半导体装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101237720A

    公开(公告)日:2008-08-06

    申请号:CN200810004904.6

    申请日:2008-01-29

    Inventor: 铃木利尚

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,使用一具有容纳检测压力变化的半导体传感器芯片(例如传声器芯片)和驱动所述半导体传感器芯片的LSI芯片的空腔的壳体,所述两种芯片都被安装在一个芯片安装表面上。在所述壳体内的芯片安装表面的预定位置上形成允许所述空腔与外部连通的开口,其中所述LSI芯片被布置在所述开口上面以覆盖至少一部分所述壳体的开口。因此能够在不使用环境屏蔽的情况下减少环境因素施加给所述半导体传感器芯片的不良影响,并且能够减小所述半导体装置的尺寸。

    磁传感器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1229881C

    公开(公告)日:2005-11-30

    申请号:CN02146981.4

    申请日:2002-10-29

    CPC classification number: B82Y25/00 G01R33/093

    Abstract: 提供一种磁传感器,设置有用来产生施加在磁电阻效应元件的偏置磁场的节省空间且耗电低的线圈。磁传感器设置有薄膜状的磁隧道效应元件(磁电阻效应元件)。线圈被配置在磁隧道效应元件的下方平行于该元件的薄膜面的面内,并且是由涡旋状的第一导线部和涡旋状的第二导线部构成的双涡旋型的线圈。平面上看,磁隧道效应元件被配置在第一导线部的涡旋中心和第二导线部的涡旋中心之间。平面上看第一导线部与磁隧道效应元件重叠的部分和同一平面上看第二导线部与磁隧道效应元件重叠的部分把第一、第二导线部连接起来,以便流过同一方向的电流。

    加速度传感器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103713158A

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201310454580.7

    申请日:2013-09-29

    Inventor: 铃木利尚

    Abstract: 本发明提供一种加速度传感器,其有助于装置的小型化、提高形状的自由度,并且实现加速度的检测精度的提高。第一传感器(21)构成为两轴加速度传感器,该两轴加速度传感器是,弹簧(43)根据Y、Z方向的加速度进行伸缩,通过使弹簧(43)具有相对于X方向的加速度的刚性并且限制其进行伸缩,从而通过根据加速度变动的锤部(24)与第一至第三固定电极(28、29)之间的电容的变化来检测Y、Z方向的加速度。加速度传感器构成为第二传感器与第一传感器(21)具有相同的结构、通过第二传感器来检测X、Z方向的加速度的三轴加速度传感器。

    半导体传声器单元
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101141835B

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN200710149022.4

    申请日:2007-09-04

    CPC classification number: H04R19/005

    Abstract: 一种半导体传声器单元包括半导体传声器芯片,该半导体传声器芯片具有覆盖支承件的内孔的隔膜。支承件经由热硬性粘合剂粘到支承基板的表面,其方式是隔膜被定位为与支承基板的表面相对,所述支承基板的热膨胀系数大于支承件的热膨胀系数。热硬性粘合剂具有这样的拉伸弹性模量:当半导体传声器芯片与支承基板一起被冷却时,在硬化状态下,允许支承基板的收缩传递到支承件。由此,可以降低隔膜的拉伸应力,所述应力在半导体传声器芯片的制造过程中产生,由此防止隔膜的强度不期望地降低;因此,可以改善半导体传声器芯片的灵敏度。

    振动传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN101426163A

    公开(公告)日:2009-05-06

    申请号:CN200810172997.3

    申请日:2008-10-29

    Inventor: 铃木利尚

    CPC classification number: H04R19/005 H04R19/04 H04R31/00

    Abstract: 本发明提供一种振动传感器或压力传感器及其制造方法,所述振动传感器由盖、板、膜片和具有后腔的衬底构成。膜片位于衬底的上方,以覆盖后腔的开口。板具有径向类齿轮形状,由位于膜片正上方的中心部分和多个连接部构成。盖水平地包围板,二者之间具有缝隙,以使得盖与板电隔离并位于膜片的外围上方。多个柱结构连接板的多个连接部,从而将板支撑在膜片的上方,板与膜片之间具有间隙层。通过降低缝隙的宽度,能够防止异物进入到板与膜片之间的空气层中。

    半导体器件
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1983582A

    公开(公告)日:2007-06-20

    申请号:CN200610164038.8

    申请日:2006-12-06

    Abstract: 一种半导体器件被如此设计,从而半导体传感器芯片被固定到具有矩形形状的基板的上表面上,半导体传感器芯片具有用于基于其位移而探测压力变化的膜片,基板用盖构件覆盖从而在基板和盖构件之间形成包围半导体传感器芯片的空腔空间。这里,基板用模制树脂密封,从而芯片连接引线和封装引线部分地暴露在模制树脂之外;芯片连接引线电连接到半导体传感器芯片且沿半导体传感器芯片的一边成直线设置;且封装引线经由半导体传感器芯片与芯片连接引线相对设置。于是,可以缩小半导体器件的尺寸而不显著改变半导体传感器芯片的尺寸。

    磁传感器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1417872A

    公开(公告)日:2003-05-14

    申请号:CN02146981.4

    申请日:2002-10-29

    CPC classification number: B82Y25/00 G01R33/093

    Abstract: 提供一种磁传感器,设置有用来产生施加在磁电阻效应元件的偏置磁场的节省空间且耗电低的线圈。磁传感器设置有薄膜状的磁隧道效应元件(磁电阻效应元件)11。线圈21被配置在磁隧道效应元件11的下方平行于该元件的薄膜面的面内,并且是由涡旋状的第一导线部21-1和涡旋状的第二导线部21-2构成的双涡旋型的线圈。平面上看,磁隧道效应元件11被配置在第一导线部21-1的涡旋中心P1和第二导线部21-2的涡旋中心P2之间。平面上看第一导线部21-1与磁隧道效应元件11重叠的部分和同一平面上看第二导线部21-2与磁隧道效应元件11重叠的部分把第一、第二导线部21-1、21-2连接起来,以便流过同一方向的电流。

    加速度传感器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103837705A

    公开(公告)日:2014-06-04

    申请号:CN201310613108.3

    申请日:2013-11-27

    Inventor: 铃木利尚

    Abstract: 一种实现装置全面小型化和改善灵敏度的加速度传感器,包括第一传感器。第一传感器配备有静电电容器,所述静电电容器配置使得第一固定电极、第二固定电极和可动电极集中设置一列。在静电电容器中,第一固定电极、第二固定电极和可动电极设置为在基板平面视图中对应于锤部中心的位置处沿加速度检测方向(y轴线方向)彼此毗邻。在每一个电极的一个纵向侧端部(沿x轴线方向的一个端部)处,连接件设置为通过连接件将第一固定电极和第二固定电极连接到。

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