公开(公告)号：CN101643199A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200810182767.5

申请日：2008-12-04

Applicant: 首尔大学校产学协力团

Inventor： 洪承焄 ,  李周炯 ,  金泰铉

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01L29/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606

Abstract: 提供了一种纳米尺度石墨烯结构制造技术。在石墨烯层上形成用作掩模的氧化物纳米线，然后进行离子束蚀刻。在离子束蚀刻后，通过除去残余的氧化物纳米线而制造出纳米尺度的石墨烯结构。

公开(公告)号：CN101643199B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200810182767.5

申请日：2008-12-04

Applicant: 首尔大学校产学协力团

Inventor： 洪承焄 ,  李周炯 ,  金泰铉

IPC: B82B3/00 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01L29/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606

Abstract: 提供了一种纳米尺度石墨烯结构制造技术。在石墨烯层上形成用作掩模的氧化物纳米线，然后进行离子束蚀刻。在离子束蚀刻后，通过除去残余的氧化物纳米线而制造出纳米尺度的石墨烯结构。