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公开(公告)号：CN101714576A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910175709.4
申请日：2009-09-29
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L29/78 , H01L27/115 , H01L29/43 , H01L21/336 , H01L21/8247 , G11C11/40 , G11C16/02
Abstract: 本发明公开一种半导体装置及所述半导体装置的制造方法和操作方法。所述半导体装置可以包括不同的纳米结构。所述半导体装置可以具有由纳米线形成的第一元件和由纳米颗粒形成的第二元件。所述纳米线可以是双极性碳纳米管(CNT)。第一元件可以是沟道层。第二元件可以是电荷捕获层。就此，所述半导体装置可以是晶体管或存储装置。
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公开(公告)号：CN101643199A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200810182767.5
申请日：2008-12-04
Applicant: 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: H01L29/16 , B82Y10/00 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/1606
Abstract: 提供了一种纳米尺度石墨烯结构制造技术。在石墨烯层上形成用作掩模的氧化物纳米线，然后进行离子束蚀刻。在离子束蚀刻后，通过除去残余的氧化物纳米线而制造出纳米尺度的石墨烯结构。
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公开(公告)号：CN101645391B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810172612.3
申请日：2008-11-04
Applicant: 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: B82B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , Y10S977/742 , Y10S977/762 , Y10S977/773
Abstract: 本发明提供制造诸如纳米线和碳纳米管的纳米结构的交叉结构的技术。在一个实施方案中，制造纳米结构的交叉结构的方法包括：提供衬底，图案化所述衬底上的第一掩模层，将第一纳米结构吸附到其中不存在第一掩模层的衬底的表面区域上，将第一掩模层从衬底移除，图案化其中吸附有第一纳米结构的衬底上的第二掩模层，和在衬底上有效制造纳米结构的交叉结构的条件下，将第二纳米结构吸附到其中不存在第二掩模层的衬底的表面区域上。
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公开(公告)号：CN101661959A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200810180594.3
申请日：2008-12-01
Applicant: 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L29/788 , H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7883 , B82Y10/00 , H01L29/40114 , H01L29/42328 , H01L29/42332 , H01L29/7887
Abstract: 本发明公开了一种可重构的半导体器件。所述半导体器件包括衬底、在衬底上形成的第一绝缘材料、具有不同极性的两个沟道、在绝缘材料上形成并且与沟道在其两端共同连接的多个终端电极、在终端电极上形成的第二绝缘材料和在第二绝缘材料上形成的控制栅极。沟道具有不同的极性并且电荷存储层形成在第二绝缘材料内。对控制栅极施加正向偏压或反向偏压并随后截止所述偏压。半导体器件的电压-电流特性根据在电荷存储层中产生的电荷而变化。
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公开(公告)号：CN101714576B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN200910175709.4
申请日：2009-09-29
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L29/78 , H01L27/115 , H01L29/43 , H01L21/336 , H01L21/8247 , G11C11/40 , G11C16/02
Abstract: 本发明可以公开一种半导体装置及所述半导体装置的制造方法和操作方法。所述半导体装置可以包括不同的纳米结构。所述半导体装置可以具有由纳米线形成的第一元件和由纳米颗粒形成的第二元件。所述纳米线可以是双极性碳纳米管(CNT)。第一元件可以是沟道层。第二元件可以是电荷捕获层。就此，所述半导体装置可以是晶体管或存储装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101661959B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200810180594.3
申请日：2008-12-01
Applicant: 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L29/788 , H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7883 , B82Y10/00 , H01L29/40114 , H01L29/42328 , H01L29/42332 , H01L29/7887
Abstract: 本发明公开了一种可重构的半导体器件。所述半导体器件包括衬底、在衬底上形成的第一绝缘材料、具有不同极性的两个沟道、在绝缘材料上形成并且与沟道在其两端共同连接的多个终端电极、在终端电极上形成的第二绝缘材料和在第二绝缘材料上形成的控制栅极。沟道具有不同的极性并且电荷存储层形成在第二绝缘材料内。对控制栅极施加正向偏压或反向偏压并随后截止所述偏压。半导体器件的电压-电流特性根据在电荷存储层中产生的电荷而变化。
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公开(公告)号：CN101656122A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200810178974.3
申请日：2008-12-03
Applicant: 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: G06F3/0414 , G06F3/045 , H01B1/04 , H01B1/08
Abstract: 提供由碳纳米管网络和氧化铟锡复合材料构成的透明导电膜以及制造该透明导电膜的方法。
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公开(公告)号：CN101643199B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200810182767.5
申请日：2008-12-04
Applicant: 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: H01L29/16 , B82Y10/00 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/1606
Abstract: 提供了一种纳米尺度石墨烯结构制造技术。在石墨烯层上形成用作掩模的氧化物纳米线，然后进行离子束蚀刻。在离子束蚀刻后，通过除去残余的氧化物纳米线而制造出纳米尺度的石墨烯结构。
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公开(公告)号：CN101662883B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200810180799.1
申请日：2008-12-05
Applicant: 首尔大学校产学协力团
IPC: H05K1/11 , H05K1/09 , H05K3/40 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L51/00
CPC classification number: H05K1/167 , B82Y10/00 , H01L2924/0002 , H05K3/12 , H05K2201/026 , H05K2203/1173 , Y10S977/734 , Y10S977/883 , Y10S977/902 , Y10S977/932 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有对准的纳米结构的电路板，包括：基板，在基板上布置的极性分子层图案和非极性分子层图案；在基板上布置的第一电极和第二电极；以及在极性分子层图案上布置的并且包含线型纳米结构的一个或更多个通道。所述一个或更多个通道促进第一电极电连接至第二电极。
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公开(公告)号：CN101662883A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200810180799.1
申请日：2008-12-05
Applicant: 首尔大学校产学协力团
IPC: H05K1/11 , H05K1/09 , H05K3/40 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L51/00
CPC classification number: H05K1/167 , B82Y10/00 , H01L2924/0002 , H05K3/12 , H05K2201/026 , H05K2203/1173 , Y10S977/734 , Y10S977/883 , Y10S977/902 , Y10S977/932 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有对准的纳米结构的电路板，包括：基板，在基板上布置的极性分子层图案和非极性分子层图案；在基板上布置的第一电极和第二电极；以及在极性分子层图案上布置的并且包含线型纳米结构的一个或更多个通道。所述一个或更多个通道促进第一电极电连接至第二电极。
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