投影系统和光刻设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102165373A

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:CN200980138207.2

    申请日:2009-07-17

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 提供一种投影系统(PS),在一个实施例中,所述投影系统包括两个框架。投影系统的光学元件安装在第一框架(200)上。使用第一测量系统(910)相对于第二框架(300)测量光学元件的位置。第二测量系统(920)用于测量与第二框架变形相关的参数。由第二测量系统得出的测量值可以用于补偿通过第一测量系统测量时由第二框架变形带来的光学元件的位置的任何误差。通常,框架的变形是由于共振和热膨胀。具有两个框架允许投影系统的光学元件以高精确度定位。可选地,可以设置温度控制系统(780、790)以在光刻设备已经离线之后驱使至少一个框架的温度回到想要的数值水平。

    光刻设备和方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102414623A

    公开(公告)日:2012-04-11

    申请号:CN201080018387.3

    申请日:2010-03-18

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 一种使用EUV光刻设备将图案化的束投影到衬底上的方法,所述光刻设备具有包括多个反射镜(12-16)的投影系统(PS)。所述方法包括以下步骤。使用投影系统(PS)将图案化的束投影到衬底(W)上,同时沿基本上垂直衬底(W)表面的方向移动投影系统的最终反射镜(16)。旋转最终反射镜(16)以基本上补偿所投影的图案化辐射束在衬底上的由于反射镜的移动带来的不想要的平移。

    投影系统和光刻设备
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102165373B

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN200980138207.2

    申请日:2009-07-17

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 提供一种投影系统(PS),在一个实施例中,所述投影系统包括两个框架。投影系统的光学元件安装在第一框架(200)上。使用第一测量系统(910)相对于第二框架(300)测量光学元件的位置。第二测量系统(920)用于测量与第二框架变形相关的参数。由第二测量系统得出的测量值可以用于补偿通过第一测量系统测量时由第二框架变形带来的光学元件的位置的任何误差。通常,框架的变形是由于共振和热膨胀。具有两个框架允许投影系统的光学元件以高精确度定位。可选地,可以设置温度控制系统(780、790)以在光刻设备已经离线之后驱使至少一个框架的温度回到想要的数值水平。