公开(公告)号：CN112201658A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202010950456.X

申请日：2020-09-10

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 陈耿旭 ,  彭港 ,  林伟坤 ,  陈惠鹏 ,  郭太良 ,  余伟杰

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明涉及一种自组装隧穿层的浮栅型光电晶体管存储器及其制备方法，包括基底、绝缘层、浮栅层、隧穿层、半导体层和顶部源漏电极；将钙钛矿纳米颗粒溶液与TMOS或TEOS共混，制备出浮栅层溶液；具有绝缘层的基底经过清洗及等离子处理后，将浮栅层溶液通过旋涂工艺沉积于基底之上，经退火处理形成浮栅层及隧穿层；将TMOS或TEOS通过旋涂工艺旋涂于得到的隧穿层上并退火，通过重复此步骤调节自组装隧穿层的厚度；在得到的隧穿层上通过旋涂工艺旋涂有机聚合物半导体材料，退火制得半导体层；在得到的半导体层上通过热蒸镀的方法制备源漏电极，得到自组装隧穿层的浮栅型光电晶体管存储器。本发明具有较高的稳定性，实现可重复的多级存储、多波长可达的非易失性存储，工艺流程简单，易于大规模产业化。

公开(公告)号：CN113529035A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110746182.7

申请日：2021-07-01

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 孙磊 ,  马立安 ,  陈耿旭 ,  余伟杰

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及一种透明导电TiC薄膜激光直写图案化制备方法，包括以下步骤：步骤S1：采用溅射技术沉积Ti粘结层；步骤S2：采用99.9%石墨C靶和99.99%金属钛Ti靶磁控共溅射技术沉积TiC涂层；步骤S3：进行TiC的激光直写图案化。采用磁控溅射技术在硅片、白玻和304不锈钢基体上沉积TiC薄膜，借助激光器对整面的TiC薄膜图案化以形成可定制、低成本、大面积的电极阵列。PVD沉积TiC薄膜腔体中靶材是由1个纯钛（Ti）靶和1个纯石墨靶（C）靶构成。Ti和C靶分别安装在两个直流靶源上，不同成分的TiC涂层可通过改变Ti和C靶溅射功率实现。TiC薄膜的图案化通过激光直写方式来实现。