1246 ,  C01B13/14 ,  C01G41/00 ,  C01G41/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/77 ,  C01P2006/40 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0068 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明披露了具有新型晶体结构的金属复合氧化物，其以条件(a)～(c)为特征：(a)空间群为Fd-3m(no.227)；(b)晶胞参数为17.0±1.0；以及(c)在晶胞中由具有0＜占有率≤1位置占有率的阳离子占有的晶格位置为{8b(3/8，3/8，3/8)、48f(x，1/8，1/8)，其中0.37≤x≤0.43；32e(x，x，x)，其中0.20≤x≤0.26；16d(1/2，1/2，1/2)和16c(0，0，0)}。晶胞中的晶格坐标基于空间群No.227、原点选择2(p.701 of“International tablesfor crystallography”，vol.A，5thed.Kluwer Academic Publishers，2002)。本发明还披露了包括该金属复合氧化物的离子型导体和包括该离子型导体的电化学装置。该金属复合氧化物具有由晶胞内的金属离子位置和金属离子缺陷的排序导致的结晶学特异性而形成易于离子移动的离子通道。因此，根据本发明的金属复合氧化物在需要离子型导体或离子电导性的电化学装置中是有用的。