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公开(公告)号：CN102165373A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980138207.2
申请日：2009-07-17
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70891 , G03F7/70258 , G03F7/70825
摘要： 提供一种投影系统(PS)，在一个实施例中，所述投影系统包括两个框架。投影系统的光学元件安装在第一框架(200)上。使用第一测量系统(910)相对于第二框架(300)测量光学元件的位置。第二测量系统(920)用于测量与第二框架变形相关的参数。由第二测量系统得出的测量值可以用于补偿通过第一测量系统测量时由第二框架变形带来的光学元件的位置的任何误差。通常，框架的变形是由于共振和热膨胀。具有两个框架允许投影系统的光学元件以高精确度定位。可选地，可以设置温度控制系统(780、790)以在光刻设备已经离线之后驱使至少一个框架的温度回到想要的数值水平。
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公开(公告)号：CN104641298B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201380048627.8
申请日：2013-09-17
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70425 , G03F7/7045 , G03F7/70466 , G03F7/70475
摘要： 本发明公开一种使用EUV光刻设备在衬底上曝光图案化区域的方法，该光刻设备具有至少大约5倍的缩小率和至少大约0.4的数值孔径，所述方法包括步骤：使用第一曝光在衬底上曝光图案化区域的第一部分，第一部分具有比常规曝光的尺寸明显小的尺寸；和使用一次或更多次附加曝光在衬底上曝光图案化区域的一个或多个附加部分，所述一个或多个附加部分的尺寸比常规曝光的尺寸明显小。所述方法还包括重复以上步骤以在衬底上曝光第二图案化区域，该第二图案化区域设置有与第一图案化区域相同的图案，其中第一图案化区域的中心点与第二图案化区域的中心点之间的距离与常规曝光的尺寸对应。
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公开(公告)号：CN104641298A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048627.8
申请日：2013-09-17
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70425 , G03F7/7045 , G03F7/70466 , G03F7/70475
摘要： 本发明公开一种使用EUV光刻设备在衬底上曝光图案化区域的方法，该光刻设备具有至少大约5倍的缩小率和至少大约0.4的数值孔径，所述方法包括步骤：使用第一曝光在衬底上曝光图案化区域的第一部分，第一部分具有比常规曝光的尺寸明显小的尺寸；和使用一次或更多次附加曝光在衬底上曝光图案化区域的一个或多个附加部分，所述一个或多个附加部分的尺寸比常规曝光的尺寸明显小。所述方法还包括重复以上步骤以在衬底上曝光第二图案化区域，该第二图案化区域设置有与第一图案化区域相同的图案，其中第一图案化区域的中心点与第二图案化区域的中心点之间的距离与常规曝光的尺寸对应。
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公开(公告)号：CN102165373B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200980138207.2
申请日：2009-07-17
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70891 , G03F7/70258 , G03F7/70825
摘要： 提供一种投影系统(PS)，在一个实施例中，所述投影系统包括两个框架。投影系统的光学元件安装在第一框架(200)上。使用第一测量系统(910)相对于第二框架(300)测量光学元件的位置。第二测量系统(920)用于测量与第二框架变形相关的参数。由第二测量系统得出的测量值可以用于补偿通过第一测量系统测量时由第二框架变形带来的光学元件的位置的任何误差。通常，框架的变形是由于共振和热膨胀。具有两个框架允许投影系统的光学元件以高精确度定位。可选地，可以设置温度控制系统(780、790)以在光刻设备已经离线之后驱使至少一个框架的温度回到想要的数值水平。
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