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公开(公告)号：CN207529369U
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201721344016.X
申请日：2017-10-18
IPC分类号： G06F11/30
CPC分类号： G11C29/50012 , G11C7/222 , G11C8/18 , G11C29/12015 , G11C2029/0401
摘要： 用于测量记忆体的访问时间的系统，包括：配置为将时钟信号延迟第一延迟时间并输出第一延迟时钟信号的第一延迟单元，配置为将时钟信号延迟比第一延迟时间长的第二延迟时间并输出第二延迟时钟信号的第二延迟单元，配置为存储数据的记忆体，响应于第一延迟时钟信号从记忆体中读取数据，配置成响应于第二延迟时钟信号存储从记忆体中读取的数据的检测数据存储器，以及控制器，其配置成基于检测数据存储器中数据和记忆体中数据的比较、第一延迟时钟信号和第二延迟时钟信号来测量记忆体的访问时间。
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公开(公告)号：CN206573520U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201720104611.X
申请日：2017-01-26
申请人： 东部HITEK株式会社
IPC分类号： G01N27/26
CPC分类号： G01N27/125 , G01N27/123 , G01N27/128 , H01L29/66007
摘要： 一种半导体气体传感器包括基板，其具有腔室；第一绝缘层，其形成在所述基板上且包括在与所述腔室和所述腔室的外周部分相应的位置上形成的暴露孔；第二绝缘层，其形成在所述第一绝缘层上且覆盖所述暴露孔；加热电极，其形成在所述第二绝缘层上且形成在与所述腔室相应的位置上；感测电极，其形成在所述加热电极上方且与所述加热电极电绝缘；以及检测层，其覆盖所述感测电极且能够当与预定种类的气体相作用时具有可变电阻。该半导体气体传感器能够保持感测区域的温度恒定以及感测区域的温度分布均匀。
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公开(公告)号：CN207677872U
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201721387081.0
申请日：2017-10-25
发明人： 沈喜成
IPC分类号： H04N5/335 , H01L27/146
摘要： 图像传感器可包括：像素阵列，其包括具有有源像素的有源像素区和具有暗像素的暗像素区；模数转换单元，其配置为通过转换每个暗像素的模拟输出来生成暗像素数据代码并通过转换每个有源像素的模拟输出来生成有源像素数据代码；偏移提取器，其配置为使用暗像素数据代码提取最终偏移；和校正器，其配置为使用最终偏移来校正有源像素数据代码。校正器根据有源像素数据代码和参考代码的比较输出校正像素数据代码和参考代码中的一个作为校正结果。校正像素数据代码通过使用最终偏移校正有源像素数据代码而获得。
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公开(公告)号：CN207337879U
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201721409339.2
申请日：2017-10-27
发明人： 黄泰皓
IPC分类号： G09G3/3208 , G09G3/3258
CPC分类号： G09G3/3266 , G09G2310/0291 , G09G2310/0294 , G09G2310/0297 , G09G2320/045 , G09G2330/12
摘要： 配置为感测显示面板的有机发光二极管(OLED)的阈值电压的电路，包括：配置为接收OLED的阈值电压的采样和保持单元，位于第一输入端子和第一参考电压之间的第一采样电容，和具有连接至第一采样电容的第一端子和连接至第二参考电压的第二端子的第一电荷共享电容，第二采样和保持单元，其包括连接至第一参考电压的第二输入端子、在第二输入端子和第一参考电压之间的第二采样电容，和具有连接至第二采样电容的第一端子和连接至第三参考电压的第二端子的第二电荷共享电容，以及包括分别连接至第一和第二输出端子的第一和第二放大器输入端子的放大器。
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公开(公告)号：CN206574713U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201720111303.X
申请日：2017-02-06
申请人： 东部HITEK株式会社
发明人： 韩昌勋
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14687
摘要： 一种背照式图像传感器包括基板，其具有前侧表面和背侧表面；光电二极管，其被设置在所述基板中；绝缘层，其被设置在所述背侧表面上；以及固定电荷层，其被设置在所述绝缘层上。在所述光电二极管和所述基板的所述背侧表面之间由所述固定电荷层形成能够用作背侧钉扎层的电荷累积区。
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公开(公告)号：CN206349365U
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201621469593.7
申请日：2016-12-29
申请人： 东部HITEK株式会社
发明人： 河万仑
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H04N5/3575 , H04N5/378
摘要： 本实用新型公开一种图像传感器。该图像传感器包括具有多个像素单元的像素阵列，配置成驱动像素阵列的控制器，以及配置成将像素阵列的感测信号输出转换成数字信号的模拟‑数字转换模块，其中，每个像素单元包括在半导体衬底上的光电二极管和多个晶体管，每个晶体管包括栅电极和栅极介电层，每个栅极介电层具有一厚度，并且栅极介电层中至少一个的厚度不同于其他栅极介电层中至少一个的厚度。
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公开(公告)号：CN206574714U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201720180692.1
申请日：2017-02-27
申请人： 东部HITEK株式会社
发明人： 金相华
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14643
摘要： 本实用新型公开了一种包含隔离结构的图像传感器。所述隔离结构包括设置在第二导电类型的基板中的第一导电类型的深阱区以及设置在用于累积光电荷的电荷累积区之间以使所述电荷累积区彼此电隔离的隔离区。所述电荷累积区设置在所述深阱区上且具有所述第二导电类型。所述隔离区与所述深阱区相连接且具有所述第一导电类型。
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公开(公告)号：CN209072735U
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201821484669.2
申请日：2018-09-11
申请人： DB HiTek 株式会社
发明人： 宣钟元
IPC分类号： H04R19/04
摘要： 一种MEMS麦克风包括具有腔室的基板；被设置在所述基板上方且具有多个声孔的背板；被设置在所述基板和所述背板之间的振膜，所述振膜与所述基板和所述背板间隔开，覆盖所述腔室以在所述振膜和所述背板之间形成气隙且被配置成响应声压产生位移；以及锚固件，其从所述振膜的端部延伸并沿所述振膜的圆周延伸，且所述锚固件包括与所述基板的上表面相接触以支撑所述振膜的下表面以及具有阶梯形状的被连接至所述振膜的连接部分。因此，所述MEMS麦克风可以具有提高的柔性和提高的THD。
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公开(公告)号：CN208271547U
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201820547540.5
申请日：2018-04-17
申请人： DB HiTek 株式会社
发明人： 金裕城
IPC分类号： G09G3/36
CPC分类号： G09G3/3696 , G09G3/3614 , G09G3/3648 , G09G3/3685 , G09G3/3688 , G09G2310/027 , G09G2310/0294 , H03M1/66
摘要： 本实用新型公开了一种源极驱动器，其包括：数据交换器，其被配置成接收预定数量的数据单元并存储与预定数量的通道相对应的所述数据；以及锁存单元，其被配置成存储从所述数据交换器输出的所述数据。所述数据交换器相互交换与包括在多个组中的每一个中的两个通道相对应的数据，且独立地交换用于所述多个组中的每一个的数据，其中所述多个组中的每一个包括两个相邻的通道。
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公开(公告)号：CN207303098U
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201721138547.3
申请日：2017-09-06
申请人： DB HiTek株式会社
发明人： 韩昌勋
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14687
摘要： 背面照明图像传感器包括在衬底上形成的光电二极管、在衬底的正面表面上形成的第一绝缘层、在第一绝缘层上形成的焊盘和在第一绝缘层和焊盘上形成的第二绝缘层。焊盘由穿过衬底和第一绝缘层的开口部分暴露，且焊盘的边缘部由第一和第二绝缘层支撑。
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