公开(公告)号：CN101714576A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910175709.4

申请日：2009-09-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 洪承焄 ,  明圣 ,  任智芸 ,  李敏百

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  G11C11/40 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明公开一种半导体装置及所述半导体装置的制造方法和操作方法。所述半导体装置可以包括不同的纳米结构。所述半导体装置可以具有由纳米线形成的第一元件和由纳米颗粒形成的第二元件。所述纳米线可以是双极性碳纳米管(CNT)。第一元件可以是沟道层。第二元件可以是电荷捕获层。就此，所述半导体装置可以是晶体管或存储装置。

公开(公告)号：CN101714576B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN200910175709.4

申请日：2009-09-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 洪承焄 ,  明圣 ,  任智芸 ,  李敏百

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  G11C11/40 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明可以公开一种半导体装置及所述半导体装置的制造方法和操作方法。所述半导体装置可以包括不同的纳米结构。所述半导体装置可以具有由纳米线形成的第一元件和由纳米颗粒形成的第二元件。所述纳米线可以是双极性碳纳米管(CNT)。第一元件可以是沟道层。第二元件可以是电荷捕获层。就此，所述半导体装置可以是晶体管或存储装置。

公开(公告)号：CN101661959B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200810180594.3

申请日：2008-12-01

Applicant: 首尔大学校产学协力团

Inventor： 洪承焄 ,  明圣 ,  许光

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7883 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7887

Abstract: 本发明公开了一种可重构的半导体器件。所述半导体器件包括衬底、在衬底上形成的第一绝缘材料、具有不同极性的两个沟道、在绝缘材料上形成并且与沟道在其两端共同连接的多个终端电极、在终端电极上形成的第二绝缘材料和在第二绝缘材料上形成的控制栅极。沟道具有不同的极性并且电荷存储层形成在第二绝缘材料内。对控制栅极施加正向偏压或反向偏压并随后截止所述偏压。半导体器件的电压-电流特性根据在电荷存储层中产生的电荷而变化。

公开(公告)号：CN101661959A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200810180594.3

申请日：2008-12-01

Applicant: 首尔大学校产学协力团

Inventor： 洪承焄 ,  明圣 ,  许光

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7883 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7887

Abstract: 本发明公开了一种可重构的半导体器件。所述半导体器件包括衬底、在衬底上形成的第一绝缘材料、具有不同极性的两个沟道、在绝缘材料上形成并且与沟道在其两端共同连接的多个终端电极、在终端电极上形成的第二绝缘材料和在第二绝缘材料上形成的控制栅极。沟道具有不同的极性并且电荷存储层形成在第二绝缘材料内。对控制栅极施加正向偏压或反向偏压并随后截止所述偏压。半导体器件的电压-电流特性根据在电荷存储层中产生的电荷而变化。