公开(公告)号：CN113529035A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110746182.7

申请日：2021-07-01

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 孙磊 ,  马立安 ,  陈耿旭 ,  余伟杰

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及一种透明导电TiC薄膜激光直写图案化制备方法，包括以下步骤：步骤S1：采用溅射技术沉积Ti粘结层；步骤S2：采用99.9%石墨C靶和99.99%金属钛Ti靶磁控共溅射技术沉积TiC涂层；步骤S3：进行TiC的激光直写图案化。采用磁控溅射技术在硅片、白玻和304不锈钢基体上沉积TiC薄膜，借助激光器对整面的TiC薄膜图案化以形成可定制、低成本、大面积的电极阵列。PVD沉积TiC薄膜腔体中靶材是由1个纯钛（Ti）靶和1个纯石墨靶（C）靶构成。Ti和C靶分别安装在两个直流靶源上，不同成分的TiC涂层可通过改变Ti和C靶溅射功率实现。TiC薄膜的图案化通过激光直写方式来实现。

公开(公告)号：CN117551453A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311491543.3

申请日：2023-11-10

Applicant: 闽都创新实验室

Inventor： 叶芸 ,  杨龙文 ,  孙磊 ,  郭太良 ,  陈恩果 ,  徐胜 ,  黄贤溱

IPC: C09K11/66

Abstract: 本发明提供了一种基于交换树脂对钙钛矿量子点进行金属离子掺杂的方法，采用阳离子交换树脂作为钙钛矿量子点离子掺杂的媒介，对钙钛矿量子点进行B位金属离子掺杂，提高掺杂效率，以及掺入离子带来的新的发射峰和高稳定性等性能。