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公开(公告)号：CN101356305A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200680050429.5
申请日：2006-12-06
申请人： 阿波朗.索拉尔公司 , 西伯斯塔公司 , EFD感应股份有限公司
IPC分类号： C30B11/00
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/002 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/1024 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
摘要： 通过热源(3)和冷却系统在结晶坩埚(1)中建立热梯度。所述冷却系统包括交换器(17)和可调节的附加热源(18)。优选地，所述冷却系统由感应线圈(10)(通过在该感应线圈(10)内循环的冷却剂冷却)和置于所述坩埚(1)和所述感应线圈(10)之间的导电感应感受器(11)构成。所述生产方法包括从顶部对坩埚(1)加热和通过交换器(17)和通过调节可调节的附加热源(18)控制来自坩埚(1)的热量向下排出。
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公开(公告)号：CN1774526A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200480010351.5
申请日：2004-04-09
申请人： 阿波朗.索拉尔公司 , 西伯斯塔公司 , EFD感应股份有限公司
发明人： 罗兰·艾因豪斯 , 弗朗科伊斯·利萨尔德 , 帕斯卡尔·里瓦特
IPC分类号： C30B11/00
CPC分类号： C30B29/605 , C30B11/002 , Y10S65/08 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1052
摘要： 公开了一种熔炉，平行于基本上垂直于底部(7)延伸的轴，熔炉的底部(7)的传热性质远大于侧壁(8)的传热性质。底部(7)和侧壁(8)是由具有相同主要化学组分的材料形成的。底部(7)对红外辐射是透光的，侧壁(8)对红外辐射是不透光的。底部(7)是由无定形硅石制成的，侧壁(8)是由不透光的石英组成的陶瓷材料制成的。熔炉还可由石墨制成。该设备可包括石墨隔垫板(9)和石墨隔垫板(9)的挤压机构(10)，所述石墨隔垫板布置在熔炉底部(7)和冷却机构(4)之间，可在液相中限定8℃/cm至30℃/cm的温度梯度。
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公开(公告)号：CN101300686A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200680040466.8
申请日：2006-10-19
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/1092
摘要： 本发明涉及一种装置，该装置包括具有底部(2)和侧壁的坩埚(1)。坩埚(1)包括至少一个水平布置于侧壁(3)的底部的横向狭缝(4)。横向狭缝(4)具有大于50mm的宽度，优选地介于100mm和500mm之间。狭缝(4)的宽度(H)介于50和1000微米之间。晶体材料通过横向狭缝(4)从该坩埚输出，以形成晶体带(R)。该方法包括将结晶化核与通过横向狭缝(4)输出的材料接触的步骤，以及带(R)的水平位移步骤(14)。
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公开(公告)号：CN100429333C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200480010351.5
申请日：2004-04-09
申请人： 阿波朗.索拉尔公司 , 西伯斯塔公司 , EFD感应股份有限公司
发明人： 罗兰·艾因豪斯 , 弗朗科伊斯·利萨尔德 , 帕斯卡尔·里瓦特
IPC分类号： C30B11/00
CPC分类号： C30B29/605 , C30B11/002 , Y10S65/08 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1052
摘要： 公开了一种熔炉，平行于基本上垂直于底部(7)延伸的轴，熔炉的底部(7)的传热性质远大于侧壁(8)的传热性质。底部(7)和侧壁(8)是由具有相同主要化学组分的材料形成的。底部(7)对红外辐射是透光的，侧壁(8)对红外辐射是不透光的。底部(7)是由无定形硅石制成的，侧壁(8)是由不透光的石英组成的陶瓷材料制成的。熔炉还可由石墨制成。该设备可包括石墨隔垫板(9)和石墨隔垫板(9)的挤压机构(10)，所述石墨隔垫板布置在熔炉底部(7)和冷却机构(4)之间，可在液相中限定8℃/cm至30℃/cm的温度梯度。
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公开(公告)号：CN101356305B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200680050429.5
申请日：2006-12-06
申请人： 阿波朗·索拉尔公司 , 西伯斯塔公司 , EFD感应股份有限公司
IPC分类号： C30B11/00
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/002 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/1024 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
摘要： 通过热源(3)和冷却系统在结晶坩埚(1)中建立热梯度。所述冷却系统包括交换器(17)和可调节的附加热源(18)。优选地，所述冷却系统由感应线圈(10)(通过在该感应线圈(10)内循环的冷却剂冷却)和置于所述坩埚(1)和所述感应线圈(10)之间的导电感应感受器(11)构成。所述生产方法包括从顶部对坩埚(1)加热和通过交换器(17)和通过调节可调节的附加热源(18)控制来自坩埚(1)的热量向下排出。
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公开(公告)号：CN100431178C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200480010213.7
申请日：2004-04-14
申请人： 阿波朗.索拉尔公司
IPC分类号： H01L31/048
CPC分类号： H01L31/0508 , H01L31/0488 , H01L31/0504 , Y02E10/50
摘要： 本发明涉及一种光电模块，其包括前板(2)和背板(3)。另外，有机密封件(4)设置在板之间且定义内部密封容积(5)，其维持在低于大气压的压强且其含有光电池(1)。前述密封件(4)是有机部件，例如热塑性塑料或聚丁烯。根据本发明方法，借助于抽气产生低气压压强。该方法可包括惰性气体吹洗、低气压压强确立和压密封(P1)。所述方法还可包括：模块的局部密封，从而在密封件(4)中留下两个开口；内部容积借助于该两个开口的惰性气体吹洗；低气压压强的确立；以及，随后，阻塞所述开口。
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公开(公告)号：CN101999013A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200980112717.2
申请日：2009-03-27
申请人： 阿波朗.索拉尔公司
IPC分类号： C30B11/00 , C30B15/04 , H01L31/0288 , C30B29/06 , H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/00 , C30B13/00 , C30B15/04 , H01L31/028 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及通过使熔融硅原料结晶获得的光伏级晶体硅的制造，其中给体掺杂元素和受体掺杂元素的初始浓度之和高于0.1ppma，且其中受体和给体掺杂元素的各自浓度均低于25ppma。将至少预定量的具有小于0.1的偏析系数的掺杂材料添加到所述原料中。该添加使得可获得其中在凝固的硅的至少50％范围内给体和受体类型的掺杂分布之间的差异为0.1～5ppma的结晶硅。将掺杂剂中的至少一种浓度大于或等于5ppma并且这两种类型的掺杂剂之间的差异小于或等于5ppma的硅集成于光伏电池中。
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公开(公告)号：CN1809933A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200480010213.7
申请日：2004-04-14
申请人： 阿波朗.索拉尔公司
IPC分类号： H01L31/048
CPC分类号： H01L31/0508 , H01L31/0488 , H01L31/0504 , Y02E10/50
摘要： 本发明涉及一种光电模块，其包括前板(2)和背板(3)。另外，有机密封件(4)设置在板之间且定义内部密封容积(5)，其维持在低于大气压的压强且其含有光电池(1)。前述密封件(4)是有机部件，例如热塑性塑料或聚丁烯。根据本发明方法，借助于抽气产生低气压压强。该方法可包括惰性气体吹洗、低气压压强确立和压密封(P1)。所述方法还可包括：模块的局部密封，从而在密封件(4)中留下两个开口；内部容积借助于该两个开口的惰性气体吹洗；低气压压强的确立；以及，随后，阻塞所述开口。
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