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公开(公告)号：CN111739939B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202010642151.2
申请日：2020-07-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在单晶Si衬底上淀积埋氧化层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；在集电区的一端刻蚀出凹槽形成STI隔离区，淀积填充重掺杂的Si材料；在基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si薄层上淀积N+多晶硅作为发射极；在多晶Si发射极层、单晶Si薄层和基区SiGe薄层的两侧覆盖一层Si3N4应力膜，在发射区和基区同时引入单轴应力；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成引线。本发明中在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性，满足太赫兹频段对核心器件性能的要求。
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公开(公告)号：CN117097140A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310906094.8
申请日：2023-07-21
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种用于降压变换器的软启动及软恢复电路，主要由软启动及软恢复模块，运算放大器EA1，运算放大器EA1，比较器COMP1，比较器COMP2，比较器COMP3，RS触发器，非交叠时钟组成。其中，PMOS器件MP1～3接成电流镜结构，其电流比例为1：K1：K2，路径1对电容C1进行恒流充电，路径2为一个快速充电调节模块，路径3为箝位电路，软启动电压VSS通过运算放大器EA1与反馈电压VFB箝位。一旦检测到反馈电压VFB低于参考电压VREF1(VREF
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公开(公告)号：CN112992898A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110163596.7
申请日：2021-02-05
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8249 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种SiGe BiCMOS晶体管集成结构及其实现方法，属于电子技术领域。该晶体管包括[100]晶向的单晶P型Si衬底、N+BL埋层、P阱、N阱，PMOS器件源漏窗口、NMOS器件源漏窗口、双极型器件基极窗口、双极型器件集电区、PMOS器件源漏区域的SiGe材料和NMOS器件源漏区域。本发明中双极型器件部分在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性；在PMOS器件中的沟道即载流子输运方向施加单轴压应力，提高了载流子迁移率和器件频率特性；在NMOS器件中的沟道即载流子输运方向施加单轴拉应力，提升载流子迁移率和器件频率特性。
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公开(公告)号：CN111739939A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010642151.2
申请日：2020-07-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在单晶Si衬底上淀积埋氧化层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；在集电区的一端刻蚀出凹槽形成STI隔离区，淀积填充重掺杂的Si材料；在基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si薄层上淀积N+多晶硅作为发射极；在多晶Si发射极层、单晶Si薄层和基区SiGe薄层的两侧覆盖一层Si3N4应力膜，在发射区和基区同时引入单轴应力；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成引线。本发明中在发射区和基区同时引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性，满足太赫兹频段对核心器件性能的要求。
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公开(公告)号：CN111129203A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911301972.3
申请日：2019-12-17
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/113 , H01L27/02 , H01L29/06
Abstract: 本发明请求保护一种高带宽CMOS APD器件，常规的CMOS APD结构未考虑除耗尽层以外的带宽改善方法，其仅考虑缩小耗尽层横纵宽度来减少少数载流子渡越时间。为进一步提高CMOS APD的带宽，故通过调节电极距离光照区N+层的边界的长度L和电极面积来提高，其还包括在雪崩倍增的情况下，对于P+/N阱型CMOS APD，通过调节在N+上的阴极电极距边界距离L和电极尺寸分别减少空穴横向载流子渡越距离进而提高载流子渡越时间；对于P+/N阱型CMOS APD，通过调节在P+上的阳极电极距边界距离L和电极尺寸分别减少空穴横向电子载流子渡越距离进而提高载流子渡越时间提高带宽。该改进技术从电极距离以及电极面积尺寸两方面进行改进，降低载流子，提高其带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108054203B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201711409355.6
申请日：2017-12-22
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/737 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括低掺杂单晶硅衬底层及设置在所述低掺杂单晶硅衬底层上的基区、发射区及集电区，所述低掺杂单晶硅衬底层上与所述基区、发射区及集电区之间设置有二氧化硅绝缘层，所述发射区包括重掺杂应变硅发射区层。本发明利用绝缘体衬底可以起到减小寄生电容、增强绝缘的作用，使双极晶体管达到的速度更快、频率更高，还可以与金属‑氧化物半导体场效应晶体管相结合，形成BiCMOS工艺，可广泛应用与集成电路的设计与制造中。
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公开(公告)号：CN108258032A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810053672.7
申请日：2018-01-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/737 , H01L21/331
Abstract: 本申请公开了一种采用组合发射区的异质结双极晶体管，包括单晶硅衬底层及设置在单晶硅衬底层上的集电区及基区，还包括设置在单晶硅衬底层上的组合发射区，组合发射区包括由下至上依次设置的重掺杂应变Si1‑zGez层、应变硅层及多晶硅重掺杂发射极，其中，z为大于0且小于1的自然数。与现有技术中的异质结双极晶体管相比，本申请中的采用组合发射区的异质结双极晶体管减小了由基区注入到发射区的空穴电流密度，提高器件的放大系数。
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公开(公告)号：CN116053328A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310093111.0
申请日：2023-02-07
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种阶梯台面结构的氮化镓PiN二极管及其制备方法，属于二极管功率器件技术领域。本发明采用阶梯型台面结构，以降低暴露在台面侧壁的pn结处的电场峰值，这些改善是由于pn结的峰值电场从干蚀损伤的外层台面转移到薄p‑GaN层覆盖的内部台面所带来的；同时该二极管使用多个轻Si掺杂n‑GaN漂移层，其中顶部n‑GaN漂移层Si掺杂浓度最低，提高击穿电压的同时增强导通电阻；另外使用Si3N4覆盖的自旋玻璃薄膜的钝化层和场板结构，有效地降低反向泄漏电流和提高击穿电压，SOG薄膜溅射沉积过程中并未引起p‑GaN接触层等离子体损伤，从而与p‑GaN层具有良好的欧姆接触。本发明的二极管在功率转换应用中具有良好的潜力。
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公开(公告)号：CN115939198A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310073716.3
申请日：2023-02-07
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 本发明涉及一种硅基硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在衬底上离子注入形成N+BL埋层；在N+BL埋层上形成四氮化三硅应力层；离子注入形成N‑集电区；通过氧化形成二氧化硅掩蔽层，刻蚀出集电区窗口后进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；离子注入形成N+BL埋层连通区；在应变基区选择性外延Si1‑xGex基区；在Si1‑xGex基区上方淀积硅帽层；淀积N型多晶硅作为发射极；刻蚀Si并淀积SiGe材料与四氮化三硅应力层形成集电区应力区；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成电极引线。本发明能够增强载流子的迁移率、减小载流子总渡越时间，提高晶体管工作速度。
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公开(公告)号：CN114900156A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210404643.7
申请日：2022-04-18
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03H21/00
Abstract: 本发明请求保护一种基于分布式算法的高吞吐量LMS自适应滤波器。主要包括3个部分：(1)基于DA的控制模块设计(2)基于DA的辅助模块设计(3)基于DA的滤波器模块设计。本发明目的在于针对LMS自适应滤波器，构建高吞吐量和低功耗的自适应滤波器结构。创新点在于相比较传统的LMS自适应滤波器结构，本发明提出了基于DA的辅助模块，该模块使用具有特殊寻址的辅助查找表，该查找表存储输入样本的所有可能的组合，克服了每次自适应滤波器运行时，都需要更新LUT的问题，同时相比较传统的MAC单元有着更高的吞吐量，且该设计可以很容易被重新配置，可以匹配广泛的性能要求。
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