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公开(公告)号：CN104641298B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201380048627.8
申请日：2013-09-17
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70425 , G03F7/7045 , G03F7/70466 , G03F7/70475
摘要： 本发明公开一种使用EUV光刻设备在衬底上曝光图案化区域的方法，该光刻设备具有至少大约5倍的缩小率和至少大约0.4的数值孔径，所述方法包括步骤：使用第一曝光在衬底上曝光图案化区域的第一部分，第一部分具有比常规曝光的尺寸明显小的尺寸；和使用一次或更多次附加曝光在衬底上曝光图案化区域的一个或多个附加部分，所述一个或多个附加部分的尺寸比常规曝光的尺寸明显小。所述方法还包括重复以上步骤以在衬底上曝光第二图案化区域，该第二图案化区域设置有与第一图案化区域相同的图案，其中第一图案化区域的中心点与第二图案化区域的中心点之间的距离与常规曝光的尺寸对应。
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公开(公告)号：CN102047151A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980120016.3
申请日：2009-05-05
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F7/70116 , G03F7/70575
摘要： 一种辐射系统被配置以产生辐射束。所述辐射系统包括腔，所述腔包括：辐射源，被配置以产生辐射；辐射束发射孔阑；和辐射收集器，被配置以收集由所述源产生的辐射，且将所收集的辐射传递至所述辐射束发射孔阑。所述辐射收集器包括被配置以改善经由所述孔阑被发射的所述辐射的光谱纯度的光谱纯度滤光片。所述光谱纯度滤光片包括：基衬底；在所述基衬底上的多层堆叠，所述多层堆叠包括多个交替层和在所述多层堆叠的顶侧中的多个凹陷，所述凹陷被配置以允许具有所述第一波长的辐射在所述第一方向上被反射和在所述第二方向上反射具有所述第二波长的辐射；其中，所述凹陷被配置成使得它们的横截面具有对称性的轮廓。
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公开(公告)号：CN102472981B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201080035014.7
申请日：2010-07-14
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70033 , H05G2/003
摘要： 一种光刻投影设备设置有EUV辐射系统，该EUV辐射系统包括：源腔；供给装置，构造和布置成将目标材料供给至预定的等离子体形成位置；光学系统，所述光学系统由三个或更多的反射镜形成，布置成在所述目标材料位于所述预定的等离子体形成位置时建立延伸至所述目标材料的束路径；和激光器系统，构造和布置成提供沿着所述束路径的激光束，用于与所述目标材料相互作用以在所述腔内产生发射EUV辐射的等离子体。
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公开(公告)号：CN104641298A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048627.8
申请日：2013-09-17
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70425 , G03F7/7045 , G03F7/70466 , G03F7/70475
摘要： 本发明公开一种使用EUV光刻设备在衬底上曝光图案化区域的方法，该光刻设备具有至少大约5倍的缩小率和至少大约0.4的数值孔径，所述方法包括步骤：使用第一曝光在衬底上曝光图案化区域的第一部分，第一部分具有比常规曝光的尺寸明显小的尺寸；和使用一次或更多次附加曝光在衬底上曝光图案化区域的一个或多个附加部分，所述一个或多个附加部分的尺寸比常规曝光的尺寸明显小。所述方法还包括重复以上步骤以在衬底上曝光第二图案化区域，该第二图案化区域设置有与第一图案化区域相同的图案，其中第一图案化区域的中心点与第二图案化区域的中心点之间的距离与常规曝光的尺寸对应。
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公开(公告)号：CN102047151B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN200980120016.3
申请日：2009-05-05
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F7/70116 , G03F7/70575
摘要： 一种辐射系统被配置以产生辐射束。所述辐射系统包括腔，所述腔包括：辐射源，被配置以产生辐射；辐射束发射孔阑；和辐射收集器，被配置以收集由所述源产生的辐射，且将所收集的辐射传递至所述辐射束发射孔阑。所述辐射收集器包括被配置以改善经由所述孔阑被发射的所述辐射的光谱纯度的光谱纯度滤光片。所述光谱纯度滤光片包括：基衬底；在所述基衬底上的多层堆叠，所述多层堆叠包括多个交替层和在所述多层堆叠的顶侧中的多个凹陷，所述凹陷被配置以允许具有所述第一波长的辐射在所述第一方向上被反射和在所述第二方向上反射具有所述第二波长的辐射；其中，所述凹陷被配置成使得它们的横截面具有对称性的轮廓。
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公开(公告)号：CN102472981A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080035014.7
申请日：2010-07-14
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70033 , H05G2/003
摘要： 一种光刻投影设备设置有EUV辐射系统，该EUV辐射系统包括：源腔；供给装置，构造和布置成将目标材料供给至预定的等离子体形成位置；光学系统，所述光学系统由三个或更多的反射镜形成，布置成在所述目标材料位于所述预定的等离子体形成位置时建立延伸至所述目标材料的束路径；和激光器系统，构造和布置成提供沿着所述束路径的激光束，用于与所述目标材料相互作用以在所述腔内产生发射EUV辐射的等离子体。
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