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公开(公告)号：CN119584759A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411566559.0
申请日：2024-11-05
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明提出一种偏振光突触晶体管及其制备方法，偏振光突触晶体管为三端结构，包括由下至上依次设置的基底（110）、绝缘层（120）、图案化浮栅层（130）、半导体层（140）、以及源、漏电极（150）；所述图案化浮栅层为钙钛矿材料共混高分子聚合物的一维纳米线；通过施加不同方向的线偏振光作为突触前输入端，源极和漏极之间的半导体通道作为突触后输出端。
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公开(公告)号：CN114758611B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202210091182.2
申请日：2022-01-26
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明提供了一种用导电丝型人工神经元驱动的基本显示驱动电路，用于显示驱动电路的导电丝型人工神经元器件为夹层结构，从下往上依次为底部金属电极层、绝缘层、顶部金属电极层，所述底部金属电极层为惰性导体材料，所述绝缘层为离子可迁移的绝缘材料，所述顶部金属电极层为活泼金属材料。发光模块，由第一发光器件、第二发光器件、第三发光器件及第四发光器件组成，均为单向导电器件。分别连接所述导电丝型人工神经元器件以及公共接地电压。应用本技术方案可实现在电路设计上减少了3/4的接线面积，从而达到短路径长度和高驱动集成度的目的。将其应用于显示驱动电路，扩大了神经形态器件的应用领域，并改进了常规的显示驱动电路。
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公开(公告)号：CN115207238A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210764867.9
申请日：2022-07-01
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种具有光电双输出的发光突触晶体管及其制备方法。所述发光突触晶体管，从下往上依次为基底、绝缘层、空穴传输层、发光层、电子传输层、顶部源漏电极。所述基底为硅片、导电玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET），所述绝缘层为有机聚合物，所述空穴传输层为空穴型半导体材料，所述发光层为量子点材料，所述电子传输层为电子型半导体材料，所述顶部源漏电极为金属导电材料。本发明提供的发光突触晶体管可以通过单个人工突触器件同时输出光信号和电信号，并通过这两种信号的强度模拟突触可塑性，在一定程度上解决了电信号互连传输信息时易受串扰、传输带宽窄等问题，有望为人工神经网络在光电并行方向上的发展开辟新的途径。
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公开(公告)号：CN116666403A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310567022.5
申请日：2023-05-19
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H01L27/144 , H01L31/113
Abstract: 本发明涉及一种基于吸光人工突触器件的新型环境光自适应显示驱动系统。包括控制模块和发光模块，控制模块即为吸光人工突触器件，发光模块为单向导电器件。所述吸光人工突触器件为底栅顶接触结构，从下往上依次为底部金属电极层、绝缘层、半导体层、吸光层、顶部金属电极层。单个器件本身具备多电导可调，且受环境光影响电导值变化，应用于环境光变化驱动发光。本发明不仅可以通过人工突触的吸光层响应环境光强大小来调控显示电路的电流大小，而且显示发出的光也可以通过光吸收层反馈来自我调节显示电路的电流大小。
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公开(公告)号：CN113529035A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110746182.7
申请日：2021-07-01
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种透明导电TiC薄膜激光直写图案化制备方法，包括以下步骤：步骤S1：采用溅射技术沉积Ti粘结层；步骤S2：采用99.9%石墨C靶和99.99%金属钛Ti靶磁控共溅射技术沉积TiC涂层；步骤S3：进行TiC的激光直写图案化。采用磁控溅射技术在硅片、白玻和304不锈钢基体上沉积TiC薄膜，借助激光器对整面的TiC薄膜图案化以形成可定制、低成本、大面积的电极阵列。PVD沉积TiC薄膜腔体中靶材是由1个纯钛（Ti）靶和1个纯石墨靶（C）靶构成。Ti和C靶分别安装在两个直流靶源上，不同成分的TiC涂层可通过改变Ti和C靶溅射功率实现。TiC薄膜的图案化通过激光直写方式来实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115118176A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210764786.9
申请日：2022-07-01
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H02N1/04 , C08F220/06 , C08F222/14
Abstract: 本发明涉及一种拉伸不敏感的摩擦纳米发电机。提供一基于弹性体聚合物的三明治结构摩擦纳米发电机，从上往下依次为摩擦层、中间电极以及封装层，将液体有机小分子单体、交联剂、光引发剂混合溶液渗入摩擦纳米发电机表面薄膜中，再经过紫外光照射部分区域，使被照射部分的所述混合溶液中的小分子单体形成交联网络嵌入弹性体聚合物中，形成互穿网络，大大增强薄膜局部区域的机械强度。本发明通过提供一块不易受拉伸形变的摩擦电荷感应区域，有效保证摩擦纳米发电机在拉伸形变下进行稳定的摩擦电输出，本发明具有非常强的通用性和兼容性，同时操作方法简单、便捷、低成本，能够进行图案化，是实现摩擦纳米发电机拉伸不敏感的一个非常有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN114256294A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111462402.X
申请日：2021-12-02
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H01L27/30
Abstract: 本发明涉及一种具有光电信号并行输出功能的发光电化学人工突触，包括从下至上依次设置的基底、底电极、发光活性层和顶电极；所述发光活性层由发光材料、离子传输基质和锂盐组成，当连续电压脉冲输入时，活性层中的发光材料与离子传输基质发生电化学氧化还原反应，导致了器件电导的逐渐变大，后突触电流也逐渐增大；同时，随着电子和空穴注入的增加，瞬态电致发光强度也逐渐增强。本发明能够同时以输出的光信号和电信号强度作为突触权重，可用于构建光电混合人工神经网络，为实现同时以光和电为媒介神经形态计算系统提供了一种全新可行的方案。
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公开(公告)号：CN119584760A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411567473.X
申请日：2024-11-05
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明提出一种基于二维钙钛矿的可切换光电探测突触晶体管及其制备方法，用底栅顶接触结构，从上往下依次为顶部电极层（100）、半导体层（110）、具备铁电效应和光电效应的绝缘层（120）以及底部电极层（130）；单个所述可切换光电探测突触晶体管具有不同的工作模式，通过在作为栅极的底部电极层施加的不同电压切换为光探测器工作模式或光电突触工作模式，所述光探测器工作模式下的晶体管具有多级响应的光探测电流，所述光电突触工作模式下的晶体管具备多个不同电导态。
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公开(公告)号：CN115118176B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202210764786.9
申请日：2022-07-01
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H02N1/04 , C08F220/06 , C08F222/14
Abstract: 本发明涉及一种拉伸不敏感的摩擦纳米发电机。提供一基于弹性体聚合物的三明治结构摩擦纳米发电机，从上往下依次为摩擦层、中间电极以及封装层，将液体有机小分子单体、交联剂、光引发剂混合溶液渗入摩擦纳米发电机表面薄膜中，再经过紫外光照射部分区域，使被照射部分的所述混合溶液中的小分子单体形成交联网络嵌入弹性体聚合物中，形成互穿网络，大大增强薄膜局部区域的机械强度。本发明通过提供一块不易受拉伸形变的摩擦电荷感应区域，有效保证摩擦纳米发电机在拉伸形变下进行稳定的摩擦电输出，本发明具有非常强的通用性和兼容性，同时操作方法简单、便捷、低成本，能够进行图案化，是实现摩擦纳米发电机拉伸不敏感的一个非常有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN112201658A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010950456.X
申请日：2020-09-10
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11521
Abstract: 本发明涉及一种自组装隧穿层的浮栅型光电晶体管存储器及其制备方法，包括基底、绝缘层、浮栅层、隧穿层、半导体层和顶部源漏电极；将钙钛矿纳米颗粒溶液与TMOS或TEOS共混，制备出浮栅层溶液；具有绝缘层的基底经过清洗及等离子处理后，将浮栅层溶液通过旋涂工艺沉积于基底之上，经退火处理形成浮栅层及隧穿层；将TMOS或TEOS通过旋涂工艺旋涂于得到的隧穿层上并退火，通过重复此步骤调节自组装隧穿层的厚度；在得到的隧穿层上通过旋涂工艺旋涂有机聚合物半导体材料，退火制得半导体层；在得到的半导体层上通过热蒸镀的方法制备源漏电极，得到自组装隧穿层的浮栅型光电晶体管存储器。本发明具有较高的稳定性，实现可重复的多级存储、多波长可达的非易失性存储，工艺流程简单，易于大规模产业化。
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