公开(公告)号：CN116053328A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202310093111.0

申请日：2023-02-07

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  向盈聪 ,  孔森林 ,  凌鹏 ,  郭川 ,  石松

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及一种阶梯台面结构的氮化镓PiN二极管及其制备方法，属于二极管功率器件技术领域。本发明采用阶梯型台面结构，以降低暴露在台面侧壁的pn结处的电场峰值，这些改善是由于pn结的峰值电场从干蚀损伤的外层台面转移到薄p‑GaN层覆盖的内部台面所带来的；同时该二极管使用多个轻Si掺杂n‑GaN漂移层，其中顶部n‑GaN漂移层Si掺杂浓度最低，提高击穿电压的同时增强导通电阻；另外使用Si3N4覆盖的自旋玻璃薄膜的钝化层和场板结构，有效地降低反向泄漏电流和提高击穿电压，SOG薄膜溅射沉积过程中并未引起p‑GaN接触层等离子体损伤，从而与p‑GaN层具有良好的欧姆接触。本发明的二极管在功率转换应用中具有良好的潜力。

公开(公告)号：CN115939198A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202310073716.3

申请日：2023-02-07

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  凌鹏 ,  孔森林 ,  向盈聪 ,  周春宇 ,  王巍

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明涉及一种硅基硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在衬底上离子注入形成N+BL埋层；在N+BL埋层上形成四氮化三硅应力层；离子注入形成N‑集电区；通过氧化形成二氧化硅掩蔽层，刻蚀出集电区窗口后进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；离子注入形成N+BL埋层连通区；在应变基区选择性外延Si1‑xGex基区；在Si1‑xGex基区上方淀积硅帽层；淀积N型多晶硅作为发射极；刻蚀Si并淀积SiGe材料与四氮化三硅应力层形成集电区应力区；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成电极引线。本发明能够增强载流子的迁移率、减小载流子总渡越时间，提高晶体管工作速度。

公开(公告)号：CN114335234A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210015492.6

申请日：2022-01-07

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  魏进希 ,  孔森林 ,  凌鹏 ,  向盈聪 ,  宋琦 ,  王巍

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种硅锗异质结光电晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在N型Si衬底上进行热氧化处理形成二氧化硅作为埋氧层；通过离子注入形成N+亚集电区和N‑集电区；通过氮化形成四氮化三硅牺牲保护层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速热退火操作以消除晶格损伤；在N‑集电区边缘通过离子注入形成N+区域连接N+亚集电区；在硅锗基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si包层上淀积N+多晶硅作为发射极；在集电区刻蚀Si并淀积Ge组分为20％的SiGe材料作为SiGe应力源。本发明中在集电区引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性。