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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108616265B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201810419812.8
申请日：2018-05-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03H17/02
Abstract: 本发明请求保护一种基于五模余数基的RNS DWT滤波器组的电路结构，所选用的余数基为{2n‑1,2n,2n+1,2n‑1‑1,2n+1‑1}。本发明采用的是五模余数基，这样不仅能够提供更大的系统动态范围，使得系统的适用性更加广泛，并且缩小了每个子滤波通道的运算位宽，提升了运算效率。本发明中的前向转换器可直接输出模2n+1转换的消1形式，从而避免了模2n+1子滤波通道中的数值转换，降低了电路的硬件资源消耗。子滤波通道中的模2n‑1加法器采用三位前缀运算单元，可实现三个前缀运算对的同时运算。可实现对大位宽输入数据的处理，同时可提升系统的整体运行速度。
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公开(公告)号：CN108563881A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810359099.2
申请日：2018-04-20
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于遗传算法优化的高增益V波段功率放大器，包括两级依次串接的伪差分共源结构，并在伪差分共源放大器结构上采用交叉耦合电容中和技术；输入级匹配网络采用串联电容并联电感的方式；放大器两级直接采用电容直接耦合链接进行匹配。在输入级匹配网络中采用一个并联电感，能够降低匹配网络的损耗；此外，采用交叉耦合中电电容，用来提高功率增益，改善电路反向隔离度和稳定性，同时在不增加额外功耗下实现了高增益。为解决由于元件寄生造成的中心频率和匹配性能偏离理论值，采用遗传算法对无源器件(电感)及CMOS晶体管尺寸进行微调，使得电路在寄生效应影响下也能达到最佳性能。本发明所设计的电路结构简单，易于设计实现。
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公开(公告)号：CN108616265A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810419812.8
申请日：2018-05-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03H17/02
Abstract: 本发明请求保护一种基于五模余数基的RNS DWT滤波器组的电路结构，所选用的余数基为{2n-1,2n,2n+1,2n-1-1,2n+1-1}。本发明采用的是五模余数基，这样不仅能够提供更大的系统动态范围，使得系统的适用性更加广泛，并且缩小了每个子滤波通道的运算位宽，提升了运算效率。本发明中的前向转换器可直接输出模2n+1转换的消1形式，从而避免了模2n+1子滤波通道中的数值转换，降低了电路的硬件资源消耗。子滤波通道中的模2n-1加法器采用三位前缀运算单元，可实现三个前缀运算对的同时运算。可实现对大位宽输入数据的处理，同时可提升系统的整体运行速度。
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公开(公告)号：CN108599767A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810384943.7
申请日：2018-04-26
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明请求保护一种符号变步长LMS算法(SVSS-LMS)及系统。通过判断输入瞬时误差的正偏离或负偏离，在每次步长迭代时，由一个正的固定常数值递增或者递减进行修改。其具有校准精度高，收敛速度快等优点，在传统的LMS算法的基础上，引入符号函数sign更新步长因子μ(n)，达到控制步长目的。步长因子μ(n)的大小可根据误差收敛的速度快慢进行动态调整。从而更快的通过误差进行更新权值，更新后的权值反馈到自适应滤波器中，提高流水线ADC输出的精度，使待校准的流水线的输出逐渐逼近低速但高精度ADC的输出。
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公开(公告)号：CN107946389A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711121289.2
申请日：2017-11-14
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/107 , H01L31/035272 , H01L31/03529 , H01L31/1876
Abstract: 本发明请求保护一种针对长波段微弱光的CMOS单光子雪崩二极管，具体结构是：在P型衬底上制作深N阱，然后在深N阱内制作P型重掺杂区，由P+层与深N阱构成PN结，作为雪崩倍增区，P+区周围环绕轻掺杂P阱作为保护环，入射光射入器件后在中等电场强度的深N阱区被吸收，产生的光生载流子向强电场区的雪崩倍增区移动。由于较长波段光产生的电子空穴在器件较深处形成，该发明深N阱可对这部分光信号进行有效探测。深N阱/P衬底作为屏蔽二极管，阻止衬底光生载流子扩散至PN结，从而减少了衬底慢光生载流子扩散对光电探测器响应速度的影响。本发明提高器件在长波段的吸收效率。
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