公开(公告)号：CN105304630B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201510438446.7

申请日：2015-07-23

申请人： DB ,  HiTek株式会社

发明人： 金东昔 ,  李政官

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835

摘要： 本发明公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底以及形成在衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管包括在衬底上形成的第一栅极绝缘层，在第一栅极绝缘层的一侧形成并且厚度大于第一栅极绝缘层的第二栅极绝缘层，在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层上形成的栅极，邻近第一栅极绝缘层的源区，以及邻近第二栅极绝缘层的漏区。

公开(公告)号：CN105304630A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510438446.7

申请日：2015-07-23

申请人： 东部HITEK株式会社

发明人： 金东昔 ,  李政官

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835

摘要： 本发明公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底以及形成在衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管包括在衬底上形成的第一栅极绝缘层，在第一栅极绝缘层的一侧形成并且厚度大于第一栅极绝缘层的第二栅极绝缘层，在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层上形成的栅极，邻近第一栅极绝缘层的源区，以及邻近第二栅极绝缘层的漏区。